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[发明专利]一种深紫外发光二极管结构及其制备方法-CN202111286135.5有效
发明人：李祈昕;刘宁炀;何晨光;陈志涛;赵维;吴华龙 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外发光二极管结构及其制备方法，包括从下至上依次叠加的衬底、缓冲层、具有台面结构的N型AlGaN层、多量子阱层、P型层，所述N型AlGaN层的台面结构上设置有N型金属电极，所述P型层上设置有P型金属电极，所述N型AlGaN层台面结构区域与N型金属电极之间设置有不连续成膜的微纳图形。深紫外发光二极管结构的制作方法中通过修复型ICP刻蚀对所述不连续成膜的微纳图形及露出的N型AlGaN层台面结构区域进行刻蚀，消除了刻蚀形成的表面态并修复刻蚀损伤，改善金属与N型AlGaN层的欧姆接触特性。
一种深紫发光二极管结构及其制备方法

[发明专利]填埋式三维扇出封装结构及其制备方法-CN202280017505.1在审
发明人：郑伟;燕英强;王垚;向迅;崔银花;凌云志;何思亮;胡川;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请公开了填埋式三维扇出封装结构及其制备方法。填埋式三维扇出封装结构的制备方法包括：提供多面管脚芯片，其中多面管脚芯片的管脚分布于多面管脚芯片的多个侧面的不同位置；基于多面管脚芯片制作芯片模块，芯片模块的管脚位于同一平面内；将芯片模块和另外的芯片以倒装的方式粘贴至临时载板，使得芯片模块的管脚和另外的芯片的管脚位于同一平面内并且与临时载板的同一表面相连；在临时载板的粘贴有芯片模块和另外的芯片的一侧形成塑封层，使得芯片模块和另外的芯片被嵌埋在塑封层中；去除临时载板，以使芯片模块的管脚和另外的芯片的管脚从塑封层的第一表面露出；在塑封层的第一表面上形成再布线层；以及在再布线层中的保护介电层的背离芯片模块和另外的芯片的一侧形成导电焊球和/或凸点，其中导电焊球和/或凸点穿过保护介电层而与导电布线层的上管脚电连接。
填埋式三维封装结构及其制备方法

[发明专利]扇出型封装结构及其制备方法-CN202280013573.0在审
发明人：燕英强;胡川;郑伟;凌云志;陈志宽;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开提供了一种扇出型封装结构及其制备方法。扇出型封装结构可以包括包封层和嵌埋在包封层中的天线射频模组组件和一个或更多个电子部件。天线射频模组组件包括射频基板以及布设在射频基板上的天线阵列和一个或更多个射频器件。天线射频模组组件嵌埋在包封层的第一侧，使得天线阵列从包封层的第一侧完全露出，并且天线射频模组组件的设置成与天线阵列位于射频基板同一侧上的管脚和电子部件的管脚位于同一平面内。扇出型封装结构还可以包括：设置于包封层的第一侧的表面上的第一再布线层，设置于包封层的第二侧的表面上的第二再布线层，以及设置于第二再布线层的与包封层相背的一侧上的导电焊球和/或凸点。第一再布线层构造成与天线射频模组组件的设置成与天线阵列位于射频基板同一侧上的管脚中的至少一部分管脚电连接以及与一个或更多个电子部件的管脚中的至少一部分管脚电连接。包封层中形成有用于将天线射频模组组件的设置在射频基板的与天线阵列相反的一侧上的管脚与第二再布线层电连接以及将第一再布线层与第二再布线层电连接的包封层互连导电柱。第二再布线层构造成与包封层互连导电柱电连接以及与导电焊球和/或凸点电连接。本公开的实施方式提供的扇出型封装结构及其制备方法能够有效减小射频模组的体积、降低射频模组的制造成本，并且还能够明显降低介电损耗，满足高频信号传输需求。
扇出型封装结构及其制备方法

[发明专利]增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法及应用其制备增强型氮化物HEMT的方法-CN202110389654.8有效
发明人：程川;刘宁炀;何晨光;李成果;陈志涛;李述体;姜南 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅及增强型氮化物HEMT的制备方法，其中，该p型氮化物栅的制备方法在制备p型氮化物栅时，先在势垒层和p型氮化物层之间采用热脱附温度高于p型氮化物层的热脱附温度的材料制备第一保护层，且其厚度范围设置为1nm‑5nm，再通过高温热脱附去除栅极区域以外的p型氮化物层；在对栅极区域以外的p型氮化物层进行高温热脱附之前，还在栅极区域的p型氮化物层上设置采用耐高温介质材料制备的第二保护层。在第一保护层和第二保护层的保护作用下，可以通过高温热脱附对栅极区域以外的p型氮化物层进行选择性刻蚀，从而可以实现可重复且一致性较好的刻蚀效果，而且可以保证增强型氮化物HEMT性能的可靠性。
增强 hemt 氮化物制备方法应用

