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[发明专利]一种提高金刚刀切割使用寿命的方法-CN202311019337.2在审
发明人：李法健;吴金凤 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高金刚刀切割使用寿命的方法，属于LED晶片切割技术领域，包括贴膜、烘烤、P面半切、再次贴膜、沿CH1/CH2面等距离分开、扩摸以及磨刀等步骤，该方法在切割过程能延长金刚刀的使用寿命，减少因金刚刀磨损导致的切割外观异常，能够很好的提升外观良率，提高金刚刀的使用寿命，降低金刚刀的使用成本，易于工业化实现。同时提供一种喷水支架，能够很好的在锯片机切割过程中增加晶片表面RO水的流动性，更好的降低切割过程中金刚刀的温度，避免RO水长时间静止在芯片表面，在切割碎屑的作用下与晶片的铝电极发生发应，造成污染。
一种提高金刚切割使用寿命方法

[发明专利]一种切割砷化镓基LED晶片的方法-CN202310542417.X在审
发明人：李法健;吴金凤;吴向龙 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开一种切割砷化镓基LED晶片的方法，包括步骤：(1)对晶片N面电极贴膜。然后对得到的晶片进行加热烘烤。(2)利用机械切割工具对该晶片的N面电极隔着膜层进行间隔全切，切割方向为CH1晶面。完成后继续沿着CH2晶面方向进行全部全切。完成后再次沿着所述CH1晶面方向进行全部全切。(3)将完成步骤(2)的晶片翻转使其P面电极朝上，贴膜的N面电极朝下，然后对P面电极进行扩膜，使所述晶片分割成为一个个独立的管芯，即可。本发明先在膜上进行半切，并在全切过程中不使用激光划片和裂片机，通过刀轮多通道切割更好的释放应力，全切避免切割过程中产生的P崩、N崩、裂纹等外观异常，能够很好的提升外观良率。
一种切割砷化镓基 led 晶片方法

[发明专利]一种GaAs基LED外延片的老化方法-CN202210347223.X在审
发明人：李晓明;郑波;黄寿东;智友臻;王彦丽 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基LED外延片的老化方法，通过在GaAs基发光二极管外延片制作一个未完全分割开的正方形切割图形，再通过P面放在导电金属板、N面放在导电铜板上的方式，形成通电老化，将老化测试的过程选择在制备芯片的过程之前，从根本上解决了需制造GaAs基LED芯片造成的老化反馈周期长的问题，该老化方法操作简单，老化反馈周期可缩短80％以上，能有效的完成GaAs基LED外延片的老化，减少不必要的制造浪费。
一种 gaas led 外延老化方法

[发明专利]一种新型钝化层开孔方法-CN202210311447.5在审
发明人：彭璐;谭立龙;赵克家 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B23K26/382 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型钝化层开孔方法，属于半导体制造技术领域，包括：将完成钝化层制作的晶片放入激光划片机；根据开孔大小及钝化层厚度，优化激光功率、脉冲频率、激光焦点和切割速度；根据步骤(2)优化的参数对开孔区域进行激光开孔作业，激光开孔时未烧蚀钝化层的整个厚度，在钝化层底部留有一保留层；将激光开孔后的晶片进行酸性溶液清洗或干法刻蚀处理，对表面附着物、生成物和保留层进行去除，即完成钝化层的开孔。本发明可以不影响其下部结构的性质，且方法简单、环保，开孔效率较高。
一种新型钝化层开孔方法

[发明专利]一种使用单一坩埚蒸镀厚铬金属层的方法-CN202011541707.5有效
发明人：徐晓强;程昌辉;吴向龙;闫宝华;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供一种使用单一坩埚蒸镀厚铬金属层的方法；使用单一坩埚，通过电子束和坩埚位置的调整，实现了将每次蒸镀形成的翘曲层重新打散成颗粒，然后继续进行蒸镀，以此完成了金属Cr厚膜层的蒸镀。本发明方法克服了制备厚金属Cr层需要通过多坩埚蒸镀的弊端，通过调整蒸镀过程中金属源表面形态，以较简单的方法、较低的成本、使用单一坩埚即可有效实现厚金属Cr层的制备。
一种使用单一坩埚蒸镀厚铬金属方法

