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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]低温酸性腐蚀槽-CN201120538241.3有效
发明人：黄小锋 -专利权人：常州星海电子有限公司;常州星海科技有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型属于化学腐蚀设备，特别涉及一种具有外置冷冻槽的低温酸性腐蚀槽。低温酸性腐蚀槽，其包括酸洗槽，酸洗槽的顶部设置有滑动固定轴，固定轴上设置有电机驱动的酸洗机构，酸洗槽内以及设置在酸洗槽左侧的清洗槽，所述的酸洗槽的右侧设置有一个多层储酸冷冻槽，所述的多层储酸冷冻槽的顶部设置有酸泵，酸泵的吸入口设置在酸洗槽的底部，排出口设置在多层储酸冷冻槽的顶部，所述的多层储酸冷冻槽的出酸口与酸洗槽连通，所述的多层储酸冷冻槽的内部设置有冷却盘管，所述的冷却盘管与冷冻压缩机连接。本实用新型通过在酸洗槽内设置冷却盘管以及单独设置对酸液冷却的多层储酸冷冻槽来提高酸的冷却速度。
低温酸性腐蚀

[实用新型]肖特基整流桥-CN201120541266.9有效
发明人：吴慧国 -专利权人：常州星海电子有限公司;常州星海科技有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L25/11 文献下载
摘要：本实用新型属于电子分立器件领域，特别涉及一种采用肖特基芯粒的整流桥。肖特基整流桥，其包括对称设置的第一框架料片和第二框架料片，其特征在于：还包括连接在第一框架料片和第二框架料片之间的肖特基芯粒，以及对肖特基芯粒进行保护的封装本体。本实用新型提供一种采用肖特基芯粒的肖特基整流桥，本实用新型具有反向恢复时间短，性能好，可靠性更好的优点。
肖特基整流

[实用新型]一种SMC封装用料片-CN201120538594.3有效
发明人：刘伟 -专利权人：常州星海电子有限公司;常州星海科技有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型属于电子配件领域，特别涉及一种用于SMC封装的料片。一种SMC封装用料片，其包括上料片和下料片，其特征在于：上料片与下料片的结构相同，所述的上料片由折弯段、等腰梯形段以及与待封装芯片的连接段构成，折弯段与等腰梯形段连接处的两侧向外延伸设置有加强耳。本实用新型提供一种具有高抗应力的SMC封装料片，采用该料片能有效减小料片弯角成型过程中的弯曲拉伸应力，减小了环氧树脂破损的几率，大大提高了产品的良率。
一种 smc 封装用料

[发明专利]二极管SF芯片的制造方法-CN201110440409.1有效
发明人：柴凤玉 -专利权人：常州星海电子有限公司;常州星海科技有限公司
申请日： 2011-12-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管SF芯片的制造方法，将表面处理后的硅片放在扩散炉中，通入液态磷源进行预沉积及扩散推进；再用氢氟酸浸泡后，去除表面的氧化层，控制硅片的整体厚度，将一面的扩散结N+磨掉，采用液态硼源，控制扩散炉内的温度进行扩散成P+，再将其表面进行粗面化处理；再经过超砂、电子清洗剂处理的硅片，在炉中氧化，控制铂扩散炉中的温度，将硅片进行金属铂的注入；经铂扩散后的硅片进行放在电泳液中进行电泳，电泳后将硅片放置烧结炉中进行烧结；将得到的硅片用氢氟酸浸泡后，再用去离子水超声清洗，进行两次镀镍处理及镀金处理，将处理后的硅片从台面沟槽处划成单个芯粒，即得所需二极管SF芯片。
二极管 sf 芯片制造方法

[发明专利]蜂窝状硅片的制造工艺-CN201110430209.8无效
发明人：郭宁 -专利权人：常州星海电子有限公司;常州星海科技有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种蜂窝状硅片的制造工艺，将清洗和烘干后的扩散片作为加工对象进行匀胶，待上胶后经烘焙后，将扩散片进行双面光刻，将双面光刻得到的扩散片分别放入显影液和漂洗液中进行清滤，清滤后的扩散片进行坚膜处理，再放入腐蚀液内，进行酸腐蚀，经酸腐蚀的扩散片清洗、剥离，即得到所需的蜂窝状硅片，本发明提供的制造工艺所生产的成品具有成型正确，不易损伤硅片以及原料硅片的利用率高，生产成本低等特点。
蜂窝状硅片制造工艺

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