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[发明专利]一种高纯铝的纯化方法-CN202110087405.3有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C22B21/06 文献下载
摘要：本申请提供一种高纯铝的纯化方法，属于金属铝的提纯技术领域。纯化方法包括：在坩埚外加热使铝原料熔融成熔融铝液；将冷却管浸入熔融铝液中，向冷却管中通入冷却介质，使得高纯铝在冷却管表面析出，得到析出层；当析出层在冷却管的径向上的厚度达到第一预设厚度时，采用分离件围绕冷却管的轴线转动，以对熔融铝液进行搅拌；当析出层在冷却管的径向上的厚度达到第二预设厚度时，取出冷却管。其能够有效改善纯化率。
一种高纯纯化方法

[发明专利]一种靶材和背板的真空扩散接合方法-CN202011608222.3有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶材和背板的真空扩散接合方法，特点是包括以下步骤：1)将内置加热装置的金属包套整体预热到300‑400℃，然后放置在液压机机床上；2)将背板插入到金属包套的凹槽中，将靶材置于背板上表面中央，再在靶材上表面放置压块；3)将安装在液压机的机床上部的排气容器下降直至排气容器底部的橡胶密封圈压到液压机的机床内下部的压台上，将排气容器进行抽真空或充入惰性气体置换空气或者充入氢气置换空气；4)将靶材和背板加热到400‑700℃，在压块上表面施加压力，在该温度和压力下保持一段时间，取出接合率达99％以上的背板和靶材，即完成背板和靶材的真空扩散接合，优点是能避免接合面被氧化，进一步提高接合率。
一种背板真空扩散接合方法

[发明专利]靶材用铝合金铸锭及其制备方法、铝合金靶材-CN202110635037.1有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本申请涉及靶材制造技术领域，具体而言，涉及一种靶材用铝合金铸锭及其制备方法、铝合金靶材。该靶材用铝合金铸锭含有铝和一种添加元素。其中，铝合金铸锭中添加元素满足以下条件：添加元素在铝合金铸锭中的目标含量值为a wt％，在铝合金铸锭的横截面上多点取样检测多个样品中添加元素的含量得到多个添加元素含量值，多个添加元素含量值均在0.9a～1.1a wt％范围内。该靶材用铝合金铸锭的组织均匀，能够达到抑制溅射靶材在溅射工艺中异常放电的目的。
靶材用铝合金铸锭及其制备方法

[实用新型]靶材组件-CN202121968838.1有效
发明人：山田浩;林智行;广田二郎;中村晃;大岩一彦;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种靶材组件，包括：靶材和背板，背板设置于靶材的外围，靶材的溅射面相对于背板的前端表面凸出。本实用新型中的靶材组件及其制作方法，通过将背板设置于靶材的外围，由于背板没有在靶材的背面进行占位，溅射范围的厚度全部由靶材构成，所以间接使得靶材自身可以设置更厚的厚度，延长了靶材自身的使用寿命，因此与以往产品相比，能够将综合功率延长至寿命末期，实现靶材组件的长寿命化。
组件

[发明专利]高纯度铝纯化方法以及装置-CN202011316884.3有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本申请涉及金属铝提纯领域，具体而言，涉及一种高纯度铝纯化方法以及装置。该纯化方法包括以下步骤：对铝原料熔炼；在熔炼结束后向熔融铝中插入析晶冷却管以及分离部件；并使析晶冷却管旋转，分离部件环绕析晶冷却管旋转，且二者旋转方向相反。通过在熔炼结束后向熔融铝中插入析晶冷却管以及分离部件；并使析晶冷却管和分离部件反向旋转，能够有效地防止熔融铝随着析晶冷却管一起旋转，这样就加快了相对旋转速度，熔融铝往反方向旋转，从而能够使得浓化层变薄，纯化效率提高，进而能够使得析晶量增加。
纯度纯化方法以及装置

