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[发明专利]图案形成方法及电子元件的制造方法-CN201710541009.7有效
发明人：山中司;川本崇司;井口直也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其在使用有机系显影液形成微细化(例如，30nm节点以下)图案的负型图案形成技术中，可减少粒子的产生的图案形成方法及电子元件的制造方法，此方法包括：用化学增幅型抗蚀剂组合物来形成膜、对膜进行曝光、以及用有机系显影液对经曝光的膜进行显影的步骤。有机系显影液的制造方法包括：使含有有机溶剂的液体在具有液体入口部、液体出口部、及设置在将液体入口部与液体出口部加以连接的流路内的过滤膜的过滤装置中通过的步骤。液体入口部处的液体的温度(TI)与液体出口部处的液体的温度(To)的差的绝对值(|TI‑To|)为3℃以下，过滤装置中的液体的过滤速度为0.5L/min/m2以上，过滤装置中的液体的过滤压力为0.1MPa以下。
图案形成方法电子元件制造

[发明专利]图案形成方法-CN201910977728.2在审
发明人：山中司;川本崇司 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明可提供一种使用化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系显影液的图案形成方法，尤其在使用有机系显影液来形成微细化(例如30nm节点以下)图案的负型图案形成方法中，可减少微粒的产生。一种使用化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系显影液的图案形成方法，上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系显影液的碳数22以下的烷基烯烃含量为1ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5ppm以下。
显影液有机系化学增幅型抗蚀剂图案化图案形成烷基负型图案金属元素微细化碳数烯烃图案

[发明专利]化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法-CN201510952485.9有效
发明人：山中司;川本崇司;井口直也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C07C29/76 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其在使用有机系显影液形成微细化(例如，30nm节点以下)图案的负型图案形成技术中，可减少粒子的产生的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液及其制造方法、及其应用，化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法包括使含有有机溶剂的液体在具有液体入口部、液体出口部、及设置在将液体入口部与液体出口部加以连接的流路内的过滤膜的过滤装置中通过的步骤，且液体入口部处的液体的温度(T_I)与液体出口部处的液体的温度(T_o)的差的绝对值(|T_I‑T_o|)为3℃以下，过滤装置中的液体的过滤速度为0.5L/min/m²以上，过滤装置中的液体的过滤压力为0.1MPa以下。
化学增幅型抗蚀剂膜图案化用有机处理及其制造方法应用

[发明专利]化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液及其制造方法、及其应用-CN201480019879.2有效
发明人：山中司;川本崇司;井口直也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其在使用有机系显影液形成微细化(例如，30nm节点以下)图案的负型图案形成技术中，可减少粒子的产生的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液及其制造方法、及其应用，化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法包括使含有有机溶剂的液体在具有液体入口部、液体出口部、及设置在将液体入口部与液体出口部加以连接的流路内的过滤膜的过滤装置中通过的步骤，且液体入口部处的液体的温度(T_I)与液体出口部处的液体的温度(T_o)的差的绝对值(|T_I‑T_o|)为3℃以下，过滤装置中的液体的过滤速度为0.5L/min/m²以上，过滤装置中的液体的过滤压力为0.1MPa以下。
化学增幅型抗蚀剂膜图案化用有机处理及其制造方法应用

[发明专利]化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器及其用途-CN201510490049.4在审
发明人：山中司;川本崇司 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明可提供一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器及其用途，上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液尤其在使用有机系显影液来形成微细化(例如30nm节点以下)图案的负型图案形成方法中，可减少微粒的产生。一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件，上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的碳数22以下的烷基烯烃含量为1ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5ppm以下。
化学增幅型抗蚀剂膜图案化用有机处理收容容器及其用途

[发明专利]化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件-CN201380056879.5在审
发明人：山中司;川本崇司 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明可提供一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件，上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液尤其在使用有机系显影液来形成微细化(例如30nm节点以下)图案的负型图案形成方法中，可减少微粒的产生。一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、以及使用其的图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件，上述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的碳数22以下的烷基烯烃含量为1ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5ppm以下。
化学增幅型抗蚀剂膜图案化用有机处理收容容器以及使用形成方法电子元件制造