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- [发明专利]功率放大器-CN200810128098.3无效
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陈凝;铃木恭宜;广田哲夫;山尾泰
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株式会社NTT都科摩
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2004-08-06
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2008-12-10
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H03F3/72
- 一种功率放大器。该功率放大器(1),输入输入信号(10),并响应该输入信号,将放大后的信号作为输出信号(11)输出,其由以下各单元构成:并联连接的N(N是大于等于2的整数)个功率放大单元(12),其响应输入信号(10)而输出放大信号;输出合成单元(14),其合成来自该N个功率放大器(12)的各个信号,并将其作为该功率放大器的输出信号(11)输出;以及振幅控制单元(15),其根据上述输入信号(10)的振幅,从上述N个功率放大器(12)中选择应该动作的功率放大单元。从而能够在恒定振幅信号的情况下,在连续的功率范围内控制输出功率,并在非恒定振幅信号的情况下,进行低失真且高效率的放大。
- 功率放大器
- [发明专利]滤波器-CN200510009125.1无效
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佐藤圭;楢桥祥一;广田哲夫;山尾泰
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株式会社NTT都科摩
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2005-02-03
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2005-08-10
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H01P1/20
- 本发明提供一种滤波器,其保持在外壳中包含的滤波器的低插入损耗特征,所述外壳具有由超导体形成外壳的内壁的非常简单的结构。共面波导滤波器(22)包括:电介质衬底、多个谐振器5a、5b、5c和5d以及输入/输出端部4a和4b,其中每个部件都由中心导体(2)与接地导体3a和3b形成,并且两者都形成在电介质衬底(1)的同一表面上,而且接地导体3a至3d被形成在中心导体(2)的相对端上并且与中心导体(2)平行,滤波器(22)被包含在具有内壁的外壳(21)内,所述外壳的表面由超导体层(23)形成。举例而言,诸如镧、钇、铋、铊超导体等高温超导体被沉积在诸如MgO、SrTiO3、LaGaO3或LaAlO3等金属氧化物材料的衬底上作为薄膜,以提供应用到外壳(21)的内表面上的具有超导体薄膜的衬底(25)。从滤波器(22)辐射的电磁功率当其冲击到在其超导状态中的超导体层(23)时不产生功耗,而是从其被反射以由滤波器(22)吸收,因此降低了滤波器插入损耗。
- 滤波器
- [发明专利]功率放大器-CN200410056400.0无效
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陈凝;铃木恭宜;广田哲夫;山尾泰
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株式会社NTT都科摩
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2004-08-06
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2005-02-16
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H03F3/68
- 一种功率放大器。该功率放大器(1),输入信号(10),并响应该输入信号,将放大后的信号作为输出信号(11)输出,其由以下各单元构成:并联连接的N(N是大于等于2的整数)个功率放大单元(12),其响应输入信号(10)而输出放大信号;输出合成单元(14),其合成来自该N个功率放大器(12)的各个信号,并将其作为该功率放大器的输出信号(11)输出;以及振幅控制单元(15),其根据上述输入信号(10)的振幅,从上述N个功率放大器(12)中选择应该动作的功率放大单元。从而能够在恒定振幅信号的情况下,在连续的功率范围内控制输出功率,并在非恒定振幅信号的情况下,进行低失真且高效率的放大。
- 功率放大器
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