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[发明专利]一种内置压电极化调控层的半导体激光元件-CN202310604539.7在审
发明人：李水清;王星河;刘紫涵;蔡鑫;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种内置压电极化调控层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有压电极化调控层；所述压电极化调控层为HfO2、NiCo2O4、CoFe2O4、FeF2、ZrO2的任意一种或任意组合；压电极化调控层在电流注入的电场作用下产生压电极化，调和有源层的自发极化和压电极化，降低量子限制Stark效应，降低激光元件的价带带接，提升空穴的注入效率和输运，提升激光元件的受激辐射和电激射增益，同时，缓解热失配导致的压电极化上升，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
一种内置压电极化调控半导体激光元件

[发明专利]一种内置拓扑平带层的半导体激光元件-CN202310604537.8在审
发明人：李水清;王星河;刘紫涵;蔡鑫;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种内置拓扑平带层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层与电子阻挡层之间设有拓扑平带层；拓扑平带层为KMn6Bi5、KAg(CN)2、Pb2SbO7、Rb2CaH4、Ca2NCl的任意一种或任意组合；拓扑平带层具有奇异的磁性和超导性，具有平带轨道特性和准平面能带杂化，形成不易被破坏的稳定闭合环状狄拉克节线，降低能量色散，诱导降低折射率色散，提升限制因子，增强模式增益，同时，产生面内各向异性和振动各向异性，降低光波导吸收损耗，降低内部光学损耗，从而加强激光元件的受激辐射，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
一种内置拓扑平带层半导体激光元件

[发明专利]一种炎症性皮肤病患者用药膏涂抹器-CN202310690521.3在审
发明人：何艳艳;徐浩翔 -专利权人：中国医学科学院皮肤病医院（中国医学科学院皮肤病研究所）
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： A61M35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种炎症性皮肤病患者用药膏涂抹器，包括主体与管盖结构，管盖结构螺纹连接于主体顶部，主体正面中部固定连接有玻璃窗，所述主体底部固定连接有漏斗，漏斗底部固定连接有出药箱，所述出药箱背面中间固定连接有拓展结构，出药箱底部固定连接有涂抹结构，所述涂抹结构底部滑动连接有药口调节结构，管盖结构顶部中间固定连接有给药装置，所述出药箱内部开设有给药槽。该炎症性皮肤病患者用药膏涂抹器通过药口调节结构对涂抹药膏的出口进行调节，方便对不同大小的伤口进行调节，避免因涂抹口太小无法使涂抹的药膏覆盖住伤口表面，进行多次涂抹，从而提高涂抹的效率，可以限制药膏出口的量，增加扩展结构的效果。
一种炎症皮肤病患者用药涂抹

[发明专利]基于无人机载光谱仪的大气数据反演方法、系统及介质-CN202310368925.0在审
发明人：李莹;包方闻;徐浩翔 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无人机载光谱仪的大气数据反演方法、系统及介质，方法包括：基于无人机载光谱仪获取研究区域反射率观测值或观测值组合；通过大气辐射传输的正向模拟，从所述反射率观测值或所述观测值组合中反演碳质气溶胶参数；将所述碳质气溶胶浓度参数作为气溶胶光学物理参数反演模块的输入，获得光学物理参数；根据所述光学物理参数和碳质气溶胶参数输出大气数据反演结果。本发明通过对近地的辐射测量，对大气中的碳质气溶胶进行深度解析，而无需搭载各种不同的气溶胶采样传感器。其反演结果可以广泛的用于高分辨率卫星气溶胶数据的加密验证和校准，解决了传统的碳质气溶胶反演方法空间分辨率低的问题。
基于无人机载光谱仪大气数据反演方法系统介质

[发明专利]一种设有拓扑相变层的半导体激光元件-CN202310116518.0在审
发明人：李水清;王星河;蒙磊;蔡鑫;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有拓扑相变层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，衬底(100)与下限制层(101)之间设有拓扑相变层(107)；拓扑相变层在可产生从无序顺电相与有序铁电相的过渡与转变，增强双磁子散射效应，形成1800以上Qe的巨大共振偏移量，增强磁电应力耦合效应，缓解激光元件的压电极化和热应力失配，降低价带带阶，提升载流子注入有源层的均匀性，改善增益均匀性，同时，诱导自旋相变，产生巨大的自旋序控制的磁电耦合系数，在电场作用下连续性可逆地调控磁致应力，进一步降低压热应力失配，抑制应力双折射现象，改善激光光束的去极化和失真。
一种设有拓扑相变半导体激光元件

