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[实用新型]IC控制氮化镓MOS的堆叠结构-CN202321124626.4有效
发明人：杨振;蔡择贤;陈勇;曹周;张怡;曾文杰;桑林波;王仁怀;孙少林 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开一种IC控制氮化镓MOS的堆叠结构，包括框架本体和包覆在框架本体上的塑封体，框架本体具有基岛和若干第一引脚，基岛的上表面设有GaN MOS芯片，GaN MOS芯片上设有若干相互电气隔离的第一重布线，第一重布线的一端通过金属线与对应的第一引脚电性连接，GaN MOS芯片的上方倒装堆叠有IC芯片，IC芯片的下表面电性连接有若干第一凸柱，第一凸柱的下端与对应的第一重布线的另一端电性连接，GaN MOS芯片上还设有G极，IC芯片的下表面电性连接有第二凸柱，第二凸柱的下端与G极电性连接，实现IC芯片和GaN MOS芯片堆叠合封到一个塑封体中，减小半导体器件体积和内阻，只需单次合封成型，降低生产成本。
ic 控制氮化 mos 堆叠结构

[实用新型]一种金属夹堆叠芯片封装结构-CN202321189466.1有效
发明人：雷楚宜;陈勇;曹周;张怡;曾文杰;桑林波;王仁怀;孙少林 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型公开一种金属夹堆叠芯片封装结构，包括框架本体和包覆在框架本体上的塑封体，框架本体具有基岛以及相对设置的第一引脚和第二引脚，基岛位于第一引脚和第二引脚之间，基岛的上表面设有第一芯片，第一芯片的上方设有一金属夹，金属夹包括平板部和设于平板部两端的第一连接部和第二连接部，平板部的两端分别延伸至第一引脚和第二引脚的上方，第一连接部与第一引脚电性连接，第二连接部与第二引脚电性连接，平板部的下表面与第一芯片的上表面电性连接，平板部的上表面堆叠有第二芯片，第二芯片的下表面与平板部非电性连接，本实用新型使金属夹与框架本体连接更稳定，防止金属夹旋转，避免金属夹上的芯片堆叠出现位置偏差，可靠性好。
一种金属堆叠芯片封装结构

[发明专利]双面打线的键合、倒装组合堆叠芯片结构及制备方法-CN202310705441.0有效
发明人：蔡择贤;曹周;陈勇;桑林波;张怡;孙少林;王仁怀;雷楚宜;曾文杰;卢茂聪 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供了双面打线的键合、倒装组合堆叠芯片结构及制备方法，涉及半导体技术领域，芯片结构包括第一裸片及化合物层，第一裸片下表面设置第二裸片，第一裸片上表面设置第三裸片，第一裸片下表面设置若干第一金属凸块，第一裸片内设置若干硅通孔，硅通孔两端分别贯穿第一裸片上下两侧，硅通孔上下两端分别设置第三金属凸块与第二金属凸块，第二裸片通过第二引线与第二金属凸块下端连接，第三裸片通过第三引线与第三金属凸块上端连接。本发明中，第二裸片与第三裸片分别设置在第一裸片两侧，缩短了裸片间的距离，从而缩短了裸片间的连接线路，降低了连接电阻，使得信号延迟减少，具有较好的高频率特性，提高了产品的电性能。
双面倒装组合堆叠芯片结构制备方法

[实用新型]一种适用于MSOP8的测试压盖-CN202320278226.2有效
发明人：官朝伟;刘志业;陈彪;简泓丞;陈勇;张怡;蔡择贤 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于MSOP8的测试压盖，涉及芯片测试技术领域，包括测试座，测试座为芯片测试调试设备上的一个用于与芯片对接的结构，且测试座上设置与芯片引脚对接的结构，从而使测试座形成SOCKET接口，实际使用时，将MSOP8封装芯片放置在测试座上建立连接后，即可利用芯片测试调试设备对芯片进行测试调试，测试座的上方设置有支撑架，支撑架的内部设置有螺纹杆。本实用新型通过将芯片放入至测试座上，而后旋转螺纹杆，使其下移，利用抵压柱的底端抵住芯片的背面，即可使芯片与测试座建立稳定的连接，且无需操作人员手按芯片，在保证芯片稳定的测试的同时，也能减少操作人员的劳动，从而有效的提高了MSOP封装芯片测试调试的效率。
一种适用于 msop8 测试压盖

[发明专利]一种增强散热的盖板封装结构及其制备方法-CN202310718302.1在审
发明人：蔡择贤;曹周;陈勇;桑林波;张怡;孙少林;王仁怀;雷楚宜;曾文杰;卢茂聪 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强散热的盖板封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，封装结构包括引线框架，引线框架上设置基岛与若干管脚，基岛上表面通过第一结合层与管芯下表面的下电极连接，管芯与管脚之间设置侧壁连接板，侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板另一端通过折弯与管脚连接，管芯上方设置封装盖板，管芯上表面的上电极通过第二结合层与封装盖板下表面连接，封装盖板上端外周设置凸缘，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板上表面连接。本发明中，封装盖板与若干侧壁连接板形成密闭空间封装管芯，封装盖板采用导热材料制成，管芯热量通过封装盖板传递至外界环境中，提高了封装结构的散热效果。
一种增强散热盖板封装结构及其制备方法