[发明专利]一种大发光角的GaAs基Mini LED芯片及其制造方法-CN202310766906.3在审
发明人：吴向龙;宋建鑫;郑军 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种大发光角的GaAs基Mini LED芯片及其制造方法。包括从下至上依次设置的背镀功能层，衬底、键合层SiO2和P‑GaP光窗口层；P‑GaP光窗口层上设有台面，台面包括从下至上依次设置的P‑GaP欧姆接触层、P‑AlInP波导层、MQW发光层、N‑AlInP波导层、N‑AlGaInP电流扩展层和N‑GaAs欧姆层；台面下、P‑GaP光窗口层上设有和P欧姆接触电极；台面上、N‑GaAs欧姆层上设有N欧姆接触电极；台面上和台面下均设有DBR钝化层；P欧姆接触电极的DBR钝化层上方设有P‑Pad焊盘；N欧姆接触电极的DBR钝化层上方设有N‑Pad焊盘。本发明还提供了该芯片的制备方法。本发明通过背镀功能层改变出射光的角度，通过正面增加DBR薄膜再处理利用正面出射的光，达到提高光利用率及光效的同时，还可以直接调节出射光的角度。
一种发光 gaas mini led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种倒装AlGaInP发光二极管的制备方法-CN202210247697.7在审
发明人：吴向龙;闫宝华;彭璐;王成新;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：一种倒装AlGaInP发光二极管的制备方法，该制备方法采用透明金属氧化物作为欧姆接触层，通过对合金条件优化，可同时与P‑GaP和N‑GaAs形成欧姆接触，无需对P‑GaP欧姆接触层和N‑GaAs欧姆接触层单独进行欧姆接触制程，工艺简单，成本低，且透明欧姆接触层可同时提高发光强度。
一种倒装 algainp 发光二极管制备方法

[发明专利]一种改善LED芯片切割污染的方法-CN202310634432.7在审
发明人：郑军;邢建国 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善LED芯片切割污染的方法，属于LED芯片切割领域，包括：将掩膜版覆盖在待切割的LED芯片上，掩膜版覆盖在芯片上后单个晶粒漏出，晶粒之间的切割道被覆盖；将覆盖掩膜版的LED芯片表面再涂覆一层保护液，然后去掉掩膜版；将涂覆保护液的芯片正面电极向下，背面电极向上放置在贴膜机台面上进行贴膜，芯片贴附在蓝膜上；将贴膜后的芯片放置在锯片机工作盘上，进行全切透作业；对切割后的芯片进行清洗、扩膜；检验。本发明在芯片切割前涂覆一层水溶性的保护液，通过给芯片增加一层保护膜来改变切割过程中芯片表面的残留碎屑污染的问题，有效保证了切割后芯片表面的外观洁净度，提高了产品后续焊线的牢固度，提升产品良率。
一种改善 led 芯片切割污染方法

[发明专利]一种提高晶粒转移性能的方法-CN202310642971.5在审
发明人：彭璐;王彦丽;谭立龙;吴向龙 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高晶粒转移性能的方法，属于光电子技术领域。方法步骤如下：(1)对已切割完成的晶粒进行清洗，去除表面的切割杂质、颗粒；(2)将承载晶粒的载具进行扩张，使晶粒间露出缝隙；(3)利用旋转涂敷的方式在晶粒上涂敷一定厚度的UV胶；(4)利用模板对位晶粒，然后利用激光进行光照，使晶粒四周及晶粒表面部分位置的UV胶固化；(5)对固化后的UV胶进行水解，使UV胶成独立的包裹晶粒的颗粒，并露出顶部中间位置的晶粒；(6)载具再次扩张，进行晶粒转移。本发明适用于各类型LED芯片，扩大了芯片面积，在运输过程中方便放置，降低了晶粒侧斜、歪倒的几率，容易图像识别，定位晶粒位置，方便吸嘴抓取、搬运芯片。
一种提高晶粒转移性能方法

[发明专利]一种切割道粗化的反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法-CN202310634586.6在审
发明人：吴向龙;闫宝华 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种切割道粗化的反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法，属于光电子技术领域。本发明通过在ICP刻蚀切割道的过程中，调节APC(自动压力控制器)插板阀的角度，利用刻蚀过程中的生成物作为掩膜，达到切割道粗化效果。该方法不需要额外进行一次湿法腐蚀，且对切割道内剩余GaP的厚度没有严格的要求，因此工艺简单，便于生产作业。本发明利用ICP刻蚀形成切割道的过程中同时完成了粗化切割道，不需额外进行湿法工艺粗化，简化了制备工艺，大幅减少工艺流程，相较于现有制备方法的生产周期，本发明的生产周期减少了5％，极大地提高了生产效率，降低生产成本。同时不会造成GaP过腐蚀，提高了良率。
一种切割道粗化极性 algainp 发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法-CN202210069049.7在审
发明人：谭立龙;吴向龙;彭璐;闫宝华 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备领域，其外延片由下至上依次包括衬底、键合层、P‑GaP光窗口层、P‑AlInP波导层、MQW发光层、N‑AlInP波导层、N‑AlGaInP电流扩展层和N‑GaAs欧姆层，N‑GaAs欧姆层和键合层上分别蒸镀有N、P一次电极，在外延片表面沉积有DBR钝化层，P、N导电孔上方分别制作有P、N电极焊盘；键合层包括ITO薄膜、Al2O3薄膜和SiO2薄膜。本发明通过优化键合层结构，提高了衬底替换后的键合良率，并且达到节省外延成本、增加发光面积提升亮度、P和N一次欧姆接触电极同时制作降低芯片成本以及生产周期的效果。
一种 gaas 倒装 mini led 芯片及其制备方法

