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[发明专利]一种半导体封装结构及发光装置-CN202211665676.3在审
发明人：李文博;汤乐明;杨勇;张智聪;李光辉;黄辉杰;汤文君 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装结构及发光装置，其中，半导体封装结构包括基座、紫外发光芯片和含氟透光层；基座设有凹槽；紫外发光芯片设于凹槽的底部；含氟透光层位于凹槽内；含氟透光层覆盖于紫外发光芯片上。本发明的技术方案通过在凹槽内设置覆盖于紫外发光芯片上的含氟透光层；由于含氟透光层远离紫外发光芯片的一侧形成有空气层，而含氟透光层的透射率高于空气层的折射率，含氟透光层可增加光线射入至含氟透光层后进入空气层的光量；因此，含氟透光层具有提高紫外发光芯片光提取率的作用，进而实现提升半导体封装结构的整体发光亮度的目的。
一种半导体封装结构发光装置

[发明专利]可降低泄露电流的III族氮化物晶体管结构及其制作方法-CN202111577242.3在审
发明人：魏星;张晓东;赵德胜;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可降低泄露电流的III族氮化物晶体管结构及其制作方法。所述III族氮化物晶体管结构包括：层叠设置的第一异质结和第二异质结，且所述第一异质结与第二异质结经高阻材料和/或插入层电性隔离；与所述第一异质结配合的第一电极、第二电极、第一栅极，所述第一栅极与第一异质结之间设有第三半导体，所述第一栅极还与第一电极电性连接；与所述第二异质结配合的源极、漏极、第二栅极，所述源极、漏极还分别与所述第一栅极、第二电极电性连接，所述第二栅极与第二异质结之间设置有第六半导体上。本发明提供的III族氮化物晶体管结构能够有效低器件反向导通电压，减小器件的面积。
降低泄露电流 iii 氮化物晶体管结构及其制作方法

[发明专利]一种旋转导电装置-CN202310148521.0有效
发明人：胡磊;吴波;李心舟;陈昱琦 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01R39/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋转导电装置，用于在转动部件和静止部件之间传输电能；旋转导电装置包括旋转部以及固定部。旋转部与转动部件连接，旋转部上设有第一导通结构和第一滚珠结构，转动部件通过第一导通结构与第一滚珠结构连接。固定部与静止部件连接，旋转部转动连接固定部并限制在固定位置上转动，固定部上设有第二导通结构；于旋转部和固定部之间在固定部上设置有第一导电部，静止部件通过第二导通结构与第一导电部连接。其中，旋转部转动时，第一滚珠结构保持与第一导电部滚动接触，以使转动部件和静止部件保持电连接。本发明结构稳定可靠，能够有效替代滑环在转动部件和静止部件之间传递电能，从而避免发生滑环摩擦损耗的问题。
一种旋转导电装置

[发明专利]高光效深紫外发光二极管及其制备方法-CN202111549806.2在审
发明人：邓彪;刘乐功;熊文浚;冯美鑫;孙钱;刘卫;杨勇;杨辉 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法。所述高光效深紫外发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别经第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与所述第一半导体层、第二半导体层电性接触；所述第一半导体层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层为第一掺杂类型，所述第二半导体层为第二掺杂类型。本发明实施例提供的一种高光效深紫外发光二极管采用重掺杂的欧姆接触层降低了p型与n型欧姆接触结构的制作难度，可以同时实现p型及n型电极的高反射率，大幅提高器件的取光效率。
高光效深紫发光二极管及其制备方法

[发明专利]垂直结构深紫外LED芯片及其制作方法-CN202111316647.1在审
发明人：邓彪;刘乐功;熊文浚;吕小翠;冯美鑫;孙钱;刘卫;杨勇;杨辉 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构深紫外LED结构及其制作方法。所述垂直结构深紫外LED结构包括外延层，该外延层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层等；该外延层具有相背对的第一、第二面，该第二面远离该第一导电半导体层设置，该第二面上还开设有至少一个第二沟槽，第二沟槽的槽底面分布在该外延层的第一面上，第二沟槽的槽底面上覆盖有保护层，同时第二沟槽内还填充有应力匹配材料。本发明可以有效防止或消除在去外延衬底时因外延层应力过大导致外延层脱落等问题，同时还可以显著改善深紫外LED器件水平方向的出光，提升光提取效率，并且还有助于有效降低器件侧壁漏电的风险，大幅提升器件生产良率及改善器件可靠性。
垂直结构深紫 led 芯片及其制作方法

