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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电子设备和用于制造其的方法-CN201610007058.8有效
  • 尹炯舜 - 爱思开海力士有限公司
  • 2016-01-05 - 2020-10-13 - H01L27/11563
  • 一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：在衬底上形成其中层间电介质层与材料层交替层叠的层叠结构；形成多个孔，所述多个孔被布置为具有基本上恒定的间隔，同时通过穿过层叠结构而暴露衬底；在所述多个孔的第一孔中形成沟道层；在所述多个孔的第二孔中形成虚设层；在包括虚设层和沟道层的所得结构上形成掩模图案，以暴露沿第一方向延伸同时与沿第一方向布置的虚设层重叠的区域；以及通过使用掩模图案作为刻蚀阻挡来刻蚀层叠结构并且去除虚设层而形成狭缝。
  • 电子设备用于制造方法
  • [发明专利]在半导体装置中制造图案的方法-CN200810098532.8无效
  • 尹炯舜 - 海力士半导体有限公司
  • 2008-05-22 - 2008-12-31 - H01L21/00
  • 本发明公开了一种在半导体装置中制造图案的方法，其包括下列步骤：形成第一牺牲层图案于图案目标层上方；形成第一间隔物于这些第一牺牲层图案的侧壁；形成一第二牺牲层图案于这些第一牺牲层图案及这些第一间隔物上方，使得使该第二牺牲层图案暴露这些第一间隔物的至少之一；通过在该暴露第一间隔物上形成第二间隔物以形成双间隔物；移除该第二牺牲层图案及这些第一牺牲层图案；以及通过使用这些第一间隔物及该双间隔物作为蚀刻掩模，蚀刻该图案目标层的暴露部分以形成具有由这些第一间隔物所界定的第一节距的第一图案及具有由该双间隔物所界定的第二节距的第二图案。根据本发明，可以在半导体装置中制造具有不同节距的图案的方法。
  • 半导体装置制造图案方法
  •  1 
  • 共 4 条
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