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[发明专利]柔性的聚合物电解质硅一体化电极及其制备方法与应用-CN202310947337.2有效
发明人：王东;刘先正;温广武;刘峰 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性的聚合物电解质硅一体化电极，聚合物电解质硅一体化电极包括硅电极和聚合物电解质；其中，硅电极的原料包括硅粉、碳黑和阴离子型粘结剂；聚合物电解质的原料包括聚偏氟乙烯‑六氟丙烯、双三氟甲基磺酰亚胺锂、聚氧化乙烯。本发明使用高柔性的聚合物电解质和具有丰富多孔结构的硅电极，通过改进电极制备工艺，以及电极与聚合物电解质的复合工艺，构建独特的电极/电解质一体化结构。制得的聚合物电解质硅一体化电极具有优异的离子传导率、高的容量和好的循环稳定性，且聚合物电解质硅一体化电极简化了固态电池组装流程，缩减了实验成本，在实际电化学储能应用中具有重要意义。
柔性聚合物电解质一体化电极及其制备方法应用

[发明专利]高能量密度的固态硅硫一体化电极及其制备方法与应用-CN202310947333.4有效
发明人：王东;刘先正;温广武;刘峰 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种高能量密度的固态硅硫一体化电极及应用，固态硅硫一体化电极包括复合负极、复合正极和固态电解质；其中，复合负极的原料包括硅锂合金、磷酸钛铝锂和碳黑，复合正极的原料包括硫‑碳纳米管复合材料、磷酸钛铝锂和碳黑，固态电解质的原料包括磷酸钛铝锂、聚偏氟乙烯‑六氟丙烯和双三氟甲基磺酰亚胺锂。本发明通过对电极及电解质的成分进行优化，对电极的制备工艺进行改进，构建了一种电极/电解质/电极一体化结构，有效提高了锂离子在电极/电解质界面处的迁移动力学，降低界面接触电阻。将固态硅硫一体化电极与集流体封装，制得高能量密度、高安全性的固态硅硫一体化电池，在电化学储能领域具有极大的市场应用前景。
高能量密度固态一体化电极及其制备方法应用

[发明专利]一种掺杂型无钴单晶富锂锰基正极材料的制备方法-CN202110635914.5有效
发明人：王桢;刘文奇;田建涛;温广武 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2021-06-26 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池正极材料的制备技术领域，具体提供一种掺杂型无钴单晶富锂锰基正极材料Li1+a[NixMny]1‑aMzO2，其中0≤a≤0.3，x+y=1,0.1≤x≤0.5,0.5≤y≤0.7,0z≤0.04，M为Ta、Nb中的一种元素或两种元素的比例混合物的方法。该制备方法通过去除钴元素的添加，可以提高性能和安全性而且可以降低成本，同时掺杂Ta离子或Nb离子提高材料的循环及倍率性能，从而得到稳定性能高、安全性强、能量密度高、循环性能好且低成本的掺杂型无钴单晶富锂锰基正极材料，在商业领域有巨大的潜力。
一种掺杂型无钴单晶富锂锰基正极材料制备方法

[发明专利]一种两步补钾制备钾离子电池正极材料的方法-CN202110636283.9有效
发明人：王桢;刘鹏东;温广武 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01M4/50 文献下载
摘要：本发明属于钾离子电池正极材料的制备技术领域，具体提供一种两步补钾制备钾离子电池正极材料的方法。所述正极材料化学式为KxNi0.133Co0.133MnyO2，其中0≤x≤1.2，0≤y≤0.8。其制备的步骤为：首先制备出前驱体，将前驱体经过高温煅烧后得到中间体，再向中间体中加入钾源和熔融盐后进行回火处理，处理完成后用无水乙醇洗、干燥，最终得到材料。本发明采用的两步补钾的方法可以有效解决钾锰氧化物中的钾含量较低，使正极容量得到恢复，可以使钾离子电池的容量有一个极大提高。同时本方法在制备过程中具有生产成本低、绿色环保，工艺简单的特点。
一种两步补钾制备离子电池正极材料方法

[发明专利]一种细化h-BN粉体的制备工艺-CN202011325360.0有效
发明人：温广武;孙志远;王桢 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及一种细化h‑BN粉体的制备工艺，在高能球磨的基础上采用硬质颗粒c‑BN切削h‑BN晶粒的方式来细化微米级h‑BN粉体，而c‑BN在高温热压的环境下会转变为h‑BN，进而获得致密度高的h‑BN陶瓷。属于高温结构功能一体化陶瓷的技术领域，可适用于雷达的传递窗、天线罩材料、高温金属熔炼坩埚、热电偶保护管、散热片、核反应堆的结构材料等。本方法制备工艺简单，制备环境要求较低，可实现大规模产业化生产，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。
一种细化 bn 制备工艺

