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[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法-CN202210783431.4在审
发明人： 席付春;薛培堃;陈明志 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，先根据待形成的伪栅的原始宽度使形成的每个伪栅的宽度均小于伪栅的原始宽度，由此可以减小伪栅的整体宽度，从而可以减小位于鳍部上的伪栅的宽度，后续刻蚀伪栅以形成位于所述层间介质层中的介质层开口时，位于鳍部上的伪栅的刻蚀速率小于位于所述鳍部之间的中间区域的伪栅的刻蚀速率，可以使位于鳍部上的介质层开口的宽度与所述鳍部之间的介质层开口的宽度之间的第二宽度差，小于位于鳍部上的伪栅的宽度与所述鳍部之间的中间区域的伪栅宽度之间的第一宽度差，使位于鳍部上的栅极的宽度与所述鳍部之间的中间区域的栅极的宽度相差较小。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]HKMG结构制作方法-CN202110599383.9在审
发明人： 席付春;潘宗延;陈明志 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种HKMG结构制作方法，包括以下步骤：优化在衬底上的N型金属栅区域和P型金属栅区域形成顺序，依次形成栅氧化层、高K介质层、可选过渡层、P型功函数刻蚀停止层、P型功函数层和伪多晶硅栅刻蚀停止层；N型金属栅区域和P型金属栅区域执行伪多晶硅栅工艺；去除伪多晶硅栅；打开N型金属栅区域的伪多晶硅栅刻蚀停止层；去除N型金属栅区域的P型功函数层；形成N型功函数层；形成金属栅。本发明能在不增加工艺步骤的前提下，能有效控制HKMG工艺中常见的铝扩散问题，并减少P型金属栅填充时film层数，从而可以有效增大AL填充窗口，优化金属栅Al填充缺陷，提高HKMG结构器件性能。
hkmg 结构制作方法

[发明专利]一种表面等离子体天线耦合增强的自旋整流器件-CN201210487938.1有效
发明人：安正华;席付春;周磊 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于自旋电子技术领域，具体为一种基于表面等离子体的自旋整流器件。该自旋整流器件结构包括：附在绝缘衬底上的金属结构，该金属结构包括两个背靠背的类似C字形结构组成，背靠背部形成金属条。两个类似C字形结构共有4个末端。当具有合适频率的入射光垂直或倾斜于金属结构所在的平面照射到金属结构上时，入射光与表面等离子体结构发生共振，此时在金属条周围产生增强的磁场，在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧产生增强的电场。增强的电场主要是平行于金属条的；增强的磁场是环绕金属条的，而且离金属条越近磁场越强。因此在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧，可以得到增强的电场和磁场。此增强的电磁场和外加恒定磁场H的共同作用下，在磁性薄膜（112）上得到增强的自旋整流效应。
一种表面等离子体天线耦合增强自旋整流器件