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[发明专利]一种U形薄壁外壳类产品外形校正机构-CN202310965192.9在审
发明人： 尹久红;张冲 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B21D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种U形薄壁外壳类产品外形校正机构，属于电子产品自动化加工领域，包括产品安装座，以及对称设置于校正机构安装板左右两侧的外侧校正机构和内侧校正机构，所述外侧校正机构和内侧校正机构的结构相同，且二者呈中心对称安装于产品安装座两侧，所述产品安装座也安装于所述校正机构安装板上，在所述产品安装座的上方还设置有产品搬运吸头；本发明过巧妙的机械联动结构设计，实现U形产品两侧边的外形校正，且校正的外形角度可以在一定范围内调节，显著提高了产品的合格率，并且校正效率高。
一种薄壁外壳类产品外形校正机构

[发明专利]用于旋磁器件三阶互调电平测试系统及测试方法-CN202310713028.9有效
发明人：王华伟;尹久红;冉扬洲;张成 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于旋磁器件三阶互调电平测试系统及测试方法，用于两路信号在旋磁器件中的三阶互调电平，该测试系统由信号源、功率合成器、衰减器和频率仪等仪器设备搭建而成；第一信号源、第二信号源分别经功率放大、信号隔离、带通滤波后接功率合成器的两个输入端，功率合成器的输出端经低通滤波器连接定向耦合器的输入端，定向耦合器耦合端连接功率计，负载额定功率大于测试系统的传输的最大功率，衰减器一端连接频谱仪，第一信号源、第二信号源均为频率和功率可调的信号源。本发明能测试旋磁器件在较大水平功率信号下的三阶互调性能，提高测试的可靠性和准确性。
用于旋磁器件三阶互调电平测试系统方法

[发明专利]小型化SIW表贴式环行器-CN201810599107.0有效
发明人：高春燕;胡艺缤;燕宣余;闫欢;尹久红;丁敬垒;韩晓川 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01P1/383 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型化SIW表贴式环行器，属于微波元器件领域，包括介质腔体（1）、旋磁基片（2）、永磁体（3）、陶瓷片（4）、表面电路（5）、匹配孔（6）和接地孔（7），其中，所述旋磁基片（2）、匹配孔（6）嵌于介质腔体（1）内，且匹配孔（6）位于旋磁基片（2）正上方，所述接地孔（7）嵌于介质腔体（1）内，所述陶瓷片位于介质腔体（1）上方，所述永磁体（3）位于陶瓷片（4）正上方，所述表面电路（5）附于介质腔体（1）表面，所述环行器通过接地孔（7）将信号端口引至背面实现表贴式形式；本发明的表贴式环行器大大减小尺寸的同时保持高功率，可以实现在22.2‑29.6 GHz频段内，驻波和隔离均在20dB以上良好的环行性能。
小型化 siw 表贴式环行器

[发明专利]微带器件测试夹具-CN201810972277.9有效
发明人：丁敬垒;闫欢;胡艺缤;尹久红 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种微带器件测试夹具，包括基板（1）、支架（2）和测试模块（3），其中，所述支架（2）位于基板（1）上，所述测试模块（3）位于支架（2）上；所述测试模块（3）包括腔体（6）、弹性簧片（7）、下顶片（8）、手柄（9）、限位板（10）、测试连接器（11）和测试插针（12）；本发明可以有效解决传统微带测试夹具插针易损、接地不良和生产效率低下的问题，本发明的使用频率DC～60GHz，而传统微带测试夹具使用频率DC～20GHz，大大延展了微带器件的测试频率，本发明的测试效率为≤1.2分钟/只，而传统微带测试夹具测试效率为≥10分钟/只，大大提升了测试效率，并且提升了微带器件测试夹具测试的准确性。
微带器件测试夹具

[发明专利]交互型片式电容结构及由其组成的环行器/隔离器-CN202310815895.3在审
发明人：何海洋;龙兰心;尹久红 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种交互型片式电容结构及由其组成的环行器/隔离器，属于超低频段无线通信器件技术领域；所述电容结构包括两个银电极，分别为上银电极和下银电极，以及介质层；其中，所述上银电极和下银电极分别依次向内弯折90°，再向内弯折90°后以交错的方式分布；本发明的交互型电容结构电容容值增大，但是电容整体尺寸减小，使用该结构可以实现集总参数隔离器的超低频化设计；本发明不改变器件的生产制作工艺，可以基于目前的生产流程进行加工制造；三层介质板可以增加电容整体的高度，有效降低电容碎裂的风险；采用了较低的介电常数介质，提升了电容的温度稳定性，间接提升了器件的温度稳定性。
交互型片式电容结构组成环行器隔离器

