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[发明专利]钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法-CN202010316314.8有效
发明人： 崔义乾;吴伟梁;乔振聪;马丽敏;陈浩;刘志锋;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，该方法包括：(1)、在双面制绒后的硅基体双面制备p+掺杂区域；(2)、将硅基体的一面放入酸性溶液中刻蚀，以去除背面p+掺杂区域；(3)在硅基体背面制备隧穿氧化层和本征非晶硅层；(4)对硅基体的本征晶硅层进行掺杂处理，并清洗；(5)、对硅基体退火，以形成掺杂的多晶硅薄膜；并去除正面的硼硅玻璃层；(6)、在硅基体的双面制备复合层；(7)在硅基体的正面复合层上依次制备正面电子传输层、正面钙钛矿吸收层和正面空穴传输层；在硅基体的背面复合层上依次制备背面空穴传输层、背面钙钛矿吸收层和背面电子传输层；(8)、在硅基体的双面制备金属电极。
钙钛矿 topcon 钙钛矿叠层太阳能电池制备方法

[发明专利]钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202010691446.9有效
发明人：段羽;王锦涛;崔义乾;陈琛;王振宇 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其中的方法包括：S1、配制复合电荷传输层溶液，旋涂在衬底上，干燥后形成复合电荷传输层；S2、配制钙钛矿前驱体溶液，旋涂在复合电荷传输层上，在复合电荷传输层的作用下干燥后形成梯度带隙的钙钛矿功能层；S3、配制第二电荷传输层溶液，旋涂在钙钛矿功能层上，干燥后形成第二电荷传输层；S4、将第二电荷传输层放置在掩膜版上，送入蒸镀仓内进行电极蒸镀形成背电极。由于修饰材料的离子会扩散到钙钛矿功能层中进入钙钛矿晶格并参与结晶进程，形成了梯度掺杂，进而得到了梯度带隙的钙钛矿功能层，增加了钙钛矿太阳能电池对光谱的有效利用。
钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于LPCVD二次离子注入制备钝化接触结构的方法-CN201911225719.4有效
发明人：林建伟;陈嘉;崔义乾;乔振聪 -专利权人：江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于LPCVD二次离子注入制备钝化接触结构的方法，能够很好地解决管式LPCVD离子注入法制备重掺杂的多晶硅层遇到的问题，即提高表面离子浓度的同时不可避免的导致扩散穿过隧穿氧化层的离子增多的问题，可提高多晶硅的表面离子浓度，提高电导率，减小接触电阻，从而提高电池填充因子；减小扩散穿过隧穿氧化层的离子，减少俄歇复合，提高该结构的钝化效果，提高开路电压和短路电流；工艺过程成熟，采用已有设备二次工艺即可完成。
一种基于 lpcvd 二次离子注入制备钝化接触结构方法

[发明专利]一种硼扩散方法及N型太阳能电池片制备方法-CN202010038022.2有效
发明人：陈嘉;崔义乾;季根华;刘志锋;何大娟;林建伟 -专利权人：江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种硼扩散方法，包括以下步骤：1)选择N型硅基体作为衬底进行双面制绒处理；2)对N型硅基体进行湿法氧化，在硅表面形成一层氧化硅层；3)在N型硅基体表面采用三溴化硼作为硼源进行双面p+掺杂区域的制备；4)将N型硅基体的其中一面放入HF、HNO3及H2SO4混合溶液中进行刻蚀处理以去除背面的氧化硅层和背面p+掺杂区域并得到刻蚀后平缓的金字塔表面，另一面放入HF溶液以去除正面的氧化硅层。本发明在硅表面于硼扩散前制备一层氧化硅薄膜防止BRL的形成；湿法制备的氧化硅层均匀性良好；工艺简单，不需要增加工序；把氧化和HF清洗工艺分开进行，大大拓宽了工艺窗口。
一种扩散方法太阳能电池制备

[实用新型]N-TOPCon太阳能电池中制备双面氧化硅的设备-CN202120616733.3有效
发明人：杜哲仁;崔义乾;陈嘉;黄健;乔振聪;刘荣林 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种N‑TOPCon太阳能电池中制备双面氧化硅的设备，包括填充有工艺气体的氧化硅工艺腔，该氧化硅工艺腔中的载板的上方安装有第一离子源，所述第一离子源用于在载板上的N型硅的正面产生氧离子，产生的氧离子和硅片正表面进行反应形成氧化硅；氧化硅工艺腔中的下方安装有第二离子源，所述第二离子源用于在第一离子源工作时同步在N型硅的背面产生氧离子。本实用新型在保证洁净度的同时，减少工序，解决N‑TOPCon工序多的问题，增强N‑TOPCon的核心竞争力。
topcon 太阳能电池制备双面氧化设备

[发明专利]N-TOPCon太阳能电池、组件、系统及电池中制备双面氧化硅的方法、设备-CN202110322400.4在审
发明人：杜哲仁;崔义乾;黄健;乔振聪;陈嘉;刘荣林 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种N‑TOPCon太阳能电池、组件、系统及电池中制备双面氧化硅的方法、设备，其中方法包括：步骤S1.以N型硅作为衬底，在N型硅的正面制备p+掺杂区域；步骤S2.在N型硅的正面制备氧化硅薄膜，同时在N型硅的背面制备隧穿氧化层；步骤S3.在N型硅的背面制备掺磷多晶硅；步骤S4.在N型硅的正面和背面制备钝化膜后印刷金属电极。本发明在保证洁净度的同时，减少工序，解决N‑TOPCon工序多的问题，增强N‑TOPCon的核心竞争力。
topcon 太阳能电池组件系统电池制备双面氧化方法设备

