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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]溅镀设备-CN202222314445.X有效
发明人：陈昭丞;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提出了一种溅镀设备，通过在腔体外侧设置至少两个磁铁组，且靠近靶材的第一磁铁组的磁通量小于靠近产品的第二磁铁组的磁通量，使得腔体内磁性材料原子先穿过较弱的磁场让磁矩初步排列，再于远离靶材的位置穿过较强的磁场让磁矩进行进一步排列，以此可以提高磁矩排列的一致性。并且，磁力较强的磁铁组远离靶材，有助于提高靶材耗损均匀性，提高靶材利用率和使用寿命，以及，提高溅镀形成的磁性薄膜的厚度的均匀性。
设备

[实用新型]半导体封装结构-CN202223316197.9有效
发明人：陈昭丞;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体封装结构，该半导体封装结构的一个实施方式包括至少一个线路结构，而线路结构包括：第一介电层；导电层，凸出于所述第一介电层，所述导电层包括设置在所述第一介电层外侧的外凸部；阻挡层，连续延伸且直接接触所述外凸部的顶面和侧面，且与所述导电层间形成有界面。即，通过在线路结构中设计导电层凸出于第一介电层，且导电层包括设置在第一介电层外侧的外凸部，另外线路结构还包括阻挡层，阻挡层连续延伸且直接接触外凸部的顶面和侧面，且与导电层间形成有界面，如此，阻挡层可阻止导电层的铜原子通过外凸部的顶面和侧面电迁移到外部，避免影响导电层的导电性能。
半导体封装结构

[实用新型]半导体封装结构-CN202222689747.5有效
发明人：吴柏儒;张皇贤;张育勋;涂顺财;杨佳玮;王廷维 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请提供的半导体封装结构，包括间隔设置的第一芯片和第二芯片，及混合键合第一芯片和第二芯片的线路结构。线路结构包括连接第一芯片的第一线路层、连接第一线路层的第二线路层，及连接第二线路层和第二芯片的第三线路层，第二线路层具有电连接第一线路层的第一衬垫、围绕第一衬垫且朝向第一线路层及第三线路层的两侧皆呈开放状的第一种子层，以及包覆第一种子层的第一介电层。通过线路结构混合键合第一芯片和第二芯片，使第一介电层不容易在后续的模封等热制程中受模封材料的拉扯而破裂，即能利用混合键合结构进行扇出。
半导体封装结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110502194.5在审
发明人：王咏泓;张皇贤;吕文隆;张育勋;庄劭萱 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一基板；第一连接结构，包括位于第一基板上方的第一金属层和第二金属层，第二金属层内埋于第一金属层内，并且第二金属层的热膨胀系数高于第一金属层的热膨胀系数；第二连接结构，金属接合至第一连接结构的第一金属层。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]接合结构-CN202221228654.6有效
发明人：陈昭丞;张皇贤;周泽川 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及接合结构。该接合结构包括第一接合单元，该第一接合单元包括：第一金属垫；第一绝缘层，覆盖所述第一金属垫的顶面外侧，并界定出位于所述第一金属垫顶侧的第一开孔；以及第一金属层，覆盖所述第一金属垫的顶面并位于所述第一开孔中，并且与所述第一金属垫之间形成有非化合物界面。该接合结构有利于提高金属层边缘的清晰度，进而提高金属层对接时的对位精度。
接合结构

[发明专利]封装结构、组合件结构及其制造方法-CN202011586881.1在审
发明人：刘旭唐;黄敏龙;张皇贤;蔡宗唐;陈憬儒 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开涉及一种封装结构、组合件结构和其制造方法。所述封装结构包含布线结构、第一电子装置、第二电子装置和加固结构。所述布线结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层。所述至少一个电路层包含至少一个互连部分。所述第一电子装置和所述第二电子装置电连接到所述布线结构。所述第二电子装置通过所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分电连接到所述第一电子装置。所述加固结构安置在所述至少一个电路层的所述至少一个互连部分上方。
封装结构组合及其制造方法

