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[发明专利]一种显示面板及制作方法、显示终端-CN202111414305.3有效
发明人：欧阳齐;张家朝 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K59/38 文献下载
摘要：本申请提出了一种显示面板及制作方法、显示终端；该显示面板包括衬底、设置于衬底上且包括多个发光单元的发光器件层及设置于发光器件层上且包括多个滤光单元的彩膜层，其中，一个滤光单元与一个发光单元对应，滤光单元的侧面与衬底的夹角为80°至100°；本申请通过将彩膜层的多个滤光单元的侧面与衬底的夹角设置为80°至100°，既减小彩膜层由于边缘拔模角过大而对OLED光路造成的不利影响，而且使彩膜层的边缘拔模角稳定在90°上下的较小浮动区间内，从而可保持彩膜层的边缘拔模角良好的均一性，进一步改善显示面板的出光均匀性。
一种显示面板制作方法终端

[发明专利]触控显示面板及触控显示面板的制备方法-CN202011613805.5有效
发明人：欧阳齐;张家朝;祁泽栋 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控显示面板及触控显示面板的制备方法，该触控显示面板包括：薄膜封装层；第一金属层，设置于所述薄膜封装层上；第一过渡层，设置于所述第一金属层上且包括贯穿所述第一过渡层的至少一个搭接孔；第二金属层，设置于所述第一过渡层上且通过所述搭接孔与所述第一金属层电性连接；及绝缘层，设置于所述第一过渡层和所述第二金属层上。在所述触控显示面板的所述显示区中，本发明通过将所述第一金属层直接制备在所述薄膜封装层上，省略了第二过渡层，简化了一道制备工序、缩减了面板的膜层数量和厚度，缩短生产节拍时间，提高了生产效率，以及使触控显示面板轻薄化，提升了产品质量。
显示面板制备方法

[发明专利]显示面板、显示面板的制备方法及显示装置-CN202110229864.0有效
发明人：欧阳齐;张家朝 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。所述显示面板包括：栅极层；栅极绝缘层，部分设置于所述栅极层上；第一源漏电极层，设置于所述栅极层和所述栅极绝缘层上；第一金属层，设置于所述第一源漏电极层上；第一介电层，设置于所述第一金属层上；以及第二金属层，设置于所述第一介电层上。相较于现有技术，本发明通过不增设第二介电层，以使第一金属层直接沉积在薄膜封装层上，同时在端子区保留第一金属层，从而可以改善端子区处的第一源漏电极层的侧刻的问题；与此同时，去除端子区的第二源漏电极层，以降低端子区的高度，从而使改善端子区可能会出现短路的问题。
显示面板制备方法显示装置

[发明专利]显示面板及显示面板的制作方法-CN202210374883.7在审
发明人： 张家朝;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法通过对采用相同的金属氧化物半导体材料制成的第一电极和氧化物半导体层先后进行导体化处理，无需将金属氧化物半导体材料上方的栅极绝缘层和栅极金属层，就可以使由金属氧化物半导体材料制成的第一电极导体化，如此可以利用导体化的氧化物半导体层和位于其上方的栅极金属层形成存储电容，从而可以提升存储电容的电容值，改善由于存储电容的电容值不够导致的显示不良的问题。
显示面板制作方法

[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法-CN202210374932.7在审
发明人： 张家朝;吴健;欧阳齐 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。显示面板包括依次设置的阵列基板、阳极层、像素定义层、围栏层和阴极层，阵列基板包括依次设置的衬底基板和搭接层，搭接层包括搭接部，阳极层开设有第一开口并露出搭接部，像素定义层对应第一开口的位置开设有第二开口，围栏层包括围栏部，围栏部沿第二开口的边缘延伸，阴极层穿过第一开口和第二开口与搭接部电连接。本申请通过在像素定义层上设置围栏部，且围栏部沿第二开口的边缘延伸，使得在制作显示面板的过程中，围栏部能够起到支撑保护的作用，以便于搭接部的露出以及阴极层与搭接部的有效电连接，还能降低围栏部以外区域被刻蚀的风险，提高阴极层与搭接部的搭接效果。
显示面板显示装置制作方法