[实用新型]一种敞开式循环除盐设备的电极清洗维护装置-CN202122890791.8有效
发明人：王桢;温广武 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种敞开式循环除盐设备的电极清洗维护装置，涉及循环除盐领域，包括主弧形池，所述主弧形池的内侧边焊接有导向轨道，所述主弧形池的内侧边均匀镶嵌有电压激活头，所述主弧形池的内侧边固定焊接有隔离立板，所述主弧形池的顶面镶嵌有提示灯体，所述主弧形池的内侧边固定设置有检测池体，所述主弧形池的一侧边螺栓连接有主外盒体，所述检测池体的顶面水平开设有检测池槽，所述主外盒体的内侧边螺栓连接有激活电压器，所述主弧形池的内侧壁镶嵌有电压主板。本实用新型装置设计结构简单操作简便，在采用了自动化的检测结构使得清洗维护更加的快速高效，同时在双重的检测下使得诊断错误率大大降低。
一种敞开循环设备电极清洗维护装置

[发明专利]一种高强度h-BN陶瓷的制备工艺-CN202011054362.0在审
发明人：温广武;孙志远;王桢 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：本发明涉及一种高强度h‑BN陶瓷的制备工艺，属于高温结构功能一体化陶瓷的技术领域。可适用于雷达的传递窗、天线罩材料、高温金属熔炼坩埚、热电偶保护管、散热片、核反应堆的结构材料等。六方氮化硼(h‑BN)是由硼原子和氮原子以共价键结合而成，具有类似于石墨的层状结构，有“白石墨”之称。BN是良好的绝缘体，热膨胀系数小，且抗震性很高的优点，还具有很高的化学稳定性和优异的热稳定性。本发明通过高温固相反应制备的高强度h‑BN陶瓷。制备方法简单，制备环境要求较低，可实现大规模产业化生产。实验制备的BN陶瓷性能优于传统工艺制备的BN陶瓷，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。
一种强度 bn 陶瓷制备工艺

[发明专利]一种先驱体加入纳米Si粉制备净SiC陶瓷的方法-CN202011054694.9在审
发明人：温广武;杨国威;王桢 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/571 文献下载
摘要：本发明提供了一种先驱体加入纳米Si粉制备净SiC陶瓷的方法。所述方法包括以一定质量比的SiC陶瓷粉，纳米Si粉以及SiC陶瓷先驱体通过共混无压烧结进行制备。传统的碳化硅陶瓷材料采用加压成型烧结或热压烧结进行，对设备的要求较高，工艺复杂成本昂贵，且加工性能差。相比较传统碳化硅陶瓷制备方法，采用先驱体作为粘结剂制备SiC陶瓷得到了广泛的关注，此方法工艺简单，烧结温度低，对设备要求低，成本低廉；但是先驱体在裂解过程后得到的产物为非化学计量比的SiC非晶，一般情况下会有较多的裂解碳残留，对材料的高温性能影响较大。针对这个缺点，本方法通过在体系中加入纳米Si粉与裂解碳进行反应生成SiC，最终得到了符合化学计量比的SiC陶瓷。
一种先驱加入纳米 si 制备 sic 陶瓷方法

[实用新型]一种敞开式循环除盐设备的储能装置-CN202122676042.5有效
发明人：王桢;温广武 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C02F1/469 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种敞开式循环除盐设备的储能装置，涉及循环除盐领域，包括主处理池，所述主处理池的内侧边对称焊接有梯形挡板，所述主处理池的内侧边水平固定连接有导电导轨，所述导电导轨的两端固定对接有绝缘导轨，所述主处理池的内侧边水平设置有支撑横杆，所述主处理池的顶面水平设置有牵引绳，所述主处理池的一侧边螺栓连接有储能蓄电池，所述储能蓄电池的电极位置固定连接有连接导线，所述主处理池的一侧边焊接有进水管，所述主处理池的一侧边焊接有出水管，所述支撑横杆的顶面固定连接有连接绳。本实用新型装置设计结构简单操作简便，才采用了循环式的结构下使得在除盐的过程中电能最大化，大大的提高了储能效率。
一种敞开循环设备装置

