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[发明专利]一种锗锑碲相变靶材及其制备方法与应用-CN202310951409.0在审
发明人：姚力军;潘杰;廖培君;黄东长;张怡忠 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗锑碲相变靶材及其制备方法与应用，所述锗锑碲相变靶材的制备方法包括如下步骤：锗锑碲合金粉经装模处理、真空热压烧结处理以及机加工处理，得到所述锗锑碲相变靶材；所述真空热压烧结处理包括依次进行的第一加压处理、第一升温处理、第一保温保压处理、第二升温处理、第二保温保压处理以及第二加压处理。本发明直接采用锗锑碲合金粉进行真空热压烧结，将真空热压烧结处理过程分为多级加压、升温及保温保压阶段，制得的锗锑碲相变靶材的内部组织结构优异，致密度与纯度较高，能够达到相变存储器对存储介质的要求。
一种锗锑碲相变及其制备方法应用

[发明专利]一种二氧化硅靶材及其制备方法和应用-CN202310992604.8在审
发明人：姚力军;潘杰;王佳乾;廖培君;杨慧珍 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明提供一种二氧化硅靶材及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：1)对二氧化硅靶坯、背板和焊料进行分段加热，然后对所述二氧化硅靶坯和背板进行浸润处理，使焊料分别浸润所述二氧化硅靶坯的焊接面和所述背板的焊接面；2)将浸润处理后的所述二氧化硅靶坯扣合在浸润处理后的所述背板上，并在所述二氧化硅靶坯的溅射面上放置压块加压，实现焊接；3)冷却，对焊接组件进行整平处理，得到所述二氧化硅靶材。本发明提供了一种操作简单且成本低的方法，不仅缩短了焊接周期，提高了焊接效率，使得焊接结合率≥97％，焊接后的平面度小于1mm，而且解决了靶材变形以及开裂问题。该二氧化硅靶材磁控溅射过程稳定，可满足使用要求。
一种二氧化硅及其制备方法应用

[发明专利]一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法-CN202311046387.X在审
发明人：姚力军;潘杰;黄洁文;廖培君;吴东青 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钽粉原料经脱氢处理后，进行氢气还原，得到低氧钽粉；所述低氧钽粉的氧含量≤300ppm；(2)所述低氧钽粉依次进行冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，得到半导体用低氧粉末冶金钽靶。本发明所述的制备方法操作简单，通过将钽粉原料进行氢气还原，控制钽粉中的氧含量≤300ppm，后续通过冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，解决了粉末冶金钽靶氧含量偏高的问题，具有大范围推广应用前景。
一种半导体低氧粉末冶金制备方法

[发明专利]一种金属氧化物靶材及其制备方法与应用-CN202310818953.8在审
发明人：姚力军;潘杰;杨慧珍;廖培君;周友平 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物靶材及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将金属氧化物、溶剂和粘结剂进行混合，得到混合料，将所述混合料进行压坯，得到生坯；将所述生胚进行加热脱脂，得到脱脂后坯；将所述脱脂后坯进行装模和真空热压烧结，得到所述金属氧化物靶材；其中，所述真空热压烧结包括依次进行的抽真空、一次升温、二次升温和三次升温，所述一次升温至第一温度时开始加压；所述制备方法通过步骤的相互配合，制备得到了致密度≥97％的高纯氧化物靶材，并且靶材不仅微观均匀致密，均匀无气孔，同时溅射性能优良。
一种金属氧化物及其制备方法应用

[发明专利]一种钛铌合金溅射靶材及其制备方法与应用-CN202310951388.2在审
发明人：姚力军;潘杰;廖培君;黄东长;张怡忠 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛铌合金溅射靶材及其制备方法与应用，所述钛铌合金溅射靶材的制备方法包括如下步骤：(1)球磨混合钛粉与铌粉，得到混合粉；(2)步骤(1)所得混合粉依次经夯实处理、真空脱气处理、预热处理、热等静压处理以及机加工处理，得到所述钛铌合金溅射靶材。本发明通过预先混合钛粉与铌粉，所得混合粉依次进行预热处理与热等静压处理，相较于直接进行热等静压处理，制得的钛铌合金溅射靶材致密度与纯度较高，且内部组织均匀，能够满足作为溅射靶材的高性能要求。
一种合金溅射及其制备方法应用

