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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜及其制备方法-CN201110461884.7无效
发明人：赵淑云;郭海成;王文 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅薄膜，其中薄膜中具有平行的导电带或导电线，所述导电带或导电线连接多个晶粒。本发明还提供一种制备多晶硅薄膜的方法，包括：1)形成多晶硅薄膜；2)在多晶硅薄膜上形成掩膜；3)离子注入，在多晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线。
一种具有搭桥晶粒结构多晶薄膜及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法-CN201110461873.9无效
发明人：赵淑云;郭海成;王文 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：1)形成多晶硅薄膜；2)在多晶硅薄膜上形成掩膜；3)离子注入，在多晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；5)在沉积100nm的低温氧化物作为栅极绝缘层；6)形成栅电极；7)掺杂，形成源漏极。
一种多晶薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜晶体管-CN201110461875.8无效
发明人：赵淑云;郭海成;王文 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：有源层，由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜通过横向金属诱导结晶而形成，具有长条状的晶粒，该多晶硅薄膜中具有平行的掺杂线条，所述掺杂线条连接多个晶粒；有源层上的源极和漏极；栅极绝缘层；栅极。
一种具有搭桥晶粒结构多晶薄膜晶体管

[发明专利]一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管及其制造方法-CN201110461845.7无效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)在衬底上形成多晶硅层；2)在多晶硅层上形成栅极绝缘层、栅极层、光刻胶；3)将光刻胶图案化，形成栅极掩膜，且该栅极掩膜上具有凹槽；4)以栅极掩膜为阻挡，进行刻蚀以形成栅极，并进行离子注入以在多晶硅层中掺杂形成搭桥晶粒线以及源/漏极区。
一种搭桥晶粒多晶薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜的制造方法-CN201110461862.0无效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：1)、在衬底表面上形成条状的凸齿，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形；2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线。
一种多晶薄膜制造方法

[发明专利]一种具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜的制备方法-CN201110461881.3无效
发明人：赵淑云;郭海成;王文 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜的方法，包括：1)在多晶硅薄膜表面旋涂光刻胶；2)软烤，然后使用光刻机对光刻胶进行曝光；3)进行显影处理，在光刻胶中形成多个条形凹槽，周期为0.5-1μm；4)硬烤，然后通过离子注入进行掺杂。
一种具有搭桥晶粒结构多晶薄膜制备方法

[发明专利]一种制备多晶硅薄膜的方法-CN201110461864.X无效
发明人：赵淑云;郭海成;王文 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜的方法，包括：1)在玻璃基板上，使用等离子体增强化学气相沉积沉积氧化硅薄膜；2)用低压化学气相沉积方法沉积非晶Si薄膜；3)去除自然氧化层后，通过氧化使非晶Si薄膜表面形成一层100纳米厚的氧化物层；4)在氧化物层中形成宽度为8微米间隔为100μm的凹槽作为诱导线；5)在SiO₂纳米氧化层上溅射一层缓释镍/硅氧化源层，进行金属诱导结晶；6)在N₂气氛下加热，到非经Si完全结晶；7)去除表面上残留的镍；8)在步骤7)得到的多晶硅薄膜中，通过掺杂形成平行的导电带或导电线，所述导电带或导电线连接多个晶粒。
一种制备多晶薄膜方法

[发明专利]一种顶栅薄膜晶体管的制造方法-CN201110461858.4无效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)在衬底表面上形成条状的凸齿，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形；2)沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部；3)对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区；4)在多晶硅薄膜上沉积栅绝缘层；5)在栅绝缘层上形成栅电极，使栅电极覆盖多晶硅薄膜的凸齿及凸齿之间的凹槽。
一种薄膜晶体管制造方法

[发明专利]搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的简化制造方法-CN201110461841.9无效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)在衬底上形成多晶硅层；2)在多晶硅层上形成栅极绝缘层、栅极层、光刻胶；3)采用光刻掩模版对光刻胶进行曝光以形成栅极掩膜，该光刻掩模版包括位于两侧的侧透光区以及位于侧透光区之间的相间排列的不透光区和中间透光区，且两侧的侧透光区与不透光区相邻，其中栅极掩膜中对应于透光区的部分形成凹槽，凹槽的深度等于栅极掩膜的总厚度；4)以栅极掩膜为阻挡，进行刻蚀以形成具有多栅结构的栅极，并进行离子注入以在多晶硅层中掺杂形成搭桥晶粒线以及源/漏极区。
搭桥晶粒多晶薄膜晶体管简化制造方法

[发明专利]顶栅薄膜晶体管及其制造方法-CN201110461856.5无效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)、在衬底表面上形成条状的V字型凹槽或V字型凸起；2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区；4)、在多晶硅薄膜上沉积栅绝缘层；5)、在栅绝缘层上形成栅电极，使栅电极覆盖多晶硅薄膜的V字型凹槽或V字型凸起。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种底栅薄膜晶体管及其制造方法-CN201110461857.X无效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种底栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)、在衬底上形成栅极，并在栅极上形成条状的凸齿，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形；2)、在该条状的凸齿结构上沉积栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上沉积多晶硅薄膜；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。
一种薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管及其制造方法-CN201110461854.6无效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：1)在衬底上形成条状的凹陷或凸起结构；2)在该凹陷或凸起结构的表面上沉积多晶硅薄膜；3)对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，形成搭桥晶粒线。本发明还提供一种薄膜晶体管的制造方法。
一种搭桥晶粒多晶薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜的制备方法-CN201110461863.5无效
发明人：赵淑云;郭海成;王文 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜的方法，包括：1)在多晶硅薄膜上旋涂光刻胶；2)利用纳米压印技术在光刻胶中形成高低起伏的厚度对比；3)通过离子注入进行掺杂。
一种具有搭桥晶粒结构多晶薄膜制备方法

[发明专利]精确对准的搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法-CN201110461842.3无效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)在衬底上形成多晶硅层；2)在多晶硅层上形成栅极绝缘层、栅极层、光刻胶；3)采用灰度光刻掩模版对光刻胶进行曝光以形成栅极掩膜，该灰度光刻掩模版包括位于两侧透光区以及位于透光区之间的相间排列的不透光区和部分透光区，且两侧的透光区与不透光区相邻，其中栅极掩膜中对应于部分透光区的部分形成凹槽，凹槽的深度小于栅极掩膜的总厚度；4)以栅极掩膜为阻挡，进行刻蚀以形成栅极，并进行离子注入以在多晶硅层中掺杂形成搭桥晶粒线以及源/漏极区。
精确对准搭桥晶粒多晶薄膜晶体管制造方法

[发明专利]底栅薄膜晶体管的制造方法-CN201110461855.0无效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种底栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)在衬底上形成栅极，并在栅极上形成V字型凹槽或V字型凸起；2)在该V字型凹槽或V字型凸起上沉积栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上沉积多晶硅薄膜；3)对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。
薄膜晶体管制造方法

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