专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种利用ROPUF芯片自身特性测温的方法-CN202110992744.6在审
  • 郭春生;祝孔岗;张仕炜;李浩 - 北京工业大学
  • 2021-08-27 - 2022-01-07 - G01K7/32
  • 本发明公开了一种利用ROPUF芯片自身特性测温的方法,可在线检测ROPUF芯片所处位置的实时温度。所述方法通过建立ROPUF芯片的自身特性——内部振荡频率与温度的线性关系,以实现温度测量。首先,将此ROPUF芯片上电配置并放置在温箱中,通过设置不同的温度,测量对应温度下ROPUF芯片内部环形振荡器的振荡频率;其次,将振荡频率和温度的关系进行线性拟合得到关于振荡频率的校温曲线;然后,在芯片实际的工况中,采集ROPUF芯片内部的振荡频率,根据此前拟合得到的校温曲线,将频率代入到拟合结果当中,计算出ROPUF芯片的实时温度。利用该方法,可以将ROPUF芯片用于温度测量方面,可有效减少额外的温度监控负载并实现对温度的实时测量。
  • 一种利用ropuf芯片自身特性测温方法
  • [发明专利]一种多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法-CN202011419747.2在审
  • 郭春生;魏磊;张仕炜;赵迪 - 北京工业大学
  • 2020-12-06 - 2021-04-23 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种模块内并联器件峰值芯片温度的无损测试方法,该方法通过构建特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇,实现对并联器件或模块的峰值结温测量。获得校温电流‑温度‑导通压降三维数据库,根据测试电流与并联器件数量,利用电流转换公式,得到特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇;利用曲线簇和测量得到器件工作状态测试小电流对应的导通压降,得出不同测试电流下的电流占比‑温度曲线;最后,根据不同测试电流下电流占比‑温度曲线交点,确定并联器件或模块的峰值结温和电流占比。利用该方法,可在成熟小电流压降法的基础上,无需增加额外设备,即可实现模块内并联器件峰值芯片温度的无损测量。
  • 一种芯片并联封装模块峰值无损测试方法

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