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[发明专利]大功率激光器外延片及其制备方法-CN202211014373.5有效
发明人：单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种大功率激光器外延片的制备方法，包括以下步骤：以氢气为载气，在衬底上依次生长缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱有源层以及P型上波导层，且当所述P型上波导层的掺杂浓度大于1E17cm‑3且小于5E18cm‑3时，将所述载气由氢气切换为氮气或氩气；以及以氮气或氩气为载气，在所述P型上波导层依次生长P型上限制层以及P型欧姆接触层。本发明制备的大功率激光器外延片具有较高的性能和可靠性。本发明还提供了一种由所述制备方法制备的大功率激光器外延片。
大功率激光器外延及其制备方法

[发明专利]掩埋异质结结构及其制备方法、激光器-CN202210163029.6有效
发明人：单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩埋异质结结构及其制备方法、激光器，包括：在P型衬底层上依次生长外延层和图形化的N型光栅层，其中，外延层包括由下至上层叠设置的P型缓冲层、P型限制层、P型波导层、量子阱有源层、N型波导层、N型限制层和N型缓冲层；在图形化的N型光栅层上依次生长光栅掩埋层、牺牲层和图形化的硬掩膜层；通过图形化的硬掩膜层刻蚀牺牲层、光栅掩埋层、图形化的N型光栅层、外延层以及P型衬底的两侧，以形成两侧的台面；在各台面上生长电流限制结构，电流限制结构用于限制漏电流；去除图形化的硬掩膜层和牺牲层；在光栅掩埋层和电流限制结构的表面依次生长联接层、势垒层和欧姆接触层，以实现低阈值的掩埋异质结结构的制备。
掩埋异质结结构及其制备方法激光器

[发明专利]一种光电探测器结构及其制备方法-CN202211025168.9在审
发明人：单智发;张双翔;张永;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电探测器结构及其制备方法。探测器结构采用外延生长方法，其中，在(AlxGay)InAs层或AlInAs层生成后的预设时长内，停止外延生长，并向生长(AlxGay)InAs层或AlInAs层的反应室内通入N型杂质，所述反应室的温度先降低再升高；第二反射层中最靠近所述吸收层的层是AlInAs层，该AlInAs层的生长温度比第二反射层中的其它层低20℃以上。本申请能够使光电探测器中的反射层具有高反射率，提高光电探测器的量子效率，同时降低光电探测器的热阻。
一种光电探测器结构及其制备方法

[发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN202211012076.7在审
发明人：单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括：衬底；下限制层，设置在衬底上；量子阱有源层，设置在下限制层上；量子阱有源层包括AlGaInAs层；无源波导层，设置在衬底上，且至少位于量子阱有源层的出光侧；无源波导层包括非掺杂的InGaAsP层；上限制层，设置在量子阱有源层上；外限制层，设置在上限制层和无源波导层上。通过在量子阱有源层的出光侧设置包括非掺杂的InGaAsP层的无源波导层，由于InGaAsP材料不容易发生氧化，因此可以隔绝量子阱有源层和氧气，从而避免量子阱有源层发生氧化，进而提高了半导体激光器的工作寿命。综上，本发明提供的半导体激光器能够兼顾工作性能与寿命。
半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法-CN202211020024.4在审
发明人：单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有多个依次排布的器件区；相邻两个所述器件区之间具有隔离区；在所述隔离区的表面内形成深沟槽；在所述器件区的表面上形成外延层，基于所述深沟槽导致的外延生长速率不同，使得所述外延层位于所述器件区中间区域的部分与靠近所述深沟槽的边缘部分外延材料组分不同，且厚度不同，以形成非吸收窗口结构，在所述外延层上形成所述非吸收窗口层，减小了激光器的光学灾变损伤，且采用深沟槽的方式生长所述外延层，无介质膜影响量子阱生长质量，工艺简单可靠，成本低，从而有利于提高生长的外延层的质量。
一种半导体激光器及其制作方法