[实用新型]一种玻璃制品加工用镀膜设备-CN202123089540.6有效
发明人：毛小忠;张家朝;姚赛忠 -专利权人：浙江德润玻璃制品有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种玻璃制品加工用镀膜设备，包括有左右两个支架，两个支架上设置有抹平机构和镀膜机构；抹平机构上包括电机、转轴、承接辊、两个固定板、两个滑口、两个承接杆、两个滑块、抹平板和四个固定机构；镀膜机构包括传送机，回收槽、过滤板、抽液泵、输液管、集液箱和喷头。本实用新型在传送机上的玻璃板进行镀膜，多余的镀膜液会顺着导板落入回收槽，回收的镀膜液被过滤板过滤后进入储液箱，使得镀膜液可以再次利用，具有节省材料的优点。通过拉动限位块带动固定杆移动，同时弹簧产生拉力，当固定杆从卡槽中远离时，从而可以将抹平板拆卸，具有可以抹均并去多余镀膜液，更换内部抹平板的优点。
一种玻璃制品工用镀膜设备

[发明专利]检测电路、显示面板及检测方法-CN202011239560.4有效
发明人： 张家朝;杲皓冉 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种检测电路、显示面板及检测方法，该检测电路包括：多个薄膜晶体管；第一金属线，该第一金属线与所有的薄膜晶体管连接；多条第二金属线，每一条第二金属线与一个薄膜晶体管连接；第三金属线，该第三金属线与所有的第二金属线连接，第二金属线的延展性小于第一金属线和第三金属线的延展性，本申请所提供的检测电路可提高对显示屏是否碎裂进行检测的精准度。
检测电路显示面板方法

[发明专利]显示装置残影的测试方法-CN201810317846.6有效
发明人：阮伟文;张家朝;吴锦坤;胡君文;谢志生;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：一种显示装置残影的测试方法，包括：在t1～t2时间内，控制第一测试区域显示第一画面，控制第二测试区域显示第二画面，在t2～t3时间内，控制第一测试区域和第二测试区域均显示第一画面；分别采集t1～t3时间内第一测试区域的亮度L1随时间的变化值L1(t)、t1～t3时间内第二测试区域的测试参数Y2随时间的变化值Y2(t)；根据C(t)＝Y2(t)‑K*L1(t)，计算出在t1～t3时间内的去除噪音后的残影参数C随时间的变化值C(t)的值。由于Y2(t)和KL1(t)之差恰好去除了噪音，C(t)的值为去除噪音后的值，使得残影的测试结果不受噪音的影响。
显示装置测试方法

[发明专利]像素电路的驱动方法-CN201810299199.0有效
发明人：阮伟文;张家朝;吴锦坤;胡君文;谢志生;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：一种像素电路及其驱动方法及显示装置，其中，像素电路包括：驱动薄膜晶体管的控制极与电容的第一端连接，电容的第二端与第一电源端连接，驱动薄膜晶体管的第一极与第三薄膜晶体管的第一极连接，第三薄膜晶体管的控制极与第一扫描电压端连接，驱动薄膜晶体管的第一极还与第四薄膜晶体管的第一极连接，第四薄膜晶体管的控制极与控制电压端连接，第四薄膜晶体管的第二极与第一电源端连接，驱动薄膜晶体管的第二极与第五薄膜晶体管的第一极连接，第五薄膜晶体管的控制极与控制电压端连接，第五薄膜晶体管的第二极与发光二极管的阳极连接，发光二极管的阴极与第二电源端连接。上述像素电路，消除阈值电压的漂移，避免像素发光亮度的改变。
像素电路驱动方法