[发明专利]一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件-CN202310124406.X在审
发明人：李水清;王星河;陈婉君;季徐芳;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，下波导层与下限制层之间和下波导层与有源层之间设有范德瓦斯非线性层。所述范德瓦斯非线性层将非拓扑变换路径转变为拓扑变换路径，抑制有源层的In组分涨落和应变，提升峰值增益，改善热稳定性和热退化，提升界面质量，降低非辐射复合中心，提升激光元件的激射功率和斜率效率；范德瓦斯非线性层使有源层的顶部和底部形成不对称势垒，提升载流子的隧穿几率，提升空穴在有源层的输运和注入均匀性，降低光场耗散，抑制光场泄漏到衬底，提升远场图像FFP质量。
一种设有瓦斯非线性半导体激光元件

[发明专利]一种设有电流诱导自旋极化层的半导体激光元件-CN202310129965.X在审
发明人：李水清;王星河;张敏;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有电流诱导自旋极化层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，电子阻挡层与上波导层之间和上限制层与电子阻挡层之间设有电流诱导自旋极化层；电流诱导自旋极化层在激光器注入电流条件下，受电场作用会产生沿电流路径方向的自旋极化效应，中和激光器内部的压电极化和自发极化场，减少量子限制stark效应，降低电子泄漏和载流子去局域化，提升峰值增益，同时，降低空穴的注入势垒和价带带阶，提升空穴注入有源层的效率，提升激光器有源层的电子空穴波函数的交叠几率，增强激光元件的受激辐射，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
一种设有电流诱导自旋极化半导体激光元件

[发明专利]一种GaN基激光二极管及其制作方法-CN202310116317.0在审
发明人：阚宏柱;李水清;王星河;张江勇;马斯特;徐浩翔;陆恩;周进泽;牧立一;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提出了一种GaN基激光二极管及其制作方法，所述GaN基激光二极管包括自上至下依次设置的P‑GaN层、P‑Cladding层、P‑波导层、量子阱、N‑波导层、N‑Cladding层和N‑GaN层，所述P‑GaN层位于所述P‑Cladding层中间部位并形成脊状结构，且所述脊状结构的宽度小于所述P‑Cladding层的宽度，所述P‑Cladding层上位于所述脊状结构周边区域设置有绝缘层，所述脊状结构与所述绝缘层的接触面开设有开口朝上的孔洞，所述脊状结构和孔洞上设置有导电层，所述P电极设置在所述导电层上，所述N电极设置在所述N‑GaN层上。本发明所提出的GaN基激光二极管能够形成更高的光限制效果，以满足更高的使用需求。
一种 gan 激光二极管及其制作方法

[发明专利]一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件-CN202310086943.X在审
发明人：李水清;王星河;陈婉君;陈三喜;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有俄歇辅助光发射层；俄歇辅助光发射层在具有自旋交换俄歇式激发转移发射机制，自旋交换转移速率超过带内能量损失和带内冷却速度，降低泵浦光与振荡光之间光子能量差的斯托克斯频移损耗，提升泵浦能级到激光能级的耦合几率，辅助增强激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，降低热损耗，降低激光元件的能量损失和废热量，改善温度分布不均匀问题，提升激光元件的激射功率、斜率效率和改善激光光束去极化。
一种设有辅助发射半导体激光元件

[发明专利]一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件-CN202310111854.6在审
发明人：李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层和下限制层设有受激布里渊散射层；所述受激布里渊散射层由上限制层和下限制层通过结构设计出Mg/C浓度比例、Mg/O浓度比例、Mg/H浓度比例和Al浓度等差异而形成，从而限制光子和声子传播，将布里渊区的声子限制在激光器中，抑制声子泄漏，利用声子操纵受激布里渊散射反射特定波长的光谱，提升布里渊散射增益系数，降低光波导吸收损耗和内部光学损耗，提升激光功率和斜率效率，同时，减少激光模数，提升光子简并度，提升输出激光相干性。
一种设有布里渊散射半导体激光元件