[发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN202211029678.3在审
发明人：单智发;张永;方天足;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括：衬底，衬底的底面上设置有间隔排布的多个凹槽，各凹槽内填充有导热结构；第一导电层，设置在衬底的顶面上，其中，底面和顶面相对；有源层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在有源层上，其中，第一导电层和第二导电层中掺杂的半导体的类型不同。通过凹槽使得衬底的散热性能更好，通过设置导热结构进行引热，将衬底内的热量导出，并且导热结构是填充在间隔排布的多个凹槽内的，从而能够使得器件的散热更加均匀，使得器件的各部分温度均匀，避免器件的局部温度过高。
半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种混合青贮饲料的切割装置-CN202210990446.8在审
发明人：李龙兴;张双翔;陈秀华;龚正发;杨波;王松 -专利权人：贵州省草地技术试验推广站
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： A01F29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合青贮饲料的切割装置，其结构包括把手、混合仓、顶盖、可视窗、进料口、出料口,把手连接在顶盖上，顶盖上连接有进料口，且连接在混合仓上，混合仓外安装有可视窗和出料口，在助力体上设有搭接件和分区装置，利用搭接件和分区装置在开铲上相配合，当切碎的植物受光面螺桨引导收拢拧结成股至中部的连杆上时，将会先从吸盘上抵触至叠加层，一起推挤在开铲上，使其边打开扩展其开口端，边借助搭接件滑动至分区装置上进行定点，让分区装置能够反向撬动开铲的对折结构倾斜向外打开，进一步限制植物的拧结方向和空间，保证其成股后能向外被二次切割，并顺利的过渡至搅拌板进行均匀混合，提高该装置制成成品的品质。
一种混合青贮饲料切割装置

[发明专利]一种低损耗DFB激光器及其制造方法-CN202210904506.X在审
发明人：单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗DFB激光器，该低损耗DFB激光器的外延结构上生长两层P‑AlGaInAs外延层，并通过芯片工艺氧化，形成P‑AlGaInAs氧化限制层，采用这种结构可使脊条的宽度较宽，可降低DFB激光器的欧姆接触电阻，采用氧化限制层调节可DFB激光器的光场宽度，同时利用氧化限制层折射率较低的特性，可压缩DFB激光器光场模式，降低光场在P‑InP脊波导中的比例，降低光吸收损耗。
一种损耗 dfb 激光器及其制造方法

[发明专利]光电探测器的制备方法及光电探测器-CN202211069833.4在审
发明人：单智发;张永;方天足;陈阳华;张双翔 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电探测器的制备方法及光电探测器，该方法包括：提供磷化铟衬底；在磷化铟衬底上表面依次生长出层叠的N型磷化铟缓冲层、N型磷化铟下欧姆接触层、铟镓砷磷过渡层、本征砷化铟镓吸收层和磷化铟窗口层；在磷化铟窗口层远离磷化铟衬底的表面渐变生长P型砷化铟镓上欧姆接触层，其中，P型砷化铟镓上欧姆接触层包括依次层叠设置的高速生长层、低速生长层和中速生长层，高速生长层的生长速率大于中速生长层的生长速率，中速生长层的生长速率大于低速生长层的生长速率。通过高速生长的方式降低InP和P‑InGaAs的反应时间，有效限制了在InP、P‑InGaAs之间形成InGaAsP材料。
光电探测器制备方法

[发明专利]一种高性能DFB激光器外延片及其制造方法-CN202111486126.0在审
发明人：李洪雨;张双翔;张永;单智发 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种高性能DFB激光器外延片，包括自下而上依次层叠设置的衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、上缓冲层、腐蚀阻挡层、包层、光栅制作层、二次外延层、势垒渐变层和欧姆接触层；所述光栅制作层设置于所述二次外延层中。本发明提出了一种高性能DFB激光器外延片及其制造方法，可以有效抑制激光器的空间烧孔效应，提升DFB激光器的边模抑制比，优化其光谱模式，提高了DFB激光器的产品良率，制造成本低。
一种性能 dfb 激光器外延及其制造方法

[发明专利]一种高性能低成本DFB激光器外延片及其制造方法-CN202111486160.8在审
发明人：李洪雨;张双翔;张永;单智发 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种高性能低成本DFB激光器外延片，包括自下而上依次层叠设置的衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、上缓冲层、腐蚀阻挡层、包层、光栅制作层、二次外延层、势垒渐变层和欧姆接触层；所述光栅制作层分为光栅区和非光栅区。本发明提出了一种高性能低成本DFB激光器外延片及其制造方法，可以有效抑制激光器的空间烧孔效应，提升DFB激光器的边模抑制比，优化其光谱模式，降低了光栅光刻版的制作要求，提高了DFB激光器的产品良率，制造成本低。
一种性能低成本 dfb 激光器外延及其制造方法

