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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]读参考电压校准模型构建方法及装置、校准方法及装置-CN202310736512.3在审
发明人：魏德宝;冯骅;曾彦龙;屈敬媛;乔立岩 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C7/14 文献下载
摘要：读参考电压校准模型构建方法及装置、校准方法及装置，涉及固态存储技术领域。为解决现有技术总存在的，在校准读参考电压时，往往需要多次读取数据，以预测当前读参考电压，导致闪存读取延迟过大的问题，本发明提供的技术方案在于：读参考电压校准模型构建方法，所述方法包括：采集闪存样本数据的步骤；获取所述样本数据的读参考电压数据、对应的电压偏移系数和对应的位跳变数据的读取步骤；重复所述读取步骤至预设次数，构建所述位跳变数据与所述电压偏移系数的转化模型的步骤；基于3‑D闪存读参考电压的层和状态差异，将前述转化模型的优化范围从单个闪存页扩展至全闪存块的步骤。本发明提供的读参考电压校准模型构建方法，通用性强，适用于当前所有类型的3‑D NAND Flash。
参考电压校准模型构建方法装置

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