[发明专利]一种量子点光转换器件及其制备方法-CN202111515363.5有效
发明人：邹胜晗;龚政;潘章旭;郭婵;王建太;胡诗犇;庞超;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种量子点光转换器件及其制备方法，涉及量子点领域。该制备方法包括：首先，提供一制备基底，并在制备基底上制备图案化的光刻胶印章，其中，图案化的光刻胶印章包括多个间隔设置的光刻胶柱；再者，在光刻胶柱表面制备金属薄膜，在金属薄膜上制备第一色彩聚合物薄膜；最后，提供一目标基底，将目标基底与光刻胶柱端部的第一色彩聚合物薄膜粘连，经过预设时间后，将光刻胶柱端部的第一色彩聚合物薄膜与金属薄膜剥离，以在目标基底的表面形成图案化的第一色彩量子点，形成单色量子点光转换器件。该方法不损害量子点材料的光学性能小，具有良好的适用性，可以根据需要制作微米级厚度的量子点，并且分辨率较高。
一种量子转换器件及其制备方法

[发明专利]投影物镜系统-CN202111483415.5有效
发明人：夏智锋;张志清;古志良;许毅钦;邢景超;李鸿;陈博谦;陈志涛;赵维 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种投影物镜系统，涉及光学器件技术领域，该投影物镜系统包括沿光路设置第一透镜群组、光阑、第二透镜群组以及分光器，从而构成了物镜系统本体，第一透镜群组的焦距f1与物镜系统本体的焦距f之比在22到23之间，且第二透镜群组的焦距f2与物镜系统本体的焦距f之比在2到3之间。通过对第一透镜群组和第二透镜群组的焦距比例进行限定，使得镜头成像质量更好，具体通过光学设计提高相对孔径值的同时，又能保证成像质量，对亮度有不少的提升。相较于现有技术，本发明结构精简，对物镜系统参数做出有效改进，以达到更小的畸变，更均匀的光场分布，更清晰的画质，同时物镜系统稳定，像差平衡优异，公差合理。
投影物镜系统

[发明专利]纳米图形衬底的制备方法-CN202111651524.3有效
发明人：刘宁炀;李祈昕;杨荣宜;曾昭烩;任远;何晨光;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米图形衬底的制备方法，其通过对依次设置在透明衬底上的透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥台形的第二孔洞和在透光层上形成第三孔洞；并通过去除第一掩膜，形成第一坯体，以及在第二孔洞和第三孔洞中制备第二掩膜，再对透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥形的第一凸起和在透光层上形成第二凸起的方式，在衬底上形成具有严格周期的图形，而且，由于在衬底上形成的图形的图案可以根据第二孔洞的设置实现，且刻蚀过程无需借助昂贵的专用设备，可以在不提高成本的基础上，在大尺寸的衬底上灵活地制备图案复杂的图形。
纳米图形衬底制备方法

[发明专利]一种肖特基势垒薄膜晶体管及制备方法-CN202310756763.8在审
发明人：李育智;龚政;邹胜晗;陈志涛;赵维 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种涉及半导体技术领域的肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管及制备方法，包括：基底、栅极层、栅介质层、金属氧化物半导体层、金属氧化物绝缘层和电极层，电极层包括源电极以及漏电极，采用非贵金属材料。绝缘层既作为半导体层的刻蚀阻挡层，又作为电极层与半导体层肖特基接触势垒的调控功能层。电极层部分与半导体层直接接触形成欧姆接触区或低肖特基接触势垒区，部分与金属氧化物绝缘层直接接触形成高肖特基接触势垒区，从而保证该肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管具有低饱和电压和高饱和输出电流的特性。该肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管具有结构简单、制备成本低、电学特性优异等优点。
一种肖特基势垒薄膜晶体管制备方法

[发明专利]实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用-CN202310748247.0在审
发明人：何晨光;张康;刘宁炀;吴华龙;廖乾光;刘云洲;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用，涉及半导体器件技术领域。通过在蓝宝石衬底表面形成凹陷区和凸起区，且在凸起区上形成Si介质层和高Al含量的预缓冲层，由于凸起区之间相互独立，使得Al基材料在Si介质层上生长时能够释放应力，避免出现缓冲层开裂或表面粗糙的情况，然后将生长得到的预缓冲层进行高温退火，缓冲层的Al基材料重结晶，晶格重新排列，从而获得质量更好的缓冲层。此外，通过形成相互连通的网状凹陷区，使得在剥离衬底时，剥离剂能够在网状凹陷区内相互流通，并腐蚀凸起区与衬底接触的Si介质层，从而使得缓冲层与衬底迅速剥离，剥离方法简单，剥离成功率高。
实现衬底重复利用器件制备方法及其应用