[发明专利]一种低暗电流高灵敏度光电探测器结构及其制造方法-CN202110920365.6在审
发明人：陈阳华;张双翔;张永;单智发;方天足 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种低暗电流高灵敏度光电探测器结构，包括外延片，该外延片包括InP衬底，所述InP衬底的上方由下往上依次沉积有缓冲层、下欧姆接触层、过渡层、吸收层和窗口层，所述窗口层的上方设置有上欧姆接触层和绝缘层；所述上欧姆接触层和所述绝缘层位于同一层，所述绝缘层分为两个部分且分别位于所述上欧姆接触层的两侧。本发明采用MOCVD选区外延工艺，制备出自带隔离槽和低侧面漏电结构的探测器外延片，减少复杂高精度的光刻套刻和刻蚀工艺，制程简化，良率高，成本低。
一种电流灵敏度光电探测器结构及其制造方法

[实用新型]一种用于羊的保定装置-CN202022959564.1有效
发明人：翁吉梅;毛凤显;杨齐心;张双翔;王松;谢玲玲;刘嘉;韩娥 -专利权人：贵州省畜禽遗传资源管理站
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： A61D3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于羊的保定装置，其包括由若干根横杆和竖杆纵横交错组成的围栏，在围栏的外侧设置有一食槽，围栏上横设有一可转动的转轴和用于限定转轴继续转动的主限位锁；转轴上等间隔活动连接有多个抵触杆，抵触杆可绕与转轴的连接处进行转动，并在转轴上设置有用于限定抵触杆继续转动的副限位锁；抵触杆的活动端安装有抵触板，并在抵触板上设置有软垫；抵触杆为长度可调的伸缩杆，抵触板位于相临两个竖杆之间。该用于羊的保定装置优化设计的，在羊进食过程中，能够适应于对不用体型的羊进行有效可靠的保定，提高保定效果。
一种用于保定装置

[发明专利]含佐剂基因的羊支原体肺炎二价核酸疫苗的构建方法-CN202110693336.0在审
发明人：程振涛;杨鹏;张双翔;岳筠;吴燕;袁林 -专利权人：贵州大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C12N15/85 文献下载
摘要：本发明公开了含佐剂基因的羊支原体肺炎二价核酸疫苗的构建方法，具体步骤如下：步骤一、Mo/Mmc基因组的提取：S1、Mo/Mmc贵州株的复苏与培养；S2、Mo/Mmc贵州株DNA的提取；步骤二、P113‑LppA‑IL‑2融合基因扩增：S1、粘膜免疫佐剂基因、绵羊肺炎支原体和丝状支原体山羊亚种抗原基因扩增；S2、P113‑LppA融合基因扩增；S3、P113‑LppA‑IL‑2融合基因扩增；步骤三、含粘膜免疫佐剂基因的羊支原体肺炎二价核酸疫苗的制备。本发明通过选择两个不同抗原基因和黏膜免疫佐剂基因研制出核酸疫苗，可有效针对羊支原体肺炎DNA疫苗免疫效果弱等问题，解决目前疫苗研发所面临的诸多问题。
佐剂基因支原体肺炎二价核酸疫苗构建方法

[发明专利]一种多病原羊支原体肺炎核酸疫苗的构建方法-CN202110694553.1在审
发明人： 张双翔;杨鹏;程振涛;岳筠;吴燕;袁林 -专利权人：贵州大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C12N15/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种多病原羊支原体肺炎核酸疫苗的构建方法，包括以下步骤：步骤一：Mo/Mmc基因组的提取；步骤二：MoP113/MmcLppA基因获取；步骤三：pVAX1‑P113‑LppA共表达载体的构建及在哺乳动物细胞中的表达。本发明在前期筛选出的羊肺炎支原体多表位抗原基因MoP113和MmcLppA基础上，通过基因工程方法构建出pVAX1‑P113‑LppA共表达载体，应用间接免疫荧光技术验证重组质粒在MDBK中的表达情况；本发明选择两个不同抗原基因研制出核酸疫苗，可有效针对Mo和Mmc感染引起的羊支原体肺炎提供免疫保护作用，解决目前疫苗研发所面临的诸多问题。
一种多病支原体肺炎核酸疫苗构建方法

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