专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种衬底表面喷射裂解硒源的方法-CN201110433136.8在审
  • 张颖武;赵彦民;乔在祥 - 中国电子科技集团公司第十八研究所
  • 2011-12-21 - 2012-05-02 - C23C16/455
  • 本发明涉及一种衬底表面喷射裂解硒源的方法,包括将硒蒸气进入高温裂解室,硒蒸气在高温裂解室内穿过孔径0.2-0.5mm均匀布满孔的两层多孔栅板,硒蒸气形成裂解硒源,所述裂解硒源喷射到衬底表面,完成在衬底表面喷射裂解硒源的过程。本发明采用将硒蒸气高温穿过两层多孔栅板,由Sen(n≥5)大原子团裂解为Sen(n<5)小原子团,增加了高活性Se2的数量,提高了硒元素的反应活性,有效改善了铜铟镓硒薄膜太阳电池CIGS层的成膜质量,对提高铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率起到积极作用;通过喷孔把小原子团的硒蒸气直接喷射到衬底表面,使硒材料充分参与CIGS层的反应成膜过程,从而提高硒材料利用率。
  • 一种衬底表面喷射裂解方法

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