[发明专利]用于柔性电磁屏蔽纸的电磁屏蔽模板及其制备方法、柔性电磁屏蔽纸及其制备方法-CN202310585258.1在审
发明人：凌云志;刘欣;胡川;燕英强;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于柔性电磁屏蔽纸的电磁屏蔽模板及其制备方法、柔性电磁屏蔽纸及其制备方法，电磁屏蔽模板包括临时载板；设置在临时载板上的电磁屏蔽单元，电磁屏蔽单元包括至少两个导电纳米线模块，所有的导电纳米线模块均相对临时载板朝向一特定方向倾倒，且倾倒的导电纳米线模块在特定方向上依次相互搭接以形成能够完全覆盖其限定的屏蔽区域的导电网络结构。由此，电磁屏蔽单元能够完全覆盖其限定的屏蔽区域，不会产生电磁泄露；同时，由于构成电磁屏蔽单元的依次排布的导电纳米线模块通过部分堆叠搭接形成导电网络结构，使得电磁波在其中的传播路线延长，从而获得更多折射和反射的机会，增强了电磁波的逐层衰减，提高电磁屏蔽效果。
用于柔性电磁屏蔽模板及其制备方法

[发明专利]纳米多孔氮化钒材料及其制备方法和储能器件-CN202111617973.6有效
发明人：刘博天;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明公开了纳米多孔氮化钒材料及其制备方法和储能器件。制备方法，包括：采用电解的方式，以钒金属片作为阳极，利用阳极氧化作用在钒金属片上形成多个纳米孔洞得到纳米多孔结构的中间材料；将纳米多孔结构的中间材料与含氮物质反应得到纳米多孔氮化钒材料；用于电解的电解液中包括浓度为0.01‑0.1mol/L的硼酸根离子、浓度为0.1‑0.5mol/L的氟离子以及浓度为0.01‑0.1mol/L的钛离子。纳米多孔氮化钒材料，采用上述方法制得。该材料具有大的比表面积和高的电导率，在低电位下具有好的可逆储存。储能器件，包括上述纳米多孔氮化钒材料。
纳米多孔氮化材料及其制备方法器件

[发明专利]增强型功率半导体器件结构及其制备方法-CN202011543478.0有效
发明人：曾巧玉;李成果;姜南;尹雪兵;葛晓明;曾昭烩;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型功率半导体器件结构及其制备方法，其中，该器件包括具有2DEG的异质结；位于异质结上方的源电极、具有台阶式结构的p型栅和漏电极；以及设置于p型栅上的栅电极；台阶式结构中的至少部分台阶段是以p型栅的厚度最大的台阶段为起始点向漏电极侧延伸的减薄台阶段，栅电极设置于p型栅的厚度最大的台阶段上，且厚度最大的台阶段的厚度设置成能够使得位于栅电极下方的异质结中的2DEG耗尽。本发明的技术方案缩小了相邻台阶段下方的异质结中的2DEG密度差距，尤其是p型栅漏电极侧的异质结与相邻处台阶段下方的异质结中的2DEG密度差距，避免了栅漏间电场因存在2DEG密度陡变的界面会导致击穿电压降低的问题。
增强功率半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]硅衬底上生长氮极性Ⅲ族氮化物半导体薄膜的制备方法-CN202011645368.5有效
发明人：李成果;尹雪兵;曾巧玉;葛晓明;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种硅衬底上生长氮极性III族氮化物半导体薄膜的制备方法，其包括以下步骤，步骤S1：在硅衬底上制备硅的共晶合金层；步骤S2：在硅的共晶合金层的表面生长氮极性的氮化铝层。该共晶合金层使得生长在其之上的III族氮化物薄膜优先按氮极性原子结构排布，从而控制薄膜生长的氮极性，实现在硅衬底上原位生长氮极性III族氮化物半导体薄膜及氮极性高电子迁移率晶体管。
衬底生长极性氮化物半导体薄膜制备方法

[发明专利]SAW滤波器芯片封装结构、其制备方法及电子设备-CN202110075450.7有效
发明人：向迅;郑伟;燕英强;胡川;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种SAW滤波器芯片封装结构、其制备方法及电子设备，涉及芯片封装领域，SAW滤波器芯片封装结构包括基板、倒装于基板且与基板电性连接的芯片、基板与芯片之间形成的空腔层、包覆芯片和空腔层且在基板上延伸的绝缘层、设置于绝缘层背离基板一侧的金属种子层和设置于金属种子层背离绝缘层一侧的金属散热层。本SAW滤波器芯片封装结构及对应的方法和设备通过在芯片远离基板的一侧依次设置绝缘层、金属种子层和金属散热层，可以有效增大芯片的散热面积，从而提高芯片封装后的散热效率，利于SAW滤波器芯片的小型化和超薄化封装。
saw 滤波器芯片封装结构制备方法电子设备

[发明专利]便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用-CN202310578228.8在审
发明人：贺龙飞;赵维;李娟;何晨光;高轮添;刘宁炀;吴华龙;陈志涛 -专利权人： 广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用，其中，便于探测的紫外发光芯片包括依次设置的电子传输层、复合有源区和电子阻挡层；其中，复合有源区包括依次设置的可见光量子阱区和深紫外量子阱区，且可见光量子阱区设在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，以使复合有源区在正向电流注入下能够同时发射可见光和深紫外光。本发明通过将可见光量子阱区设置在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，使得可将光量子阱区产生的可见光在经过深紫外量子阱区时也不会被吸收，不会影响深紫外量子阱辐射深紫外光。
便于探测紫外发光芯片制备方法应用

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