[发明专利]一种具有声子散射调控层的半导体激光元件-CN202310213881.4在审
发明人：李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;马斯特;徐浩翔;陆恩;周进泽;牧立一;白怀铭;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，具体涉及一种具有声子散射调控层的半导体激光元件，结构上设置的声子散射调控层为Bi2Te3:Ag、Mg2Sn‑Mg3Sb2:Ag、Bi2SeS2:Ag、CuBiSe2:Ag、PbNb2O6:Ag、Sn2P2S6:Ag中的一种或两种以上的组合形成的异质结、超晶格、量子阱、核壳、量子点中一种或两种以上结构；声子散射调控层通过降低激光元件的声子散射，增强晶格热导率，改善激光元件的热电性能，提升激光元件的散热性能，降低热失配导致的量子限制Stark效应，降低空穴注入势垒和提升空穴注入效率，提升有源层的电子空穴波函数的交叠几率，加强激光元件在大功率和大电流条件下的寿命和可靠性，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
一种有声散射调控半导体激光元件

[发明专利]一种具有应变诱导激子响应层的半导体激光元件-CN202310191046.5在审
发明人：阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;刘紫涵;张江勇;马斯特;徐浩翔;陆恩;周进泽;牧立一;白怀铭;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，特别是涉及一种具有应变诱导激子响应层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，其中上波导层与电子阻挡层之间具有应变诱导激子响应层；应变诱导激子响应层为KV3Sb5、WSe2、ReO3、RbV3Sb5、CsV3Sb5、KSbO3的一种或两种以上的组合；应变诱导激子响应层通过在有源层与上波导层和或下波导层的界面施加局部应变，创建应变场，改变电子向列性，使应变诱导激子响应层消除光谱重叠的亚带隙发射态，抑制垂直方向上的模跳，产生单模激光，获得良好的FFP远场图案，并增强有源层的激子响应，降低激光元件的驱动电压和激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的光功率和斜率效率。
一种具有应变诱导激子响应半导体激光元件

[发明专利]一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件-CN202310142347.9在审
发明人：李水清;王星河;蔡鑫;刘紫涵;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;刘鑫建;周进泽;牧立一;徐浩翔;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有量子限制斯塔克调控层；量子限制斯塔克调控层利用电流诱导铁电相变极化效应，使激光器在电流注入条件下产生磁致伸缩和铁谷耦合效应调控应变场和极化方向翻转，调制激光器的压电极化和自发极化场，减少量子限制斯塔克效应，降低激光元件的价带带阶，提升空穴注入的均匀性和激光增益均匀性，提升激光器有源层的电子空穴波函数的交叠几率，增强激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的峰值增益。
一种设有量子限制斯塔克调控半导体激光元件

[发明专利]一种基于无人机机载光谱仪的海洋环境监测系统及方法-CN202211508318.1在审
发明人：李莹;范仕东;徐浩翔;包方闻;张子杨 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无人机机载光谱仪的海洋环境监测系统及方法，包括：无人机，无人机巡航于待监测海洋区域；地面接收装置，地面接收装置通过无线网络与无人机连接；监测数据处理装置，监测数据处理装置通过有线网络或无线网络与地面接收装置连接；以及演示装置，演示装置通过有线网络或无线网络与监测数据处理装置连接；无人机上设置有光谱仪，光谱仪获取的监测数据经无人机传输至地面接收装置，通过监测数据处理装置进行数据处理和融合分析，在演示装置对数据处理结果进行可视化展示。本发明通过无人机搭载光谱仪对海洋环境进行自动巡航监测，可实现海洋环境监测数据的实时传输及可视化，提高了监测分辨率。
一种基于无人机机载光谱仪海洋环境监测系统方法

[发明专利]基于无人机载光谱仪的大气环境监测方法、系统及介质-CN202211500374.0在审
发明人：李莹;徐浩翔;包方闻;范仕东;张子杨 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无人机载光谱仪的大气环境监测方法、系统及介质，方法包括：获取待监测区域的位置信息，并根据位置信息控制无人机飞行至待监测区域；通过无人机搭载的光谱仪采集待监测区域内的辐射亮度数据；根据辐射传输模型构建无人机及光谱仪的辐射传输过程，并建立辐射传输查找表；根据辐射亮度数据从辐射传输查找表查找得到对应的大气污染物数据；根据构建的辐射传输过程及查找到的大气污染物数据在演示装置中进行大气监测数据可视化展示。本发明通过无人机搭载光谱仪探测待监测区域的光谱信息，以反演各类大气污染物，为待监测区域的大气污染提供可靠的数据。
基于无人机载光谱仪大气环境监测方法系统介质

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