“库伯斯股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]将绝缘材料沉积到导电孔中的方法-CN201880054000.6有效
发明人：法比安·皮亚拉;朱利安·维蒂耶洛 -专利权人： 库伯斯股份有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：一种将材料层(4、5、6)沉积到基板(20)上的方法，包括：‑根据第一脉冲序列，通过第一喷射路径将具有这种绝缘材料的前体的第一化学物质气相喷射到化学气相沉积反应器的沉积室中；‑根据相对于所述第一脉冲序列有相位移的第二脉冲序列，通过第二喷射路径将具有适于与这种前体反应的反应物的第二化学物质气相喷射到所述沉积室中；‑在所述第一序列和第二序列中的至少一者的至少一次脉冲期间，依序产生所述第一化学物质和/或所述第二化学物质的等离子体，其中这样的等离子体是由应用于所述第一喷射路径和第二喷射路径的高频(HF)等离子体源和低频(LF)等离子体源产生的，所述低频(LF)等离子体源功率与所述高频(HF)等离子体源功率比大于1。
绝缘材料沉积导电中的方法

[发明专利]用于将气体输送到化学气相沉积反应器中的装置-CN201780059532.4有效
发明人：帕特里斯·纳尔;克里斯托弗·博雷安 -专利权人： 库伯斯股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将气体输送到化学气相沉积反应器中的气体循环装置(1)，其包括具有第一端(4)和第二端(3)的导管(2)，该第一端(4)旨在通到所述反应器并以射频电势(V)被极化，该第二端(3)以参考电势(V0)被电极化，该装置的特征在于它还包括用于施加电势的装置(10a‑10e)，用于在第一端和第二端之间向所述导管(2)局部地施加至少一个确定的电势，以便以在所述射频电势和参考电势之间的中间电势将所述导管中的气体局部地极化。
用于气体输送化学沉积反应器中的装置

[发明专利]用于化学气相沉积反应器的处理室及其中执行的热化方法-CN201880006293.0有效
发明人：帕特里斯·纳尔;克里斯托弗·博雷安 -专利权人： 库伯斯股份有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于化学气相沉积(CVD)反应器的处理室(C)，包括：系统(3)，该系统在限定处于局部真空下的封腔(E)的主体(B)内，该系统用于喷射反应性物质，以便沉积在被放置于支撑元件(5)上的基板(8)上；和热控制系统(2)，该热控制系统用于调节喷射系统(3)的温度或使喷射系统(3)的温度保持基本恒定，该热控制系统(2)具有与喷射系统(3)的界面区域(ZI)。处理室(C)在界面区域(ZI)中还包括至少一个热传递区域(ZT)，该热传递区域(i)通过将压力和污染物质的扩散隔离的隔离屏障而与处于局部真空下的封腔(E)隔离，并且(ii)填充有热界面材料(10)。应用于执行CVD沉积，特别是脉冲CVD沉积。
用于化学沉积反应器处理其中执行热化方法

[发明专利]用于去除布置在腔室中表面上的金属沉积物的方法-CN201780007347.0有效
发明人：法比安·皮亚拉;朱利安·维蒂耶洛 -专利权人： 库伯斯股份有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于去除布置在腔室(1)中表面(5)上的金属沉积物(2)的方法，所述方法包括反复进行包括以下阶段的序列：a)注入适合于氧化所述金属沉积物(2)的化学物质的第一阶段；和b)注入适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质的第二阶段，所述第二阶段b)在所述第一阶段a)之后进行。
用于去除布置中表面上金属沉积物方法

[发明专利]用于移除位于壳体中的表面上的金属沉积物的方法-CN201580040035.0有效
发明人：朱利安·维蒂耶洛;珍-卢克·戴尔卡里;法比安·皮亚拉特 -专利权人： 库伯斯股份有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于移除位于壳体中的表面上的金属沉积物的方法。所述方法包括以下步骤：步骤a)氧化金属沉积物；步骤b)注入适于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质，在步骤a)期间至少部分地实施所述步骤b)。所述移除方法的特征在于，在步骤b)中，根据脉冲序列注入化学物质。
用于位于壳体中的表面上金属沉积物方法

[发明专利]用于制造包括贯穿基板延伸的导电孔的互连部的方法-CN201780007371.4在审
发明人：朱利安·维蒂耶洛;法比安·皮亚拉 -专利权人： 库伯斯股份有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造包括贯穿基板(1)延伸的导电孔(V)的互连部的方法，所述方法相继地包括：(a)在所述基板的主表面(1A)上以及至少一个孔洞(10)的内表面(10A、10B)上沉积氮化钛或氮化钽层(11)，该至少一个孔洞延伸到所述基板的厚度的至少一部分内；(b)在所述氮化钛或氮化钽层(11)上沉积铜层(12)；(c)用铜填充所述孔洞(10)；所述方法的特征在于，在步骤(a)期间，基板(1)被布置在第一沉积室(100)内，并且在于所述步骤(a)包括：根据第一脉冲序列、经由第一喷射路径将气相的钛或钽前驱体喷射到沉积室内；以及，根据第二脉冲序列、经由与第一喷射路径不同的第二喷射路径将含氮反应气体喷射到沉积室内，所述第一脉冲序列和第二脉冲序列是有相位差的。
基板脉冲序列孔洞喷射路径沉积氮化钽层氮化钛导电孔互连部喷射延伸室内沉积铜层反应气体沉积室内表面前驱体铜填充相位差主表面贯穿制造