[发明专利]一种大功率器件的封装结构和方法-CN202310580845.1有效
发明人：曹周;桑林波;陈勇;张怡;孙少林;蔡择贤;王仁怀;雷楚宜;曾文杰;唐朝宁;卢茂聪 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种大功率器件的封装结构和方法，涉及芯片封装技术领域，包括基岛、芯片、塑封体及引脚，基岛上粘接若干芯片，若干芯片之间通过第一金属线连接，基岛上设置弹性材料层，弹性材料层包覆在芯片及第一金属线外围，弹性材料层及基岛外围包覆塑封体，塑封体上开设通孔，通孔一端与塑封体外部连通，通孔另一端延伸至弹性材料层外部，引脚一端嵌埋于塑封体内并通过第二金属线与芯片连接，引脚另一端延伸至塑封体外部。本发明中，通过弹性材料层覆盖芯片及第一金属线，产品工作时，弹性材料层能够吸收温度循环时因热膨胀系数不匹配而产生的内应力，大幅度降低易分层截面的应力，解决界面分层问题，大幅度提升产品使用寿命。
一种大功率器件封装结构方法

[实用新型]一种切筋刀具-CN202320142457.0有效
发明人：柯文雄;李宁;饶阳帆;谭育华;高爽;王晓斌 -专利权人： 广东气派科技有限公司;东莞职业技术学院
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B21D28/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种切筋刀具，包括刀具本体，刀具本体下端设有若干个用于冲切连筋的刀刃，刀具本体两侧的刀刃与中间的刀刃不在同一个平面上。本实用新型通过设置刀具本体两侧的刀刃与中间的刀刃不在同一平面上，先切一边管脚的连筋，后切另一边管脚的连筋，这样错开冲切使连筋冲切后竖着掉下废渣盒，从而使连筋不可能卡在管脚间，避免造成连筋未掉落异常。
一种刀具

[实用新型]一种缓冲式新型取产品、刀具工具-CN202320225361.0有效
发明人：柯文雄;雷楚宜;谭育华;覃宗砝;黎振杰;龙拔琨;胡盼林;杨堆鹏 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B25B28/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种缓冲式新型取产品、刀具工具，涉及夹取装置技术领域，包括握柄，握柄的底部设置有固定夹片和活动夹片，固定夹片与握柄固定连接，活动夹片的顶端设置有斜角部，斜角部的顶端转动连接在握柄的内部，握柄的内部滑动设置有T形杆，T形杆的顶端设置有压柄，压柄向上延伸出握柄，并与握柄滑动配合，T形杆的底端延伸至斜角部处，并与斜角部活动连接。本实用新型通过手握握柄，按压压柄，即可使T形杆下移，并推动斜角部夹紧，由于手持握柄即可进行夹取操作，从而可以使握柄下方留出安全空间，避免手部误碰刀具或产品而造成损伤，能在狭小的空间内使用该工具，弥补老式镊子只能在宽阔空间的缺点。
一种缓冲新型产品刀具工具

[发明专利]改善大功率GaN芯片塑料封装热应力的封装结构及方法-CN202310145817.7有效
发明人：郑雪平;曹周;蔡择贤;陈勇;许龙贵;黄炜源;张怡;豆保亮 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善大功率GaN芯片塑料封装热应力的封装结构及方法，包括：散热板和板体，所述散热板上设有芯片和引脚，所述芯片和引脚的上方间隔设有板体，所述板体通过连接体与散热板连接，所述散热板、板体、芯片以及引脚的部分表面通过塑封体封装。通过建立封装结构的三维模型并对其进行热应力分析，板体的设置能够有效降低芯片表面的热应力，并且选用弹性模量和热膨胀系数合适的板体，改善了常规大功率高散热需求的GaN芯片塑料封装由于封装结构各组合材料热膨胀系数不匹配引起的分层问题，大大降低了GaN芯片两端的热应力，保证了器件使用的稳定性。
改善大功率 gan 芯片塑料封装应力结构方法

[发明专利]一种大功率射频器件增强散热的封装结构及制备方法-CN202310199877.7有效
发明人：豆保亮;曹周;陈勇;蔡择贤;李佛琳;黄炜源;张怡;郑雪平 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，包括：芯片本体、上散热器、下散热器，芯片本体上端设置有上散热器，芯片本体下端设置有下散热器，上散热器与下散热器通过塑封壳封装，上散热器与下散热器延伸出塑封壳之外。芯片工作产生的热量通过上下散热器传出，散热效率大大提升。多个芯片连接柱可以适用多颗芯片封装，同时粘接胶选用高导热性绝缘胶增加对不同类型芯片的适用性。凸起设计增加散热器与塑封料的结合度，同时减少外界湿气对芯片的腐蚀增加封装电气隔离，使芯片可靠性大大提升。连接柱与散热器选用铜材料、铜‑石墨烯复合材料或者石墨烯材料，相比于塑封材料其导热性能大大提升。
一种大功率射频器件增强散热封装结构制备方法