[发明专利]半导体衬底-CN202111458990.X在审
发明人：陈昭丞;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体衬底，包括：互连件，互连件包括：第一金属层，位于半导体衬底的表面上；第二金属层，位于第一金属层上；附着层，位于第一金属层和第二金属层之间，附着层与第二金属层直接接触。本发明的目的在于提供一种半导体衬底，以至少实现提高半导体衬底的良率。
半导体衬底

[发明专利]半导体封装件-CN202111367217.2在审
发明人： 张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种半导体封装件。该半导体封装件包括导电结构、第一电子元件和第二电子元件，其中，第一电子元件和第二电子元件并排地设置在导电结构上，第一电子元件包括第一管芯以及位于第一管芯上的第一材料和第二材料，在第一电子元件的面向第二电子元件的一侧，第一材料和第二材料之间的界面不接触第一管芯。本发明的目的在于提供一种半导体封装件，以至少提高半导体封装件的良率。
半导体封装

[发明专利]半导体封装件的引线接合结构-CN202111371674.9在审
发明人：刘旭唐;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装件的引线接合结构及其形成方法。该引线接合结构包括：重布线层；接合焊盘，位于重布线层上；电子元件，位于重布线层上并通过引线电连接至接合焊盘，其中引线与接合焊盘之间通过凸块金属相互连接；其中，重布线层包括伪焊盘，伪焊盘至少部分地位于凸块金属下方并位于凸块金属的垂直投影区内。
半导体封装引线接合结构

[发明专利]半导体封装件的引线接合结构-CN202111371750.6在审
发明人：刘旭唐;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装件的引线接合结构及其形成方法，该引线接合结构包括：重布线层；强化层，位于重布线层上；接合焊盘，位于强化层上；第一电子元件，位于重布线层上方，并且通过接合引线电连接至接合焊盘。
半导体封装引线接合结构

[发明专利]衬底中的凹入部分及形成凹入部分的方法-CN202110478658.3在审
发明人：庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种半导体衬底中的凹入部分及形成所述凹入部分的方法。所述方法包括：在所述半导体衬底上形成掩模；在所述掩模的顶表面上及在所述掩模的至少一个侧壁上，及在由所述掩模暴露的所述半导体衬底的至少一个表面上形成保护层；执行第一蚀刻工艺以去除在所述掩模的所述顶表面上及在由所述掩模暴露的所述半导体衬底的底表面上的所述保护层；及执行第二蚀刻工艺以去除其余保护层及蚀刻所述半导体衬底以形成所述凹入部分。以此方式，可实现具有相对平滑及竖直的侧壁的凹入部分。
衬底中的部分形成方法

[发明专利]半导体封装装置-CN202111188896.7在审
发明人：陈昭丞;张皇贤;周泽川 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：线路层，表面设置有焊盘，焊盘表面设置有金属粒子层；电子元件，设置于线路层上，主动面通过打线与焊盘电连接，打线的一端键合至金属粒子层上。通过在金属粒子层上键合打线的一端，降低了打线与焊盘电连接时的键合温度，进而改善因打线与焊盘直接结合时的键合温度软化线路层介电材料导致的焊盘下陷的问题。
半导体封装装置

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111214562.2在审
发明人：刘旭唐;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一重布线层；加强层，设置在第一重布线层上；第一电子元件，设置在加强层上并且通过第一连接线与第一重布线层电连接。该半导体封装装置及其制造方法能够避免在第一电子元件和第一重布线层之间设置填充材料，进而避免因填充材料受热膨胀引起的结构断裂，有利于提高产品良率。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]导线结构及其形成方法-CN202111081242.4在审
发明人：连宏德;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种导线结构及其形成方法。该导线结构包括：基板，具有位于基板上表面处的焊盘；线路层，位于基板上方，线路层具有凸块连接件，凸块连接件电连接于基板的焊盘；其中，凸块连接件包括第一部分和位于第一部分下方的第二部分，第二部分的宽度大于第一部分的宽度。
导线结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装结构和其制造方法-CN202110376624.3在审
发明人：庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开的至少一些实施例涉及一种用于制造接合结构的方法。所述方法包含：提供具有晶种层的衬底；在所述晶种层上形成导电图案；在所述衬底和所述导电图案上形成介电层；以及去除所述介电层的一部分以暴露所述导电图案的上表面，而不消耗所述晶种层。
半导体封装结构制造方法

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