[实用新型]一种敞开式循环除盐设备的传动装置-CN202122780122.5有效
发明人：王桢;温广武 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B65G15/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种敞开式循环除盐设备的传动装置，涉及循环除盐领域，包括主处理池，所述主处理池的两侧边水平焊接有固定侧板，所述主处理池的两侧边对称设置有传输电机，所述主处理池的侧边均匀插接有固定轴杆，所述固定轴杆的外侧边固定套接有主齿轮，所述固定轴杆的外侧边固定套接有辅助齿轮，所述主处理池的内侧边水平设置有传输料带，所述传输料带的侧边均匀固定卡接有卡接板，所述传输料带的顶面水平开设有顶齿槽，所述卡接板在远离传输料带的一侧边竖直向开设有卡接凹槽。本实用新型装置设计一体化结构简单操作简便，在采用了多齿轮的牵引传输结构下使得传输更加的稳定高效，同时安装电极板方便快捷。
一种敞开循环设备传动装置

[实用新型]一种敞开式循环除盐设备的曝气装置-CN202122931820.0有效
发明人：王桢;温广武 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C02F7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种敞开式循环除盐设备的曝气装置，涉及循环除盐领域，包括主池底板，所述主池底板的顶面焊接有固定顶块，所述固定顶块的内侧边插接有辅助轴杆，所述固定顶块的内侧边插接有主轴杆，所述固定顶块的外侧边套接有传输带体，所述传输带体的外侧边均匀固定卡接有搅动杆体，所述主池底板的底面设置有传输电机，所述主池底板的底面焊接有U形固定块，所述U形固定块的内侧边水平设置有主齿轮，所述主池底板的底面固定插接有辅助中杆，所述辅助中杆的外侧边套接有辅助齿轮。本实用新型装置设计一体化结构简单操作简便，在采用了传输交叉式的结构下使得曝气更加的充分，不会形成液体的同方向的流动而溢出情况。
一种敞开循环设备装置

[发明专利]一种超细碳化硅粉体的制备工艺-CN202010991640.9在审
发明人：温广武;孙志远;王桢 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备碳化硅超细陶瓷粉体的方法，包括如下步骤：1）按照质量分数，将40~70%的炭黑粉末、0~30%的二氧化硅粉末、0~30%鳞片石墨粉、0~70%的熔石英粉末混合均匀，得到原料；2）将原料置于球磨机中，球磨至粒径小于20μm得到混合粉料；3）将均匀混合的粉体置于模具中，采用冷压的方式使其变为块状样品，压力为10‑50MPa，保压2‑8分钟；4）加热坯料后降温即得所述含有碳化硅的陶瓷材料。该制备方法简单，降低了原料成本，可大规模制备。
一种碳化硅制备工艺

[发明专利]一种可降低纳米硅负极材料遇水氧化提高电化学性能的方法-CN202010991725.7在审
发明人：温广武;张俊亭;王桢 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池负极材料的制备技术领域，具有提供一种降低纳米硅负极材料遇水氧化提高电化学性能的方法。该方法按以下步骤进行：将纳米硅材料分散在去离子水中，加入一定比例的混合酸，一定转速搅拌，搅拌1‑6 h后，水洗、抽滤至弱酸性或中性，随后进行100‑300℃鼓风干燥，即得到遇水不氧化电化学性能较好的纳米硅负极材料。该方法操作简单，易于操作，能够降低在硅碳负极制备过程中纳米硅的氧化问题，从而能够使材料发挥出更好的电化学性能。
一种降低纳米负极材料氧化提高电化学性能方法

[发明专利]一种利用氧化石墨烯制备新型硅碳负极材料的方法-CN202011005145.2在审
发明人：温广武;刘峰;王桢 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池负极材料的制备技术领域，具体提供一种利用氧化石墨烯制备新型硅碳负极材料的方法，该制备方法简单快速，能将Si材料均匀的被氧化石墨烯包覆，大大降低了硅碳负极材料的合成成本，其倍率性能和循环性能也得到明显提高。
一种利用氧化石墨制备新型负极材料方法

[发明专利]一种先驱体转化碳化硅陶瓷及其制备方法-CN202010982142.8在审
发明人：温广武;杨国威;王桢 -专利权人： 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供了一种先驱体转化碳化硅陶瓷及其制备方法。所述方法包括以如下质量百分比的原料通过共混无压烧结进行制备：60%‑80%的碳化硅陶瓷粉以及20%‑40%的碳化硅陶瓷先驱体。一般的碳化硅陶瓷材料均采用加压成型烧结或热压烧结进行，加压压力大烧结温度高，对设备的要求较高，工艺复杂成本昂贵。相比较传统碳化硅陶瓷制备方法，本发明工艺简单，烧结温度低，对设备要求低，成本低廉。
一种先驱转化碳化硅陶瓷及其制备方法

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