[发明专利]高光效发光二极管器件结构及其制作方法-CN202111285852.6在审
发明人：邓彪;刘乐功;熊文浚;吕小翠;冯美鑫;孙钱;刘卫;杨勇;杨辉 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光效发光二极管器件结构及其制作方法。所述高光效发光二极管器件结构包括外延层，所述外延层上依次叠设有导电的第一反射层和保护层；所述保护层的底端面和第一反射层的顶端面完全重合，所述外延层上还覆设有绝缘层，所述绝缘层和第一反射层两者在所述外延层的正投影构成互补图形，并且至少是所述第一反射层的侧壁与所述绝缘层的相应侧壁重合。本发明通过采用第一反射层与其保护层为相同形状和面积，且第一反射层与绝缘层为互补图形结构的设计，可以有效消除因Ag迁移等带来的器件可靠性差等问题，克服因低反射率保护层材料吸光带来的缺陷，显著提高发光二极管的出光效率。
高光效发光二极管器件结构及其制作方法

[发明专利]III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用-CN202111062410.5在审
发明人：魏星;张晓东;赵德胜;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用。所述III族氮化物二极管器件包括：III族氮化物异质结，所述III族氮化物异质结中形成有二维电子气；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极通过所述二维电子气电性连接；所述III族氮化物二极管器件还包括：多个第三半导体，多个所述的第三半导体与所述异质结配合设置，其中任意两个相邻第三半导体彼此间隔设置，每一所述第三半导体能够将位于其下方的部分的所述二维电子气耗尽，以及，该多个第三半导体还分别与第一电极电性接触。本发明提供的制作方法，减小了器件的开启电压和界面态影响，提高了器件的动态特性和可靠性，工艺简单，易于集成。
iii 氮化物二极管器件及其制作方法应用

[发明专利]一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置-CN202211660516.X有效
发明人：汤乐明;李文博;杨勇;张智聪;李光辉;黄辉杰;汤文君 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置，其中矩阵式半导体的电路结构包括：第一电路板设有若干封装电极组件，封装电极组件包括第一电极和第二电极；第二电路板设有相互电性连接的若干第一连接端和若干第二连接端，第一连接端与第一电极电性连接；第三电路板的一侧设有若干第三连接端和若干第四连接端，若干第三连接端与若干第四连接端一一电性连接，第三电路板的另一侧设有用于连接外部电路的若干第三电极和若干第四电极；第三连接端与第三电极电性连接；第四连接端与第二电极电性连接；第四电极与第二连接端电性连接。本发明的技术方案涉及半导体技术领域，通过形成共阴或共阳电路连接，单独控制每个封装电极组件。
一种矩阵半导体电路结构及其封装发光装置

[发明专利]Ga2-CN202110985191.1在审
发明人：张晓东;何涛;赵德胜;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ga2O3薄膜材料及其柔性器件的制备方法。所述Ga2O3薄膜的制备方法包括：在第一衬底上生长形成AlN层，所述AlN层能够被AlN腐蚀液蚀刻去除；直接在所述AlN层上生长形成Ga2O3薄膜。本发明实施例提供的一种大面积Ga2O3器件的制备方法得到的器件尺寸可控、位置可控，且可以阵列化制备；以及，本发明实施例提供的Ga2O3薄膜材料可以用于制作柔性的电子器件或光电器件，本发明实施例提供的一种大面积Ga2O3柔性器件的制备方法，降低了Ga2O3柔性器件制备的复杂度，提高了Ga2O3柔性器件的可控性和良品率。
ga base sub

[实用新型]准分子灯-CN202221385847.2有效
发明人：陈征;孙钱;汤文君;杨勇 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01J61/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种准分子灯，其包括：两个放电单元，每一放电单元包括一灯壳，每一灯壳内部均具有放电空间，所述放电空间内封入有能够产生准分子放电的气体，且每一灯壳的至少局部区域可透射准分子发射的紫外光；第一电极和第二电极，均位于所述放电单元外部，其中第一电极设置于两个放电单元之间，且第一电极在厚度方向上的两侧表面分别与一灯壳的第一外表面无缝接触，每一灯壳的第二外表面上设有一第二电极，每一第二电极隔着一放电空间与第一电极相对设置；所述第一电极用于与高频高压电源电连接。本实用新型的准分子灯具有电极寿命更长、产生臭氧更少、空间更紧凑等优点。
分子

