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[发明专利]集成芯片-CN202110823948.7在审
发明人：陈怡秀;巫凯雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明一些实施例关于集成芯片，其包括通道结构，延伸于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。此外，栅极直接配置于通道结构上，且上侧内连线接点配置于栅极上并耦接至栅极。背侧接点配置于第一源极/漏极区之下并耦接至第一源极/漏极区。背侧接点的宽度自背侧接点的最底部表面朝背侧接点的最顶部表面减少。
集成芯片

[发明专利]集成电路装置的制造方法-CN201911043913.0在审
发明人： 巫凯雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种集成电路装置的制造方法。本公开实施例提供具有互连结构的集成电路以及形成该集成电路的方法。在一实施例中，本申请公开的方法包括接收一工作件，其包含在该工作件上的介电层中的第一凹槽，沉积接触填充物于第一凹槽之中且于介电层之上、以形成接触部件，平坦化工作件的顶面以移除位于介电层上的接触填充物；沉积层间介电质层在经平坦化的工作件的顶面之上，形成第二凹槽于层间介电质层之中，以暴露介电层中的接触填充物，将工作件浸泡于室温离子液体以凹蚀接触填充物。其中，形成接触填充物的材料可溶于室温离子液体。
集成电路装置制造方法

[发明专利]半导体制造设备-CN201910894347.8在审
发明人：陈维宁;巫凯雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本公开提供一种制造半导体的方法。方法包括在一腔室中的一基座上定位一基板以及在基板上生长一磊晶特征。生长的操作包括提供一紫外线辐射至基板的一表面的一第一区域，当提供紫外线辐射时，同时地在基板的表面的第一区域上生长磊晶特征的一第一部分并在基板的表面的一第二区域生长磊晶特征的一第二部分。磊晶特征的第一部分的厚度大于磊晶特征的第二部分的厚度。
半导体制造设备

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510860542.0有效
发明人：鬼木悠丞;巫凯雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构，包括：半导体元件；及钝化层，包括硫化铟形成于半导体元件的表面上，其中半导体元件的表面包括铟基三五族化合物半导体材料。本公开亦提供此半导体结构的制造方法。本公开通过形成一硫化铟钝化层，以提供较佳的铟基半导体表面的品质，齐聚有较低的界面态(Dit)密度、较低的肖特基阻障高度(Schottky barrier height)、且可抑制原生氧化物层的形成等等。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN201510372165.6有效
发明人： 巫凯雄;鬼木悠丞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构及其形成方法。用于制造半导体结构的方法包括：在衬底上方形成源极/漏极结构和在源极/漏极结构上形成金属层。用于制造半导体结构的方法还包括：使金属层的部分与源极/漏极结构反应以在源极/漏极结构上形成金属化层。用于制造半导体结构的方法还包括通过蚀刻工艺去除位于金属化层上的金属层的未反应部分。此外，蚀刻工艺包括使用包含HF和碳酸丙烯酯的蚀刻剂，并且在蚀刻剂中HF与碳酸丙烯酯的体积比在从约1：10至约1:10000的范围内。本发明涉及形成半导体结构的方法。
形成半导体结构方法

[发明专利]源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法-CN201510530224.8有效
发明人： 巫凯雄;鬼木悠丞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。该方法包括在衬底中形成源极/漏极结构以及在源极/漏极结构上方形成金属层。用于制造半导体结构的方法还包括实施退火工艺，从而使得部分金属层与源极/漏极结构反应，以在源极/漏极结构上形成金属化层。用于制造半导体结构的方法还包括实施蚀刻工艺以去除金属化层上的金属层的未反应的部分，以及在金属化层上方形成接触件。此外，蚀刻工艺包括使用蚀刻溶剂，并且蚀刻溶剂包括(a)第一组分，包括H2SO4、HCl、HF、H3PO4或NH4OH；和(b)第二组分，包括碳酸丙烯酯、碳酸亚乙酯、碳酸二乙酯、乙腈或它们的组合。本发明实施例还涉及源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法。
源极结构上方具有接触半导体及其形成方法

[发明专利]用于半导体器件的栅极结构-CN201210074982.X有效
发明人： 巫凯雄;简珮珊;李泳达;杨建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制造方法，该方法包括在半导体衬底上形成层间介电(ILD)层。ILD层具有由该ILD层的侧壁限定的开口。在该ILD层的侧壁上形成间隔元件。在邻近该间隔元件的开口中形成栅极结构。在实施例中，该侧壁间隔件还用于减小在开口中形成的栅极结构的尺寸(例如，长度)。本发明提供了用于半导体器件的栅极结构。
用于半导体器件栅极结构

[发明专利]半导体器件的金属栅极结构-CN201210455338.7有效
发明人：简珮珊;巫凯雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造，更具体而言，涉及金属栅极结构。半导体器件的示例性结构包括：衬底，该衬底包括分离并围绕P型有源区和N型有源区的隔离区；位于P型有源区上方的P型栅极结构中的P型功函数金属层，其中，所述P型功函数金属层包括第一底部和第一侧壁，其中，第一底部包括具有第一厚度的第一金属化合物层；以及位于所述N型有源区上方的N型栅极结构中的N型功函数金属层，其中，N型功函数金属层包括第二底部和第二侧壁，其中第二底部包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二金属化合物层。
半导体器件金属栅极结构

[发明专利]制造FinFET器件的方法-CN201210580950.7有效
发明人： 巫凯雄;曾博瑞;简珮珊;曾伟雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本方面公开了一种制造鳍式场效应晶体管的方法。制造FinFET器件，首先要接收FinFET前体。该前体包括衬底和衬底上的鳍式结构。沿着前体中的鳍式结构的侧壁可形成侧壁间隔件。对鳍式结构的一部分开槽，以形成将侧壁间隔件作为鳍上部的开槽沟槽。半导体结构外延生长在开槽沟槽中且在开槽沟槽的上方持续生长，以形成外延结构。
制造 finfet 器件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201210553820.4有效
发明人：万幸仁;张志豪;张守仁;柯志欣;奧野泰利;巫凯雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件和用于制作半导体器件的方法。一种示例性半导体器件包括包含有源区域的半导体衬底，有源区域包括多个器件区域。半导体衬底还包括：第一器件，设置于多个器件区域中的第一器件区域中，第一器件包括第一栅极结构、在第一栅极结构的侧壁上设置的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件。半导体衬底还包括：第二器件，设置于多个器件区域中的第二器件区域中，第二器件包括第二栅极结构、在第二栅极结构的侧壁上设置的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。第二和第一源极和漏极部件具有公共的源极和漏极部件以及接触部件。共同接触部件是自对准接触件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有金属栅极应激源的FINFET-CN201310007898.0有效
发明人： 巫凯雄;奧野泰利;简珮珊;曾伟雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供用于鳍式场效晶体管(FinFET)器件的栅极应激源。栅极应激源包括底面、第一应激源侧壁、以及第二应激源侧壁。在栅极层的第一部分上形成底面。栅极层设置在浅沟槽隔离(STI)区域上。在栅极层的第二部分上形成第一应激源侧壁。栅极层的第二部分设置在鳍的侧壁上。在栅极层的第三部分上形成第二应激源侧壁。栅极层的第三部分设置在与鳍间隔开的结构的侧壁上。第一应激源侧壁和第二应激源侧壁没有超过鳍的高度。
具有金属栅极应激 finfet

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