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[实用新型]多路触电点开关柜无线测温电路-CN202321178349.5有效
发明人：黄得兵;彭志高 -专利权人：广东虎柏机电有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及无线测温技术领域，公开了一种安全性较高且可靠性较好的多路触电点开关柜无线测温电路，具备：至少一个温度检测电路（101），用于获取被检测对象工作时的温度信号；第一无线收发电路（102），用于接收温度信号，并对输入的温度信号进行调制处理；第二无线收发电路（20），用于接收经调制后的温度信号，并对输入的温度信号进行放大及解调处理；主控制器（MCU），其信号输入端与第二无线收发电路（20）的信号输出端连接，用于接收经解调后的温度信号，以获得相应被检测对象的温度信息。
触电开关柜无线测温电路

[外观设计]散热器（SS-153N）-CN202330210548.9有效
发明人：马利强;彭志高 -专利权人：东莞市神速五金电子有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：散热器（SS‑153N）。2.本外观设计产品的用途：用于计算机CPU处理器、灯具散热。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。
散热器 ss 153

[外观设计]散热器（ST06-H132）-CN202330210549.3有效
发明人：马利强;彭志高 -专利权人：东莞市神速五金电子有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：散热器（ST06‑H132）。2.本外观设计产品的用途：用于计算机CPU处理器、灯具散热。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。
散热器 st06 h132

[实用新型]芯片散热器及计算机-CN202321011772.6有效
发明人：马利强;彭志高 -专利权人：东莞市神速五金电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片散热器及计算机，该芯片散热器包括至少两个托载支架、第一连接件、散热组件和压力式扣具，所述托载支架通过所述第一连接件与所述电路主板连接，至少两个所述托载支架和多个所述第一连接件组成具有容置空间的安装载台，所述散热组件通过所述压力式扣具安装于所述安装载台上，所述散热组件的散热底座置于所述容置空间内并抵邻接触所述芯片，其中，所述第一连接件，用于限定所述安装载台与所述电路主板的间距，以使所述压力式扣具按预设压力将所述散热组件安设在所述芯片上。通过本申请，解决了相关技术中芯片散热器与芯片接触不良，造成散热器对CPU或电子芯片进行散热的效果不佳的问题。
芯片散热器计算机

[外观设计]散热器（SS-153C）-CN202330248060.5有效
发明人：马利强;彭志高 -专利权人：东莞市神速五金电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：散热器（SS‑153C）。2.本外观设计产品的用途：用于计算机CPU处理器、灯具散热。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。
散热器 ss 153

[发明专利]一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法-CN202310235688.0在审
发明人：陶永洪;林志东;彭志高 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法。所述的碳化硅功率二极管器件至少包括：SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一电极层、第一欧姆接触金属层、第二电极层；有源区设置大致两种规格的P型区，表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖欧姆接触金属，表面面积较小、较细狭的第二P型区表面不设欧姆接触金属。在小电流的条件下，电流从有源区的N型区通过；在大电流的条件下，二极管的正向电压升高，第一P型区表面覆盖欧姆接触形成的PiN二极管势垒开启，电流可以从该区域通过，从而提升二极管的浪涌电流能力。所述的制备方法用于制备所述的碳化硅功率二极管器件，提高工艺兼容性，简化工艺的复杂度。
一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法

[实用新型]一种检修插接机构及热电偶检测系统-CN202320718142.6有效
发明人：田亮;彭志高;徐东;覃君;韦高敏;杨万逖;吴德宁;覃仁毅 -专利权人：广西钢铁集团有限公司;柳州钢铁股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及换热设备技术领域，公开了一种检修插接机构及热电偶检测系统，包括，检测单元，包括传热底座，以及设置于所述传热底座一侧的插接机构；管道单元，包括进水管道，以及设置于所述进水管道一侧的蒸汽管道支撑单元，包括支撑箱，以及设置于所述支撑箱底部的多个支撑立柱；溢流单元，包括溢流孔，以及设置于所述溢流孔外侧的溢流机构。本实用新型的有益效果为用蒸汽模拟连铸机现场高温钢水，将进水管道与蒸汽管道的温度传导至待检测热电偶两端以产生明显温差，可以同时检测多个热电偶，通过热电偶间显示比对可以快速定位故障电偶，相比传统烘烤加热检测时间更短、温度上升快且均匀。
一种检修插接机构热电偶检测系统

[发明专利]一种板坯结晶器足辊用药芯焊丝及其制作方法-CN202110981099.8有效
发明人： 彭志高;杨宗保;李栋栋;李拓;李道俊 -专利权人：柳州市创科复合金属陶瓷制品有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B23K35/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种板坯结晶器足辊用药芯焊丝及其制作方法，药芯焊丝包括药皮和药芯，所述药皮为占焊丝总量60‑62％的钢带，所述药芯占焊丝总量的38‑40％。药芯包括如下质量百分比的各组份：镍粉11‑16％、钨粉4‑8％、钼粉3.0‑5.0％、铬粉40‑45％、钴粉5‑7％、稀土硅铁粉0.5‑0.75％、氮化铬铁粉2.5‑3.5％、冰晶粉2.0‑3.0％，余量为铁粉和不可避免的杂质。本发明制作的板坯结晶器足辊用药芯焊丝，具有抗高温回火性、高熔点、高温强度高、抗热疲劳性优良的特点。
一种结晶器用药焊丝及其制作方法

