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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201880082056.2有效
发明人： 山本淳平;生田哲也 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：提供一种接合型半导体发光元件，该半导体发光元件的发光功率以及正向电压的经时变化少，可靠性优异，并且中心发射波长为1000～2200nm。根据本发明的半导体发光元件(100)具有：导电性支承基板(80)；金属层(60)，其设于导电性支承基板(10)上且包含反射金属；半导体层叠体(30)，其设于金属反射层(60)上，是将至少含有In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层多层层叠而成的；n型InGaAs接触层(20A)，其设于半导体层叠体(30)上；以及n侧电极(93)，其设于n型InGaAs接触层(20A)上，其中，从半导体层叠体(30)发射的光的中心发射波长为1000～2200nm。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201780078274.4有效
发明人： 山本淳平;生田哲也 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：提供一种在包含InP包层的接合型半导体发光元件中能够缓和发射光谱中的多峰的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件在导电性支承基板上依次设置有第1导电型InP包层、半导体发光层和第2导电型InP包层，将所述第2导电型InP包层作为光提取侧，在所述导电性支承基板与所述第1导电型InP包层之间还具有金属反射层，所述金属反射层将从所述半导体发光层发射的光反射，在所述第2导电型InP包层的表面设置有多个凹部。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体光器件的制造方法和半导体光器件-CN201780039013.1有效
发明人： 山本淳平;生田哲也 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：提供在具有至少包含In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层的半导体光器件中，可以使厚度比以往更小的半导体光器件的制造方法和半导体光器件。本发明的半导体光器件的制造方法具有：在InP生长用基板(10)上形成半导体层叠体(30)的工序；至少夹着金属接合层(70)将半导体层叠体(30)与由Si基板构成的支承基板(80)接合的工序；以及去除InP生长用基板(10)的工序。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201980025987.3在审
发明人： 山本淳平;生田哲也 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缓和发光光谱中的多峰从而成为单峰的半导体发光元件。基于本发明的半导体发光元件在基板上依次设有反射层、由至少包含In和P的InGaAsP形成的第一导电型包层、发光中心波长为1000～2200nm的半导体发光层、以及由至少包含In和P的InGaAsP形成的第二导电型包层，将前述第二导电型包层作为光取出侧，前述第二导电型包层的光取出面的表面是表面粗糙度Ra为0.03μm以上且凹凸图案无规的粗糙面。
半导体发光元件及其制造方法

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