专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种测距激发式水下动态目标长距离选通偏振成像装置及方法-CN202210086232.8在审
  • 张云尧;赵武;张涵;戴扬;雷晓艺;廖晨光 - 西北大学
  • 2022-01-25 - 2022-05-17 - G01S17/89
  • 本发明公开一种测距激发式水下动态目标长距离选通偏振成像装置及方法,装置包括:激光测距模块、纳秒级脉冲光源、扩束照明模块、时延预校准模块、快照式偏振成像探测器、时间同步控制电路、图像预处理及传输电路和计算机终端;所述装置包括时间延迟预校准工作模式和激光测距激发式距离选通偏振成像工作模式两种工作模式,通过时间延迟预校准工作模式使得本发明能够适用于未知水域和工况;通过激光测距激发实现动态目标定位,通过长距离选通和偏振探测模块实现快照式清晰成像,解决目标光前向散射造成的模糊问题;本发明具有陌生水域自校准功能,具有水下非合作动态目标快速单帧成像能力,能够应用于海洋资源探测、水下军事目标探测等领域。
  • 一种测距激发水下动态目标长距离偏振成像装置方法
  • [发明专利]一种电浮硅无畸变异质DEHFET器件及其制备方法-CN202110920109.7在审
  • 廖晨光;雷晓艺;戴扬;张云尧;张涵;马晓龙;赵武 - 西北大学
  • 2021-08-11 - 2021-11-16 - H01L21/335
  • 本发明公开了一种电浮硅无畸变异质DEHFET器件及其制备方法,所述方法包括:制备离子注入后的P型衬底;在离子注入后的P型衬底上形成碳掺杂缓冲区;在碳掺杂缓冲区上形成碳掺杂电浮动区;在碳掺杂电浮动区上形成屏蔽区;在屏蔽区上表面中部形成介电区,使得屏蔽区的两端上表面未被介电区覆盖;在介电区上形成栅电极;通过离子注入在碳掺杂电浮动区和屏蔽区的两端制作源电极和漏电极;在栅电极上表面以及介电区和栅电极的侧面制作氮化硅膜区;在P型衬底底部开设阱槽并在阱槽中制备阱槽石墨烯。利用本发明方法制备的电浮硅无畸变异质DEHFET器件,能够减少漏电极热电荷,有效抑制漏电极暂态电流,从而使得引发器件逻辑错误的几率减小。
  • 一种电浮硅无畸变dehfet器件及其制备方法

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