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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810694822.2有效
发明人： 市川幸治;白田健人 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具备：连接端子，其电连接于半导体芯片；母线，其具有供连接端子贯通的开口；以及熔融部分，其从连接端子的上部一直设置到母线的上表面且包含接合部分，所述连接端子的上部通过贯通母线的开口而位于比母线的上表面靠上的位置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光装置及半导体发光元件的支承基板-CN202180081862.X在审
发明人：河野圭真;市川幸治;神原大蔵;堀尾直史 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：具有半导体发光层叠体和SOI基板，半导体发光层叠体由n型半导体层、发光层及p型半导体层层叠而成，在一个面侧具有至少1个p‑电极及n‑电极，SOI基板由上层半导体层、层间绝缘膜及下层半导体层构成。SOI基板具有：经由绝缘膜设置在上层半导体层上并与p‑电极对应的第一布线电极；与上层半导体层连接并与n‑电极对应的第二布线电极；设置在下层半导体层上并通过贯穿SOI基板的第一通孔电极与第一布线电极连接的阳极；经由绝缘膜设置在下层半导体层上并通过到达上层半导体层的第二通孔电极与上层半导体层连接的阴极，p‑电极和n‑电极分别与第一布线电极和第二布线电极接合。
半导体发光装置元件支承

[发明专利]半导体发光装置及半导体发光模块-CN202180069609.2在审
发明人：河野圭真;市川幸治;神原大蔵;堀尾直史 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光装置及半导体发光模块。该半导体发光装置等具有发光元件组件和第一覆膜，发光元件组件具有半导体发光元件和导光部件，该半导体发光元件具有支承基板和设置在支承基板上的发光半导体层；导光部件通过元件粘接层与半导体发光元件粘接。第一覆膜利用侧壁粘接层被粘接于发光元件组件的侧面，并由作为包覆该侧面的光反射体的无机材料构成。
半导体发光装置模块

[发明专利]半导体发光装置及半导体发光模块-CN202180063944.1在审
发明人：河野圭真;市川幸治;神原大蔵;堀尾直史 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置具有：发光元件组件，其具有半导体发光元件和导光部件，所述半导体发光元件具有支承基板和设置在支承基板上的发光半导体层；所述导光部件通过粘接层与半导体发光元件粘接，以及，第一覆膜，其由无机材料构成，该无机材料是包覆发光元件组件的侧面的光反射体。
半导体发光装置模块

[发明专利]有机硅化合物、有机硅化合物的制造方法、热硬化性树脂组合物、成形体、及光半导体装置-CN201980075868.9在审
发明人：西泽启介;池野浩章;木谷绫花;市川幸治;石川健太郎;川畑毅一 -专利权人：捷恩智株式会社
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：本发明提供一种可获得即便在高温环境下也难以产生裂纹的成形体的有机硅化合物及热硬化性树脂组合物、以及使用此种热硬化性树脂组合物获得的成形体及光半导体装置。本发明为一种有机硅化合物，包含下述式(i)所表示的结构单元(i)、以及下述式(ii)所表示的结构单元(ii)，并且在分子链的两末端分别存在乙烯基或氢硅基，所述有机硅化合物中，重量平均分子量为1,000以上且20,000以下，所述结构单元(i)的聚合度为1以上且5以下，所述结构单元(ii)的聚合度为4以上且200以下。式(i)中，R1分别独立地为碳数1～8的烃基。式(ii)中，R2分别独立地为碳数1～8的烃基。
有机硅化合物制造方法化性树脂组合成形半导体装置