[实用新型]钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池-CN202020608679.3有效
发明人： 崔义乾;吴伟梁;乔振聪;马丽敏;陈浩;刘志锋;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池。该电池包括N型硅基体，N型硅基体的正面从内到外依次包括p+掺杂区域、正面复合层、正面电子传输层、正面钙钛矿吸收层、正面空穴传输层、以及正面金属电极；N型硅基体的背面从内到外依次包括隧穿氧化层、背面n+掺杂区、背面复合层、背面空穴传输层、背面钙钛矿吸收层、背面电子传输层、以及背面金属电极。本实用新型通过将钙钛矿电池作为底层电池，可以将背面入射光中硅太阳电池吸收不了的短波段进行吸收，提高电池组件对太阳光的利用率；通过在硅电池的底部反射回去的光进入底钙钛矿层再进行折射、反射，可以进一步提高太阳能电池的光吸收性能。
钙钛矿 topcon 钙钛矿叠层太阳能电池

[发明专利]一种全无机钙钛矿层及其制备方法和应用-CN201910290507.8在审
发明人： 崔义乾;唐泽国;张倩 -专利权人：北京宏泰创新科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种全无机钙钛矿层，在所述全无机钙钛矿层中掺杂有铵盐类的稳定剂，有效的抑制了钙钛矿材料中离子的迁移，维持了钙钛矿相的稳定。本发明还公开了一种掺杂有稳定剂的钙钛矿层的制备方法和应用，通过掺杂本发明中的稳定剂，提高了钙钛矿单结太阳能电池和钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池的稳定性，进一步提高了光电转换效率，最高可达25.04％。
稳定剂无机钙矿层制备方法和应用掺杂钙钛矿单结太阳能电池叠层太阳能电池光电转换效率钙钛矿材料钙钛矿层钙钛矿相硅异质结铵盐类离子迁移

[发明专利]一种产生不同气体温度等离子体光子晶体的方法-CN201710297090.9有效
发明人：董丽芳;刘彬彬;崔义乾 -专利权人：河北大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种产生不同气体温度等离子体光子晶体的方法。该方法包括如下步骤：在真空反应室内设两个水电极，水电极与等离子体发生电源电连接；在两个水电极间设边框，在边框内开若干直径为1mm的孔隙，相邻两个孔隙间距为1mm。向真空反应室内通入空气或空气和氩气的混合气体作为放电气体，调节放电气体的气压为0.1—0.55atm；闭合开关，在放电间隙内产生等离子体光子晶体，且相邻孔隙内产生不同气体温度的等离子体光子晶体。本发明首次实现了不同气体温度的等离子体光子晶体，增加了对光调制的选择方式，这种对光的传播进行控制和调节的方法实现了对光束调制的多样化、方便化、高效化，在工业领域具有广泛的应用前景。
一种产生不同气体温度等离子体光子晶体方法

[发明专利]一种产生旋转六边形等离子体光子晶体的装置及方法-CN201610543583.1有效
发明人：董丽芳;崔义乾;贺亚峰 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种产生旋转六边形等离子体光子晶体的装置及方法。所述装置包括真空反应室、设置在真空反应室内的两个水电极以及与水电极电连接的等离子体发生电源；在两个水电极之间设置有边框，所述边框的内沿是由若干棘齿依次排列而成，且所述边框的内沿构成放电间隙边界。当等离子体发生电源的电压一定时，会在两个水电极之间的放电间隙内产生旋转六边形等离子体光子晶体。本发明中所产生的等离子体光子晶体由于自身的旋转，在入射光不变的情况下，即可使自身的色散曲线、带隙中心频率与带隙宽度得到改变；还可以通过增加压强或降低氩气含量来增快旋转速度，反之则减慢旋转速度，进一步丰富了对光传播选择性的调制。
一种产生旋转六边形等离子体光子晶体装置方法

[发明专利]一种产生不同气体温度等离子体光子晶体的装置-CN201710297088.1在审
发明人：董丽芳;刘彬彬;崔义乾 -专利权人：河北大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种产生不同气体温度等离子体光子晶体的装置。所述装置包括真空反应室、水电极和等离子体发生电源。在真空反应室内设置有两个水电极，所述水电极内设置有铜制圆环；等离子体发生电源通过铜制圆环与水电极电连接；在两个水电极之间设置有特制的固体边框，所述边框由10*10—20*20的直径为1mm的孔隙均匀排列而成，优选16*16，相邻两个孔隙的间隔为1mm。采用本发明可以产生不同气体温度的等离子体光子晶体。本发明首次实现了不同气体温度的等离子体光子晶体，增加了对光调制的选择方式，且这种对光的传播进行控制和调节的方法实现了对光束调制的多样化、方便化、高效化，这在工业领域具有广泛的应用前景。
一种产生不同气体温度等离子体光子晶体装置

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