专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种建筑用混凝土墙板浇筑用辅助装置-CN202111525723.X有效
  • 张家宏 - 山西晋盛新型建材有限责任公司
  • 2021-12-14 - 2023-08-29 - E04G21/08
  • 本发明公开了一种建筑用混凝土墙板浇筑用辅助装置,包括振动机构、传动机构和驱动机构,所述驱动机构包括前罩壳、后罩壳和电机,前罩壳的开口端内侧壁固定连接有内接管,内接管远离前罩壳的一端螺纹插接在后罩壳的端部,电机通过螺栓固定在前罩壳和后罩壳内,电机输出端位于前罩壳的外部,电机的输出端键连接有连接轴,前罩壳的端部固定连接有连接管,连接管的外壁螺纹插接有转接管,连接轴通过轴承转动连接有轴板。本发明是一种建筑用混凝土墙板浇筑用辅助装置,装置可以对混凝土墙板浇筑后的混凝土浆进行振动除气泡,使得混凝土更加坚实,使得墙板达到预期目的。
  • 一种建筑混凝土浇筑辅助装置
  • [发明专利]发光二极管和发光装置-CN202310223001.1在审
  • 李维环;陈劲华;郭桓邵;彭钰仁;陈东坡;张家宏 - 泉州三安半导体科技有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-07-25 - H01L33/02
  • 本发明涉及半导体制造领域,具体涉及发光二极管和发光装置。本发明公开发光二极管和发光装置,所述发光二极管包括半导体外延叠层,具有相对的第一表面和第二表面,自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层,有源层和第二类型半导体层;所述有源层包含交替堆叠的阱层和势垒层,还包含一面对所述第二类型半导体层的上表面以及相反于上表面的底表面,其特征在于:还包含一位于有源层的底表面以下的n型掺杂物,其包含一浓度轮廓,该浓度轮廓包含一浓度为5E17/cm3的点A,该点A至有源层的底表面的距离为d1,所述d1的范围为150~500nm。本发明可有效控制n型掺杂物扩散进入有源层,提升有源层的晶体质量,提升发光二极管的发光亮度和发光效率。
  • 发光二极管发光装置
  • [实用新型]一种手术用清创装置-CN202223001711.X有效
  • 张家宏 - 烟台市蓬莱人民医院
  • 2022-11-10 - 2023-05-30 - A61M3/02
  • 本实用新型公开了一种手术用清创装置,属于普外科清创领域,包括底座和箱体,底座顶部的两侧均固定安装有支架,支架内腔的中端横向安装有横板,底座顶部的正面固定安装有转盘,转盘的顶部活动安装有伸缩柱,伸缩柱的顶部固定安装有放置座,放置座的顶部放置有清洗枪。本实用新型通过清洗枪的设置,可以直接通过手持清洗枪对各个部位的伤口进行清洗工作,且通过清洗枪内腔设置的微型泵机可以直接抽动消毒液后,通过喷头喷出消毒液进行清洗工作,且在清洗时,可以直接将收集盒取下置于伤口的底部,便于在清洗时对血水与消毒液进行收集,且在收集后可以直接通过斗体倒入回收箱内进行收集处理,保证了卫生性。
  • 一种手术用清创装置
  • [发明专利]发光二极管和发光装置-CN202211419345.1有效
  • 李维环;陈劲华;郭桓邵;彭钰仁;陈东坡;张家宏 - 泉州三安半导体科技有限公司
  • 2022-11-14 - 2023-04-07 - H01L33/02
  • 本发明涉及半导体制造领域,具体涉及发光二极管和发光装置。本发明公开发光二极管和发光装置,所述发光二极管包括半导体外延叠层,具有相对的第一表面和第二表面,自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层,有源层和第二类型半导体层;所述有源层包含交替堆叠的阱层和势垒层,还包含一面对所述第二类型半导体层的上表面以及相反于上表面的底表面,其特征在于:还包含一位于有源层的底表面以下的n型掺杂物,其包含一浓度轮廓,该浓度轮廓包含一浓度为5E17/cm3的点A,该点A至有源层的底表面的距离为d1,所述d1的范围为150~500nm。本发明可有效控制n型掺杂物扩散进入有源层,提升有源层的晶体质量,提升发光二极管的发光亮度和发光效率。
  • 发光二极管发光装置
  • [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211328340.8在审
  • 李维环;陈劲华;高鹏;宁甫阳;刘晓峰;彭钰仁;郭桓邵;王笃祥;张家宏 - 天津三安光电有限公司
  • 2022-10-27 - 2023-04-04 - H01L33/40
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其外延结构包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层;第一类型半导体层包括第一类型窗口层,第一类型窗口层的一侧设置有第一类型欧姆接触层;第一类型欧姆接触层的材料为Alx1Gay1InP,第一类型窗口层的材料为Alx2Gay2InP,第一类型欧姆接触层中Al的含量小于第一类型窗口层Al的含量。本发明提供的发光二极管,在外延结构材料为铝镓铟磷基础上,通过对第一类型欧姆接触层和第一类型窗口层的设计,降低第一类型欧姆接触层与第一类型半导体层之间的势垒高度,降低第一类型欧姆接触层和第一类型窗口层的本征波长,减少欧姆接触层和第一类型窗口层的吸光,解决发光二极管发光效率不足的问题。
  • 发光二极管发光装置
  • [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211295239.7在审
  • 李维环;陈劲华;彭钰仁;郭桓邵;张家宏 - 天津三安光电有限公司
  • 2022-10-21 - 2023-01-10 - H01L33/14
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置,发光二极管包括外延结构,外延结构沿第一表面到第二表面的方向依次包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层;第二类型半导体层至少包括第二覆盖层;第二覆盖层包括至少N1层子层,其中N1≥2,第二覆盖层的材料为Aly1Ga1‑y1InP,其中,Al组分的含量自第一表面至第二表面方向为先增大后保持不变。本发明通过第二覆盖层采用Aly1Ga1‑y1InP,Al组分的含量自第一表面至第二表面方向为先增大后保持不变,能够提升外延结构的晶体质量,提升发光二极管的电流扩展的均匀性且有效减少载流子的溢流情况,进而提升发光二极管的亮度与发光效率。
  • 发光二极管发光装置

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