[发明专利]一种LTPS背板制作方法以及LTPS背板结构-CN201810034920.3有效
发明人：汤闻达;张家朝;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及LTPS制作技术领域，尤其涉及一种LTPS背板制作方法，包括以下步骤：将所述基板分为驱动区域和显示区域；在所述基板上淀积SiNX层，再蚀刻显示区域的SiNX层；在所述基板上再淀积SiNX层，令所述基板上的驱动区域和显示区域覆盖形成台阶状的SiNX层；在所述基板上淀积SiO2层，再蚀刻驱动区域的SiO2层；在所述基板上淀积SiO2层，令所述基板上的SiO2层呈平整的端面，令驱动区域SiNX/SiO2膜厚比大于显示区域SiNX/SiO2膜厚比。本发明的发明目的在于提供一种LTPS背板制作方法，采用本发明提供的技术方案解决了现有LTPS无法同时满足外围驱动区域的TFT具有良好的开关特性和像素显示区域的TFT具有较佳的均匀性和可靠性的技术问题。
一种 ltps 背板制作方法以及结构

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法-CN201610129011.9有效
发明人： 张家朝;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，第一光刻胶层的厚度大于第二光刻胶层的厚度；以光刻胶图案为掩模，对半导体层及第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理；除去第二光刻胶层；对第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；除去第一光刻胶层；在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成栅极。上述薄膜晶体管的制备方法，增加了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高了AMOLED的驱动性能。
薄膜晶体管制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置-CN201510167212.3在审
发明人： 张家朝;李建;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制作方法，包括：沉积非晶硅层的步骤；晶化处理，形成多晶硅层的步骤；形成有源层的步骤；形成沟道掺杂的步骤；碳离子注入的步骤；形成过孔的步骤；形成栅极绝缘层及栅极的步骤；形成源极及漏极的步骤。上述薄膜晶体管的制作方法可提高有源层的禁带宽度，进而降低了低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流。而且，还可降低低温多晶硅的可见光吸收系数，降低背光源产生的光致漏电流。此外，上述薄膜晶体管的制作方法，可适用于现有多晶硅薄膜晶体管生产线，无需增加光掩膜次数或更改生产设备，操作方法简单方便。本发明还提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。
薄膜晶体管及其制作方法阵列以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板与显示装置-CN201510167213.8在审
发明人： 张家朝;李建;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制作方法，包括：晶化前驱物的沉积步骤，所述沉积步骤采用化学气相沉积工艺，且在所述化学气相沉积工艺中以含碳气体及含硅气体为反应源；晶化步骤；形成有源层的步骤；形成栅极绝缘层及栅极的步骤；形成源极及漏极的步骤。上述薄膜晶体管的制作方法可提高有源层的禁带宽度，进而降低了低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流。而且，还可降低低温多晶硅的可见光吸收系数，降低背光源产生的光致漏电流。此外，上述薄膜晶体管的制作方法，可适用于现有多晶硅薄膜晶体管生产线，无需增加光掩膜次数或更改生产设备，操作方法简单方便。本发明还提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。
薄膜晶体管及其制作方法以及阵列显示装置

[发明专利]非晶硅沟道层、薄膜晶体管及沟道层的形成方法-CN201410713417.2在审
发明人： 张家朝;李建;任思雨;苏君海;黄亚清;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于薄膜晶体管的非晶硅沟道层、薄膜晶体管及沟道层的形成方法。用于薄膜晶体管包含掺杂硼的非晶硅沟道层，其中掺杂硼的非晶硅沟道层的暗电导率和电子激活能低于未掺杂硼的非晶硅沟道层，薄膜晶体管为n型薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极和沟道层，配置于所述基板上；栅绝缘层，配置于所述栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，分别接触所述沟道层的两侧。进行微量硼掺杂的非晶硅沟道层，补偿非晶硅材料中的类施主缺陷，降低其激活能，提高薄膜晶体管源漏极与沟道层间的势垒高度，从而降低薄膜晶体管漏电流；包括该掺杂硼的非晶硅沟道层的薄膜晶体管制造过程中，无需增加新的mask和更改生产设备。
非晶硅沟道薄膜晶体管形成方法

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