[发明专利]集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件-CN202310092700.7在审
发明人：李立均;林志东;彭志高;陶永洪;郭元旭;王敏 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件，涉及半导体技术领域。该器件包括若干元胞单元，该元胞单元由两个不对称但相互连接的第一元胞和第二元胞组成，第一元胞与第二元胞之间具有相互连接的第一结型场效应区和第二肖特基接触区，第一元胞的第一P阱区及第一P+区位于第一结型场效应区远离第二肖特基接触区所在一侧，第二元胞的第二P阱区和第二P+区位于第二肖特基接触区远离第一结型场效应区的一侧，其中，第一元胞和第二元胞的P阱区和P+区的排布方向一致。该集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件能够减小栅极电容，提高击穿电压，进而提高器件性能。
集成肖特基二极管碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法-CN202010626798.6有效
发明人：陶永洪;林志东;彭志高 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法。所述的碳化硅功率二极管器件至少包括：SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一电极层、第一欧姆接触金属层、第二电极层；有源区设置大致两种规格的P型区，表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖欧姆接触金属，表面面积较小、较细狭的第二P型区表面不设欧姆接触金属。在小电流的条件下，电流从有源区的N型区通过；在大电流的条件下，二极管的正向电压升高，第一P型区表面覆盖欧姆接触形成的PiN二极管势垒开启，电流可以从该区域通过，从而提升二极管的浪涌电流能力。所述的制备方法用于制备所述的碳化硅功率二极管器件，提高工艺兼容性，简化工艺的复杂度。
一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法

[发明专利]隔离干扰力矩的石英挠性加速度检测质量摆及加工方法-CN202011564314.6有效
发明人：王勇;杨勇;黄勇;彭志高 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离干扰力矩的石英挠性加速度检测质量摆及加工方法，包括摆环，摆环的两面分别设有安装凸台，两面的安装凸台数量相同且一一对应；在摆环中心腔内设有摆舌，摆舌通过挠性梁与摆环连接。在摆舌上设有两面贯穿的螺旋线，螺旋线以摆舌的圆心为中心向外延伸，螺旋线具有一定宽度以使螺旋线所在的镂空部位形成隔离环。本发明可以减小或消除干扰力矩对加速度计性能的影响。
隔离干扰力矩石英加速度检测质量加工方法

[实用新型]大包水口油缸悬挂装置-CN202122395201.4有效
发明人：杨宗保;陈梁;陈立鹏;李洋;古威;农彪;黄志宏;韦王健;彭志高;李建科;蒙有贵;刘荣柳;杨栋文;黄伙留;陈韦乐 -专利权人：广西钢铁集团有限公司;广西柳州钢铁集团有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B22D41/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大包水口油缸悬挂装置，涉及钢坯铸造设备技术领域；它包括设有通孔的定位块，所述定位块于所述通孔处由下往上穿装有螺栓，所述螺栓于所述定位块的上方和下方分别设有第一螺母和第二螺母，所述螺栓的头部设有圆环，所述圆环与设在大包水口油缸缸体上的铁链相连接。与现有技术相比，本实用新型可以解决现有大包水口油缸由铁链悬挂在三角支架上，最小高度变化仅为单节链节的长度，高度调整的精度不足，存在较大误差的问题。
大包水口悬挂装置

[发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN202211408804.6有效
发明人： 彭志高;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构和半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括衬底、半导体外延层、场氧化层、阳极层和钝化层，阳极层被配置为从有源区上延伸设置在部分场氧化层上，阳极层的侧壁与顶壁之间通过一弧形的连接面连接，钝化层覆盖在阳极层的侧壁上并延伸覆盖至连接面上。通过将阳极层的侧壁上部拐角处设置成圆弧状，能够使得阳极层的侧壁与顶壁之间能够平滑过渡，避免了倾斜角度的急剧变化，从而避免了钝化层在侧壁上拐角处产生应力集中现象。本发明提供的半导体结构，其能够减小由于金属层陡直造成的拐角应力集中造成的裂痕问题，提升器件的抗湿气能力，并优化钝化层的爬坡问题，提升钝化层的成型质量。
半导体结构制备方法

[发明专利]氧化层的制备方法、金氧半场效晶体管及半导体器件-CN202211339219.5在审
发明人： 彭志高;黄维;陶永洪 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种氧化层的制备方法、金氧半场效应晶体管及半导体器件，氧化层的制备方法包括：获取基底层；对基底层的表面进行氧化形成中间体氧化层；在中间体氧化层的表面沉积一层掺杂有磷元素的硅薄膜；对掺杂有磷元素的硅薄膜以及中间体氧化层进行退火。通过上述设置，由于采用了两层氧化层的方式，相比现有技术而言，本申请利用中间体氧化层过渡可以减少对基底层的表面的氧化时间，从而减少界面碳簇的生产量，进而降低界面态密度。
氧化制备方法半场晶体管半导体器件

[发明专利]集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN202110215037.6有效
发明人：李立均;林志东;彭志高;陶永洪;郭元旭;王敏 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件的P阱区和P+区相邻，N+区位于P阱区内，P+区与N+区相邻；欧姆接触金属位于肖特基接触金属与栅氧化层之间，栅氧化层上形成有多晶硅栅电极，多晶硅栅电极和栅氧化层的外周包覆有层间介质；层间介质、欧姆接触金属和肖特基接触金属上方覆盖有源极；栅氧化层覆盖P阱区表面，且其两侧分别覆盖N+区和N‑外延层内的JFET区的部分表面，欧姆接触金属覆盖P+区和N+区的部分表面，肖特基接触金属位于远离N+区的P+区一侧。该集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，能够减小栅极电容，提高击穿电压，进而提高器件性能。
集成肖特基二极管碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

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