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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]滚动轴承的粗型材的制造方法-CN201480059716.7有效
发明人：矢野健文;柏木信一郎;上北弘树;斋藤敏和;平野哲郎;根石丰 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C21D8/00 文献下载
摘要：本发明采用如下的方法制造滚动轴承的粗型材：对于由含有0.7～1.2质量％的碳、0.8～1.8质量％的铬的高碳铬轴承钢构成的钢材，一边加热至(Ae₁点+25℃)～(Ae₁点+105℃)的范围内的锻造温度一边锻造成规定形状，然后冷却至Ae₁点以下的温度，进而将所得到的锻件加热至(Ae₁点+25℃)～(Ae₁点+85℃)的范围内的均热温度，并保持0.5小时以上，然后以0.30℃/s以下的冷却速度冷却至700℃以下，由此进行退火。
滚动轴承粗型材制造方法

[发明专利]半导体集成电路-CN201610289260.4有效
发明人：鹿岛恭一;福岛佳孝;小野正宽;平野哲郎 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路。半导体集成电路包括端子、成二极管连接的MOS晶体管、保护二极管电路、电池放电用MOS晶体管、电池电压检测控制电路、以及过电压保护用箝位电路。电池防电涌MOS晶体管分别连接在端子中的相邻的各端子之间。成二极管连接的MOS晶体管分别连接在端子中相邻的各端子之间。从而，在相邻的端子之间施加了浪涌电压的情况下，能保护连接在相邻的端子之间的电路元件使其不受到因浪涌电压导致的静电破坏。
半导体集成电路

[发明专利]环状工件的淬火方法以及该方法所使用的淬火装置-CN201310331699.5在审
发明人： 平野哲郎;久野笃 -专利权人：株式会社捷太格特
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C21D9/40 文献下载
摘要：本发明提供环状工件的淬火方法以及该方法所使用的淬火装置，所述环状工件的淬火方法包括以下工序：在将内模具（23）设置于以淬火温度加热后的工件内周侧的状态下来冷却工件（W）的工序；在工件温度达到500℃以下并且在降低到马氏体相变开始温度（Ms温度）之前，若工件的内周面与内模具（23）接触而开始被束缚，则一边持续进行束缚一边在宽度方向上以低压按压工件并将工件插入到外模具（22）内的工序；以及若工件温度达到马氏体相变开始温度以下后，则通过在宽度方向上以高压按压工件，由此在宽度方向上束缚工件，并且利用外模具（22）来束缚因马氏体相变而体积膨胀的工件的外周面的工序。
环状工件淬火方法以及使用装置

[发明专利]半导体装置-CN201110261992.X有效
发明人：中谷清史;平野哲郎;藤原秀二 -专利权人：安森美半导体贸易公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，谋求改善LDMOS晶体管的ESD耐受程度。通过栅极电极(5)和抗蚀剂膜，在P型基板层(2)上形成中心部具有多个开口部(7)的梯形N+型源极层(3)。在开口部(7)上形成填入该开口部(7)的P+型接触层(4)。此时，将从开口部(7)的端部即P+型接触层(4)的端部到N+型源极层(3)的端部的距离设为规定距离。所述规定距离是指随着距离的增加而增大的LDMOS晶体管的HBM+耐受程度开始饱和时的距离。
半导体装置

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