[发明专利]一种利用多转体实现超高纯铝纯化晶析的方法-CN201910450296.X有效
发明人：张瑾;广田二郎;周建波;叶翔 -专利权人：宁波锦越新材料有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C22B21/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用多转体实现超高纯铝纯化晶析的方法，其利用第一转体和第三转体转速低确保铝液液面不被带动，反向转动的第二转体与第三转体相互配合使得液面下铝液运动更加活跃确保晶析产物的质量和数量，也兼顾了液面稳定以及液面下的铝液运动更加活跃。
一种利用转体实现高纯纯化方法

[实用新型]一种用于熔融铝析晶纯化的冷却管组件及铝纯化装置-CN202121738744.5有效
发明人： 广田二郎;大岩一彦;林智行;山田浩;中村晃;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： F27D9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于熔融铝析晶纯化的冷却管组件，包括冷却管，冷却管内穿设内管，内管底端开口靠近冷却管底部，冷却管的底面为扩径的球形面。本实用新型还公开了一种铝纯化装置，包括：用于盛装熔融铝的坩埚；用于熔融铝析晶纯化的冷却管组件，用于插入坩埚内析出铝晶。内管内的冷却气体可直达冷却管底部，从而提高冷却管底部的热交换速率，加快熔融铝体相在冷却管表面的析晶速率，达到冷却管整体均匀析晶的目的。扩径球形面的设计增大了换热面积，同样提高了熔融铝体相在冷却管底部的析晶速率，达到冷却管整体均匀析晶的目的。
一种用于熔融铝析晶纯化冷却管组件装置

[实用新型]一种均匀析晶的铝纯化装置-CN202121738769.5有效
发明人： 广田二郎;大岩一彦;林智行;山田浩;中村晃;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种均匀析晶的铝纯化装置，包括：用于盛装熔融铝的坩埚；用于插入坩埚内析出铝晶的冷却管，其侧壁设有隔热层；冷却管插入坩埚内析出铝晶时，熔融铝靠近液面区域对应于隔热层所在位置。本实用新型通过在冷却管侧壁设置隔热层，并将隔热层位置与熔融铝靠近液面区域相对应，降低熔融铝靠近液面区域的热传递，进而减缓该区域的析晶速率，使之与熔融铝体相在冷却管表面的析晶速率接近，使铝晶在冷却管表面整体生长速率一致，实现均匀析晶。
一种均匀纯化装置

[发明专利]靶材组件及其制作方法-CN202110962008.6在审
发明人：山田浩;林智行;广田二郎;中村晃;大岩一彦;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶材组件及其制作方法，该靶材组件包括：靶材和背板，背板设置于靶材的外围，靶材的溅射面相对于背板的前端表面凸出。本发明中的靶材组件及其制作方法，通过将背板设置于靶材的外围，由于背板没有在靶材的背面进行占位，溅射范围的厚度全部由靶材构成，所以间接使得靶材自身可以设置更厚的厚度，延长了靶材自身的使用寿命，因此与以往产品相比，能够将综合功率延长至寿命末期，实现靶材组件的长寿命化。
组件及其制作方法

[实用新型]一种焊接夹具-CN202023255996.0有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种焊接夹具，属于压力容器焊接设备领域，包括焊接机主体和焊接枪，所述焊接枪包括所述焊接枪包括用于向其供给保护气体氩气的氩气供给装置；在所述焊接枪上设置有接头座，所述接头座通过和一氦气供给装置连接以用于向焊接枪提供保护气体氦气。本实用新型通过使用氩+氦混合气体的保护气体来提高电弧电流密度，结果，可以减少焊接热输入(焊接电流值)，减少工件由于焊接收缩引起的变形，将热影响部分显著减少，并防止应力腐蚀开裂。
一种焊接夹具

[发明专利]一种超高纯铝的多转体纯化晶析装置-CN201910450073.3有效
发明人：张瑾;广田二郎;周建波;叶翔 -专利权人：宁波锦越新材料有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C22B21/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高纯铝的多转体纯化晶析装置，所述多转体纯化晶析装置安装在坩埚（1）上方且下端伸入铝液液面下，其特征在于：所述纯化晶析装置的下端设置有第一转体（11）、第二转体（12）和第三转体（13），所述第一转体（11）位于所述第二转体（12）的正上方，所述第二转体（12）位于所述第三转体（13）的正上方并且三者都位于铝液液面下，所述第一转体（11）和所述第三转体（13）能够以相同的方向旋转，中间的所述第二转体（12）能够以相反的方向进行旋转；或者所述第一转体（11）、所述第二转体（12）和所述第三转体（13）同方向旋转。
一种高纯转体纯化装置

