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[实用新型]多功能离子束复合处理系统-CN200920199384.9无效
发明人： 张高会;李红卫;万向明;武建军;郑顺奇;焦志伟;于明州;周云;黄国青 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多功能离子束复合处理系统，包括真空室、离子注入装置和磁控溅射装置，真空室连接真空泵，离子注入装置安装在真空室上部，真空室内部设有样品台，样品台位于离子注入装置下方；离子注入装置包括气体离子源和金属离子源，磁控溅射装置为磁控溅射靶，磁控溅射靶、气体离子源和金属离子源分别连接电源，金属离子源和磁控溅射靶安装在气体离子源侧部，金属离子源与磁控溅射靶分别连接角度调节装置。本实用新型集离子注入、磁控溅射、金属离子注入于一体，磁控溅射后(或磁控溅射时)既可以注入气体离子，也可以在注入气体离子的时候，还可以外加注入金属离子，从而既提高了沉积速度，又可以增加改性层厚度。
多功能离子束复合处理系统

[实用新型]用于双阴极辉光放电渗金属的源极-CN200920199385.3无效
发明人： 张高会;李红卫;郑顺奇;于明州;黄国青;潘俊德 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于双阴极辉光放电渗金属的源极，所述源极总体上呈圆柱形，所述圆柱沿轴向对称设有若干圆孔；所述圆柱上部中心设有呈圆柱形的中空部分，所述中空部分沿轴向对称设有若干圆孔。本实用新型充分利用空心阴极效应，在源极上设计出诸多圆孔，一是活化了内壁表面的碳粒子，二是增加了溅射面积，增加了溅射量，为产生高浓度的金属粒子创造条件；另外本专利在源极上部中心设置了中空区域，使在阴极孔内产生的等离子体先在该区域进行混合均匀，从而达到渗碳均匀的目的。
用于阴极辉光放电金属

[发明专利]双辉放电无氢渗碳共渗装置及工艺-CN02110191.4无效
发明人：徐重;潘俊德;田林海;唐宾;张高会;陈飞 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2002-03-20 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：双辉放电无氢渗碳共渗装置及工艺，属于金属材料表面改性技术范畴，具体来讲是以制成特殊形状的高纯度石墨作为源极，利用辉光放电溅射原理及空芯阴极放电效应，在钢铁材料特别是钛及钛合金表面形成均匀的渗碳层，分别通入氩气、氮气、氩气和氮气的混合气体可实现，无氢渗碳、渗氮及碳氮共渗，通入氢气和氩气的混合气还可以在硅、硬度合金等基片上合成类金刚石和金刚石薄膜，具有渗速快，渗层均匀，设备简单，成本低等优点。
放电渗碳装置工艺

[发明专利]离子束增强弧辉渗镀涂层装置及工艺-CN02110190.6无效
发明人：潘俊德;徐重;唐宾;田林海;张高会 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2002-03-20 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明离子束增强弧辉渗镀涂层装置及工艺属于金属材料表面改性的范畴，其特征是在加弧辉光离子渗镀装置中，加入一个中低能束离子源，利用真空电弧原理从金属阴极电弧源发射出的金属离子流，快速沉积于利用辉光加热的工件表面，然后由中低能离子束注入碳或氮，使其沉积层与工件基体形成扩散层和镀层，把多弧离子镀沉积速度快和离子束注入反冲形成伪扩散层有机结合起来，在较低温度的工件表面快速形成金属碳、氮化合物硬层涂层。
离子束增强弧辉渗镀涂层装置工艺