专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种导向装置-CN202123425572.9有效
  • 谢卫;罗江南;赵吕银;刘鸿;陈文辉;段杨洋;李冬文;冯刚;刘恩彬;王明杰;徐泓 - 贵州中烟工业有限责任公司
  • 2021-12-31 - 2022-08-05 - B65G47/24
  • 本实用新型公开了一种导向装置,设于输送带上方,用于调整烟垛在输送带上的运行方向,输送带的输送方向为第一方向,输送带上设有入料端和出料端,导向装置包括:两个固定板,沿第二方向间隔设置,第二方向与第一方向相垂直,两个固定板分别设置于输送带的两侧,固定板沿第一方向延伸,固定板靠近输送带入料端的一端为固定板的第一端,固定板靠近输送带出料端的一端为固定板的第二端;两个导向板,每一个导向板均与一个固定板的第一端相连,导向板与固定板之间成一钝角,两个导向板之间的间距沿第一方向逐渐减小;两个调节机构,每一个调节机构均与一个固定板相连,调节机构用于调节两个固定板之间的间距。本实用新型能够防止烟垛偏移。
  • 一种导向装置
  • [实用新型]一种绝缘栅双极晶体管及元胞结构-CN202220021764.9有效
  • 王良元;汤艺;永福;徐泓 - 嘉兴斯达微电子有限公司
  • 2022-01-05 - 2022-07-26 - H01L29/739
  • 本实用新型涉及电子元件技术领域,具体涉及一种绝缘栅双极晶体管及元胞结构,包括:衬底;集电极层,形成于衬底的下方,并于集电极层上形成一掺杂区;电荷贮存层,电荷贮存层形成于衬底的上方;沟道区,形成于电荷贮存层的上方;至少两个发射极沟槽,发射极沟槽形成于沟道区内,发射极沟槽的底部延伸至衬底;沟道区在发射极沟槽之间的区域,于俯视方向上形成一连接结构,连接结构的两端连接至发射极沟槽。本实用新型的有益效果在于:通过在器件中设置连接沟槽和元胞结构,有效地优化了器件的结构,增加了器件整体的强度,避免了现有技术中因器件尺寸减小导致器件容易因为内应力破裂,或器件翘曲的问题,有效提高了器件生产过程中的整体良率。
  • 一种绝缘双极晶体管结构
  • [发明专利]一种LED封装工艺及深紫外LED-CN202010757893.X在审
  • 邱德恒;徐泓 - 广西东科视创光电科技有限公司
  • 2020-07-31 - 2022-02-18 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种LED封装工艺,将深紫外LED芯片固晶在封装支架上,将固晶有所述深紫外LED芯片的所述封装支架固定在PVD镀膜机的治具上;通过所述PVD镀膜机在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面镀上二氧化硅镀膜,本发明还提供一种深紫外LED,包括深紫外LED芯片、封装支架、及二氧化硅镀膜;所述深紫外LED芯片固晶在所述封装支架上;所述二氧化硅镀膜设在所述封装支架的表面及所述深紫外LED芯片的表面,提高深紫外LED芯片的封装效率。
  • 一种led封装工艺深紫
  • [实用新型]一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构-CN202120331568.7有效
  • 徐泓;汤艺;永福;王良元 - 嘉兴斯达半导体股份有限公司
  • 2021-02-05 - 2021-10-22 - H01L29/739
  • 本实用新型公开了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构,包括元胞结构本体,所述元胞结构本体主要包括N型漂移区及设置在N型漂移区底部的P+区,所述N型漂移区的上表面依次设置有N型电荷贮存层和P型沟道区,P型沟道区上形成有发射极;所述元胞结构本体上形成有若干多晶硅沟槽,多晶硅沟槽内设置有多晶硅和氧化层;所述多晶硅沟槽包括至少两个设置在元胞结构本体内的真栅多晶硅沟槽和设置在真栅多晶硅沟槽之间的若干发射极多晶硅沟槽,所述真栅多晶硅沟槽是由对应位置的多晶硅沟槽延伸至栅极金属环并通过第一接触孔与栅极金属层连接形成,所述发射极多晶硅沟槽是由保留在发射极区域内的多晶硅沟槽通过第二接触孔与发射极金属层连接形成。
  • 一种沟槽绝缘栅双极型晶体管结构

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