[发明专利]exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法-CN202111199466.5有效
发明人：陈勇;汪婷;张怡;梁大钟;王晓斌;熊丽萍;高爽 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法，其中，封装结构包括内核、散热片和铜柱，所述铜柱与内核电连接，所述散热片位于QFN/LGA的封装后的底部且与内核贴合，所述铜柱由与内核电连接处延伸至QFN/LGA的封装后的顶部。制造方法包括：在QFN/LGA的散热片周边间隔布置铜柱，且铜柱向散热片外侧暴露面的相反方向延伸第一距离；将内核贴合在散热片的内侧；将内核与铜柱进行电连接；将散热片、内核和铜柱封装成一体；进行抛光处理，使得散热片与铜柱分别暴露在QFN/LGA封装后的底部和顶部。本发明的散热片与exposed lead不在同一面，可以原将PCB板的散热片区域节省下来，使PCB板小型化和集成化程度更高，让PCB板在大小不变的情况下实现更多的功能。
exposed lead 顶部引出 qfn lga 封装结构及其制造方法

[发明专利]一种GaN芯片的封装结构-CN202310507410.4在审
发明人：曹周;杨振;陈勇;饶锡林;孙少林;张怡;易炳川;蔡择贤;黄乙为;桑林波;王仁怀 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN芯片的封装结构，包括框架基岛、框架引脚、GaN芯片、控制芯片和塑封体，GaN芯片为场效应管，GaN芯片正装固定在框架基岛上，控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的多个控制引脚分别与GaN芯片的G极、框架基岛和框架引脚直接焊接固定。本发明用了创新型的3D堆叠结构，先把控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，然后将控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的控制引脚与GaN芯片的G极连通距离大幅缩短，而且铜柱的导电面积大，产生的自感电感极小，对GaN芯片开关速度影响大幅减小，从而使GaN芯片充分发挥效能。
一种 gan 芯片封装结构

[实用新型]一种功率器件框架新型扣胶结构-CN202320066498.6有效
发明人：斯毅平;曹周;郑雪平;陈勇;黄源炜;蔡择贤;张怡 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件框架新型扣胶结构，涉及半导体封装结构技术领域，包括框架结构和塑封结构，框架结构包括基岛部分和引脚部分，塑封结构为塑封料，塑封料成型在基岛部分和引脚部分的外部，基岛部分处设置有基岛外露面，基岛部分与塑封料之间形成分层界面，基岛部分底部的外侧设置有底部打凹挤出结构。本实用新型通过增加顶部打凹挤出结构，使底部打凹挤出结构与V形槽结构之间形成双向扣合区，塑封料成型后在底部打凹挤出结构和顶部打凹挤出结构之间形成双向扣合结构，以加强塑封料与基岛部分之间的连接强度，进而可以不减少基岛有效面积，在加工上亦不增加成本，且极大的提高产品的扣胶能力。
一种功率器件框架新型胶结

[实用新型]一种小尺寸无引线封装结构-CN202320074611.5有效
发明人：曹周;陈勇;张怡;蔡择贤;郑雪平;孙少林 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种小尺寸无引线封装结构，包括框架、MOS芯片、铜夹和塑封料，所述MOS芯片倒装地固定在框架上，所述铜夹一端焊接在框架上，另一端焊接在MOS芯片上，所述塑封料用于包裹框架、MOS芯片和铜夹。所述小尺寸无引线封装结构采用倒装封装结构来代替传统的打线工艺，把MOS芯片倒装地固定在框架上，然后再用铜夹连接框架和MOS芯片上，无论是输入电流，还是输出电流都得到大幅提高，整个封装产品的电流通过能力大增，更符合市场的需求和发展趋势。
一种尺寸引线封装结构

[发明专利]一种GaN产品上ESD现场管控方法-CN202210019131.9有效
发明人：刘方标;李德朋;陈勇;舒小兵;饶锡林;易炳川;黄乙为 -专利权人： 广东气派科技有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN产品上ESD现场管控方法，包括：获取基于切割分离旧流程下GaN产品与UV膜分离过程中对所述GaN产品所产生的第一静电影响；基于所述第一静电影响，重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境，并优化所述切割分离旧流程；获取基于优化后得到的切割分离新流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中对所述GaN产品产生的第二静电影响，并基于所述第二静电影响，对ESD现场管控作业进行评估，本发明实现了在GaN产品与UV膜分离过程中，有效控制UV膜产生的静电对GaN产品产生冲击，进而提升GaN产品量产良率。
一种 gan 产品 esd 现场方法

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