[发明专利]一种铬硅靶材及其制备方法和应用-CN202310824830.5在审
发明人：姚力军;潘杰;杨慧珍;廖培君;周友平 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种铬硅靶材及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将铬粉和硅粉混合后，进行一步真空退火处理得到一烧材料，对所述一烧材料进行二步真空退火处理，得到二烧材料；(2)对步骤(1)所述二烧材料进行研磨处理，装模后进行压实处理，得到装粉模具；(3)对所述装粉模具加压后进行一步真空煅烧处理得到生坯，对所述生坯进行二步真空煅烧处理后进行保温加压处理，冷却后脱模，得到所述铬硅靶材，本发明所述方法可制得致密度＞99％的铬硅靶材，所述铬硅靶材的微观均匀致密，气体含量低，成材率高(降低烧结开裂概率)且溅射性能优良。
一种铬硅靶材及其制备方法应用

[发明专利]一种钛铌合金靶材及其制备方法与应用-CN202310951307.9在审
发明人：姚力军;潘杰;廖培君;黄东长;张怡忠 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛铌合金靶材及其制备方法与应用，所述钛铌合金靶材的制备方法包括如下步骤：(1)混合钛粉与铌粉，得到混合粉；(2)步骤(1)所得混合粉依次经压实处理、真空热压烧结处理以及机加工处理，得到所述钛铌合金靶材；步骤(2)所述真空热压烧结处理包括依次进行的第一加压处理、第一升温处理、第一保温保压处理、第二升温处理、第二保温保压处理以及第二加压处理。本发明通过将真空热压烧结处理过程分为多级加压、升温及保温保压阶段，制得的钛铌合金靶材的致密度与纯度高，且内部组织结构优异，能够满足作为溅射靶材的高性能要求。
一种合金及其制备方法应用

[发明专利]一种电子束焊接方法-CN202310800160.3在审
发明人：姚力军;潘杰;廖培君;沈学峰;陈石 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B23K15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子束焊接方法，所述电子束焊接方法包括：对曲线焊缝进行一道次的电子束焊接；电子束焊接时的焦点深度≥10mm，线速度≤15mm/s，束流≥55mA。所述电子束焊接方法通过对电子束焊接时的焦点深度、线速度以及束流的调节，在对曲线焊缝进行电子束焊接时仅需要一道次的焊接，且能够使焊缝深度≥2mm，熔池宽度≥1mm，降低了曲线焊缝进行电子束焊接的成本，提高了曲线焊缝进行电子束焊接的效率。
一种电子束焊接方法

[发明专利]一种铬硅合金溅射靶材的制备方法-CN202210877583.0有效
发明人：姚力军;潘杰;杨慧珍;廖培君;黄东长 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)混合铬粉和硅粉，得到混粉料；(2)将步骤(1)得到的所述混粉料进行预烧处理，得到预烧坯；所述预烧处理包括依次进行的第一预烧、第二预烧和第一加压；(3)将步骤(2)得到的所述预烧坯进行烧结处理，得到所述铬硅合金溅射靶材。本发明提供的制备方法可以有效避免靶材出现开裂的问题，提高靶材的良品率，并且进一步提高靶材的致密度。
一种合金溅射制备方法

[发明专利]一种铬硅合金管状靶材的制备方法-CN202210665301.0有效
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;孙慧芳;吴东青;廖培君 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种铬硅合金管状靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)混合聚乙烯蜡粉和铬硅合金粉，得到混粉料；(2)将步骤(1)得到的所述混粉料进行冷压处理，得到压坯；(3)将步骤(2)得到的所述压坯依次进行第一烧结处理、第二烧结处理和降温处理，得到所述铬硅合金管状靶材。本发明提供的铬硅合金管状靶材的制备方法可以制备得到致密度好，良品率高，组织结构均匀的管状靶材，并且操作简单，可以工业化生产。
一种合金管状制备方法