[实用新型]可变焦距固化装置-CN202221875121.7有效
发明人：汤乐明;李文博;孙钱;杨勇;张智聪;李光辉 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可变焦距固化装置，该可变焦距固化装置包括：透镜模组，透镜模组至少具有第一折射介质和第二折射介质，第一折射介质与第二折射介质相互贴合或间隔设置，第一折射介质可相对第二折射介质移动，且第一折射介质的折射率与第二折射介质的折射率存在差值；紫外线照射组件，紫外线照射组件的出光侧朝向透镜模组；紫外线照射组件用于向透镜模组发射紫外光，透镜模组用于将紫外光折射后投射至待固化基材上。本实用新型公开的可变焦距固化装置可解决现有的UV固化装置难以适应因待固化件的距离变动而引起的照射面积、照射强度的变化，从而对固化操作造成不良影响的技术问题。
可变焦距固化装置

[实用新型]植物灯-CN202221358554.5有效
发明人：李文博;汤乐明;孙钱;张智聪;李光辉;杨勇 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H05B45/59 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种植物灯，该植物灯包括灯板、波长转换膜和设置于灯板上的电路模块，电路模块包括电连接的保险管、压敏电阻、整流桥堆、LED模组和IC芯片，波长转换膜罩设于LED模组上，以将LED模组发出的蓝光转化为红光，LED模组包括多个依次串联的发光组件。加设压敏电阻和保险管可以起到保护电路的作用；通过加设整流桥堆可以使得电路模块可以直接接入交流电源，整流桥堆可以将交流电转化为直流电，从而避免LED模组出现频闪，通过加设IC芯片控制LED模组的驱动功率，从而使得该植物灯可以在不借助变压器的情况下直接将电路模块接上电源，无需传统的驱动电源和变压器，实现了免驱动式植物灯，进而降低了植物灯的制造成本。
植物

[实用新型]穿引装置及引线键合仪-CN202221531658.1有效
发明人：宗肖航;袁旭;黄宗锐;赵德胜;张宝顺 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体公开一种穿引装置及引线键合仪，穿引装置包括筒架，筒架包括用于与劈刀内部相连通的通道，通道连接有用于在劈刀内部中形成牵引气流的气流发生器，牵引气流的流动方向为自劈刀向通道的方向。通过筒架与气流发生器相结合，以使在劈刀内部中形成自劈刀向通道方向流动的牵引气流，由此，位于劈刀内部入口处的引线或者断裂在劈刀内部中的引线得以在牵引气流的作用下向劈刀的嘴部方向移动，进而完成穿引或使引线碎段移出劈刀外。装置结构简单，有效降低穿引操作的难度，提高穿引效率，同时通堵效果好，能够将断裂在劈刀内部的引线碎段完整地导出，确保不会残留引线碎段。
装置引线键合仪

[实用新型]紫外线固化模组-CN202221709518.9有效
发明人：李文博;汤乐明;孙钱;杨勇;张智聪;李光辉 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外线固化模组，该紫外线固化模组包括固定板、第一固化模组和第二固化模组，第一固化模组包括第一安装板和多个安装于第一安装板的第一光源组件，第一安装板为直线型板，第一安装板安装于固定板，多个第一光源组件依次串联，且多个第一光源组件沿第一安装板的延伸方向间隔设置；第二固化模组包括第二安装板和安装于第二安装板的第二光源组件，第二安装板安装于固定板，第二安装板包括弯曲部和两个分别设置于弯曲部两端的连接部，第一安装板的一端用以与一连接部的端部抵接。根据固化面的具体形状，将第一安装板和第二安装板在固定板上进行拼接，以适配不同形状的固化面，提高紫外线固化模组的适用范围。
紫外线固化模组

[发明专利]半导体封装器件-CN202210764365.6有效
发明人：李文博;汤乐明;孙钱;李光辉;杨勇;张智聪 -专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装器件，涉及器件封装领域，所述半导体封装器件包括：基板，所述基板一侧上设置有结构槽，所述基板上设置有两个通孔；发光器件，包括器件本体和设置在器件本体上的两个电极，两个所述电极与两个所述通孔一一配合，且所述器件本体通过所述电极设置于所述基板上；封装层，所述封装层设置在所述基板具有所述结构槽的一侧，且所述封装层覆盖于所述发光器件和结构槽，所述封装层的材质为氟树脂材料或旋涂玻璃材料。结构槽能够很好的增强封装层与基板的结合力，由于氟树脂材料或旋涂玻璃材料具备高透光性以及内部键能高的特性，所以本方案的半导体封装器件可以适用的发光器件的种类非常广且透光性好。
半导体封装器件

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