[发明专利]生产LED外延片的MOCVD系统维护保养后的恢复方法-CN201910680943.6有效
发明人：张义;马旺;王建立;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种生产LED外延片的MOCVD系统维护保养后的恢复方法，通过循环冷却水的升温、高温烘干处理及反应室内气压周期性地高低压变化，可以将反应室中90％左右的水、氧等杂质烘干吹扫清除；再通过依次生长非掺杂GaN层、N型AlGaN层、MgSiAlInGaN层，可以将反应室中剩余的杂质吹扫清除干净；最后再生长一层非掺杂GaN层，可以将反应室内的生长环境进行初始化，减少Mg的记忆效应对后续正常生长外延片的影响；本申请维护保养后可以直接恢复满炉生长，直接满炉生长的芯片的电参数和生长设备维护前无差异，可以提前4炉将生长设备恢复到正常状态，大大降低了生产成本，提高了生产效率。
生产 led 外延 mocvd 系统维护保养恢复方法

[发明专利]一种光刻版表面损伤修复溶液及其应用-CN201910088109.8有效
发明人：胡夕伦;吴向龙;闫宝华;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明涉及光刻板清洗领域，具体涉及一种光刻版表面损伤修复溶液及其应用，一种光刻版表面损伤修复溶液包括重铬酸钾、水溶性铬盐、浓硫酸和水；光刻版表面损伤修复溶液的修复方法包括如下步骤：(1)将所述修复溶液加热并同时搅拌后，静置；(2)将光刻版放入所述修复溶液中浸泡并超声；(3)冲洗光刻板；(4)干燥光刻板；(5)吹干光刻板。修复溶液配置和使用方法简单，成本低廉。该修复溶液对光刻版表面嵌入颗粒物、硌伤等能起到良好的修复作用，清洗后的光刻版表面光鲜、平整，同时又不导致光刻版铬镀层厚度显著下降。保证了后续作业的光刻质量，有利于提升产品质量，同时降低了由于频繁更换新光刻版造成的损失。
一种光刻表面损伤修复溶液及其应用

[发明专利]一种提高砷化镓基LED晶片半切测试准确性的方法-CN202310229355.7在审
发明人：李法健;吴金凤;吴向龙;闫宝华 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高砷化镓基LED晶片半切测试准确性的方法。包括步骤：(1)向砷化镓基LED晶片的电极面涂覆正性光刻胶，甩均匀；(2)将晶片进行曝光，再显影和镜检；(3)将晶片烘干，放入刻蚀机中在晶片中央进行刻蚀；(4)将刻蚀后的晶片进行去胶清洗，在测试机上选择参数档完成光电参数测试。本发明通过在晶片中央进行刻蚀，并控制刻蚀宽度和刻蚀深度为，使得刻蚀深度大于外延结构的厚度，实现晶片的半切，有效克服了使用金刚刀切割导致测试过程中的测试参数不准，波动范围大的问题，极大地提高了后续测试过程中光电参数的准确性。同时降低使用金刚刀切割过程中的易出现的裂片损失以及崩边外观异常，成功的降低成本、提高外观良率。
一种提高砷化镓基 led 晶片测试准确性方法

[发明专利]一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法-CN202111592538.2在审
发明人：李毓锋;王成新;刘振兴 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法。包括步骤如下：(1)在金属基板上制备腐蚀剥离层，然后在腐蚀剥离层上制备过渡界面层；(2)通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度，在过渡界面层上生长GaN厚膜；(3)放入氢氟酸中，腐蚀10‑30分钟，剥离后得到GaN厚膜。本发明提供的在金属基板生长GaN厚膜的方法，在和GaN热膨胀系数相同或相近的金属基板上生长GaN厚膜，生长的GaN厚膜无龟裂，提高了GaN厚膜的合格率，降低了生产成本，并且腐蚀剥离层易被氢氟酸腐蚀，剥离GaN厚膜的过程简单快速，还不会对GaN厚膜造成损伤。
一种金属衬底生长 gan 方法

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