[发明专利]一种钽硅氧化物溅射靶材的制备方法-CN202210578588.3有效
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;杨慧珍;廖培君;黄东长 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽硅氧化物溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)混合钽粉和二氧化硅粉，得到混粉料；(2)将步骤(1)得到的所述混粉料依次进行第一加压处理、第一热处理、第二热处理和第二加压处理，得到坯料；(3)将步骤(2)得到的所述坯料同时进行降温处理和减压处理，得到所述钽硅氧化物溅射靶材。本发明提供的制备方法所得钽硅氧化物溅射靶材具有较高的良品率、致密度和纯度，满足磁控溅射对靶材纯度、致密度和电阻率要求。
一种氧化物溅射制备方法

[发明专利]一种氧化硅陶瓷靶坯的制备方法-CN202210786566.6有效
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;杨慧珍;廖培君;黄东长 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化硅陶瓷靶坯的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：球磨混合二氧化硅粉、粘结剂和溶剂，得到喷雾造粒用料浆，再对喷雾造粒用料浆进行喷雾造粒得到球形混合粉末；所述球形混合粉末进行装模、真空热压并冷却得到所述氧化硅陶瓷靶坯；其中，所述真空热压包括依次四段升温和两段加压；所述制备方法采用真空热压烧结法制备出高纯度、高致密度、成材率高的氧化硅靶材，致密度＞99％，纯度≥99.99％，满足磁控溅射对靶材纯度、密度要求。
一种氧化陶瓷制备方法

[发明专利]一种铝钪合金靶材及其制备方法-CN202210397571.8有效
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;周友平;廖培君;陈石;沈学峰 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝钪合金靶材及其制备方法，所述制备方法包括：将金属铝和金属钪混合进行真空磁悬浮熔炼，得到铝钪合金熔体；将得到的铝钪合金熔体加入冷却模具进行冷却浇注，得到铝钪合金毛坯；将得到的铝钪合金毛坯进行热等静压处理，得到铝钪合金靶材。本发明所述方法根据金属组分的特性，采用真空磁悬浮熔炼的方式实现原料的充分合金化，保证合金的纯度和成分均匀性，再经冷却浇注得到规则形状的合金毛坯，最后经热等静压将合金致密化，使合金内部缺陷闭合，从而得到高纯度、成分均匀、氧含量及缺陷率低的铝钪合金，各项性能满足使用需求；所述方法操作简便，原料利用率高，可有效降低成本，工艺稳定，易实现大批量生产。
一种合金及其制备方法

[发明专利]一种锌靶材及其制备方法-CN202310698271.8在审
发明人：姚力军;潘杰;慕二龙;廖培君;周友平 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C22F1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种锌靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将含锌锭材依次进行一次锻造和一次热处理，然后重复所述锻造、热处理过程至少一次，再经冷轧和末次热处理，得到锌靶材。本发明所述方法根据靶材的材质选择合适的制备工艺，通过对锻造及热处理工艺的控制，尤其是重复进行锻造、热处理过程，优化靶材的内部组织结构，控制其再结晶过程及晶粒尺寸的均匀性，晶粒尺寸控制在50μm以下，从而能够提高靶材溅射时镀膜的均匀性，提高镀膜的质量；所述方法操作简单，所需成本较低，应用范围较广。
一种锌靶材及其制备方法

[发明专利]一种靶材与背板的焊接方法-CN202310926088.9在审
发明人：姚力军;潘杰;陈石;廖培君;慕二龙 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种靶材与背板的焊接方法，所述焊接方法包括以下步骤：(1)将经扩散焊接后的靶材组件依次进行精车和清洗，得到预处理靶材组件；(2)对步骤(1)所述预处理靶材组件的焊缝位置依次进行第一电子束焊接和第二电子束焊接。本发明在传统扩散焊接铝靶材组件的侧面焊缝位置施加二次电子束焊接，使靶材和背板在局部产生冶金熔合，消除扩散焊接缺陷，极大提高靶坯与背板结合的可靠性，同时解决了传统电子束焊接铝材料时易产生气孔、裂纹等缺陷的问题。
一种背板焊接方法

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