[实用新型]一种靶材和背板的扩散接合装置-CN202023288854.4有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种靶材和背板的扩散接合装置，涉及半导体技术领域，包括：排气容器、设置在排气容器内的金属包套、液压装置、以及进气装置和排气装置；金属包套内由下至上依次设有背板、靶材和压块，液压装置的压力作用于压块上使得背板与靶材结合；进气装置和排气装置可用于排气容器的抽真空或在排气容器内充入惰性气体或充入氢气；本实用新型通过将金属包套置于真空或惰性气体或氢气中的设置，来防止由于氧化引起的背板与靶材接合率降低的问题，并且通过实现重复使用能够起到降低成本的效果，实现多品种批量生产；对排气容器的抽真空或在排气容器内充入惰性气体或充入氢气，可使得接合率达99％以上；同时结合的背板与靶材具有金属光泽，外观上没有出现氧化的情况。
一种背板扩散接合装置

[发明专利]一种清洗半导体机台零部件的方法-CN201811133390.4有效
发明人：大岩一彦;姚科科;张瑾;广田二郎;兵藤芳温;吕培聪 -专利权人：宁波顺奥精密机电有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种清洗半导体机台零部件的方法，包括如下步骤：(1)配制清洗液；(2)浸泡半导体机台零部件；(3)采用擦擦克林伸入容器内，擦拭经步骤(2)浸泡后的半导体机台零部件；(4)经步骤(3)擦拭处理后，将半导体机台零部件转移到另一个干净容器内，将纯化水装入高压水枪后，对所述零部件表面进行冲洗；(5)确认经步骤(4)冲洗后的半导体机台零部件表面已无污染物残留即可。本发明的优点在于，本发明的方法低成本、易操作、毒性小，同时有效去除半导体机台零部件上的污染物，通过该方法清洗后的半导体机台零部件清洁度高，从而有效保障制作出来的芯片成品率高，无污染。
一种清洗半导体机台零部件方法

[实用新型]一种用于粉末烧结的振动填充夹具-CN202023262456.5有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： F27B21/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于粉末烧结的振动填充夹具，涉及半导体靶材粉末烧结技术领域，包括：烧结夹具、以及用于放置烧结夹具的振动台；烧结夹具内部填充有烧结粉末；振动台可将烧结粉末均匀填充在烧结夹具内，烧结夹具包括夹具本体、以及用于压紧夹具本体内烧结粉末的上夹板；本实用新型的用于粉末烧结的振动填充夹具通过振动台的设置，能够在短时间内均匀地实现烧结粉末的填充工作，烧结粉末填充工作时间从原来的人工工作1小时减少到现在的15分钟，并且填充的更加均匀，有效的降低了烧结体出现破裂的情况；并且，还能根据烧结粉末的类型和粉末颗粒大小，调节合适的振动频率和振动时间，具有更好的通用性。
一种用于粉末烧结振动填充夹具

[实用新型]一种溅射靶材检测装置-CN202023255979.7有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种溅射靶材检测装置，属于检测装置领域，包括夹具、间隔夹具设置的圆顶夹具和推动所述圆顶夹具的驱动部，其中在夹具的第一通孔上连通有氦气供给装置，其用于向所述靶材的内部容腔内供给氦气；在所述圆顶夹具上开设的第二通孔上连通有氦气检测装置，其用于抽取圆顶夹具和靶材之间形成的空间内的空气，并检测上述空间内的氦气有无。本实用新型的测试装置通过不使用用于固定靶材和夹具的螺钉，可以防止由于螺钉固定而引起的刮擦；另外，通过用液压缸上下移动圆顶夹具，可以容易且均匀地紧固圆顶夹具，并且通过调节液压压力每次可以容易地获得相同的紧固力。
一种溅射检测装置

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