[实用新型]一种用于轴叉压装堵盖的定位工装-CN202223060064.X有效
发明人：汪云;喻擎天;赵永杰;刘建华;尹久红 -专利权人：上海纳铁福传动系统有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B23P19/02 文献下载
摘要：一种用于轴叉压装堵盖的定位工装，轴叉包括前套筒和后花键孔，该工装包括压头组件和定位组件，压头组件可插入花键孔，定位组件可插入前套筒，压头组件与定位组件处于同轴状态，压头组件包括套筒，套筒连接有导向件，导向件上设置的定位部可与后花键孔内壁贴合，定位组件包括定位座、顶出块和限位套，顶出块固设于定位座上，顶出块上套设有弹簧，限位套活动设置于顶出块上并与弹簧抵接，限位套与顶出块形成有供容纳堵盖的定位槽。本实用新型压头组件和定位组件处于同轴状态，通过导向件插入后花键孔实现自动导正轴叉位置，使得堵盖与轴叉处于同轴状态，通过定位槽约束堵盖，保证堵盖在压装时避免出现切边造成漏油现象，进而提高压装质量。
一种用于轴叉压装堵盖定位工装

[实用新型]一种防互吸铆压式环行器-CN202320165553.7有效
发明人：王华伟;奉林晚;刘源;冉扬洲;尹久红 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防互吸铆压式环行器，属于涉及磁性元器件技术领域；本实用新型使用两个小尺寸永磁体，代替原有一个大尺寸的永磁体，解决了器件因安装距离较近产生互吸的问题，元器件在电路板上布局不再受其约束；使用防互吸铆压式环行器，元器件在电路板上的布局可以更密集，更利于小型化的同时，成本也会得到降低。
一种防互吸铆压式环行器

[发明专利]一种新型的表贴式环行器及封装方法-CN201811359942.3有效
发明人： 尹久红;胡艺缤;丁敬垒;高春燕;燕宣余;闫欢;张远 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的表贴式环行器及封装方法。表贴式环行器包括环形器基片、永磁体、设置在环形器基片上的表面电路和三个端口，还包括一上屏蔽板和一下屏蔽板，所述上屏蔽板为开口向下的U形，下屏蔽板为开口向上的U形，二者交错扣合形成一屏蔽壳；所述环形器基片对应端口处分别设置一电路匹配孔，环行器基片上下表面匹配孔处设置金属化圆形或方形焊盘。本发明针对传统微带环行器与整体系统装配困难，占用系统体积大，无法实现电磁屏蔽等技术问题，通过增加金属化过孔、底面电路和金属外壳封装的方法，解决了传统微带环行器的技术难题，真正实现了系统的小型化、与系统的集成化，微带器件与外界电磁设备之间无电磁串扰。
一种新型表贴式环行器封装方法

[发明专利]一种组合电桥方式形成的功分网络-CN202111311917.X有效
发明人： 尹久红;李鹏;丁敬垒;胡艺缤;闫欢;王亚东 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种组合电桥方式形成的功分网络，属于通信器件技术领域，包括三个独立的电桥，分别为一个180°电桥和两个90°电桥；其中，所述三个电桥组合为三层立体结构，从上至下依次为90°电桥、180°电桥和90°电桥；本发明将180°电桥和90°电桥相结合，得到了一种可将功率一分为四，相邻相位相差90°的功分网络，本功分网络呈现立体的堆叠模式，节约了器件的空间。采用级联方式，增大了电桥的带宽；利用铜带软搭接的办法，有效调节了各端口的相位。
一种组合电桥方式形成网络

[发明专利]新型水冷式差相移式隔离器-CN202110690075.7有效
发明人：李鹏;丁敬磊;田珺红;朱家辉;尹久红;杨勤 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型水冷式差相移式隔离器，包括移相段，所述移相段包括重叠设置的上腔和下腔，上腔和下腔表面分别设有一散热槽，散热槽在上腔和下腔的表面弯折分布，且两端贯穿所在上腔或下腔的两侧，散热槽两端分别连接一管道接头和第一水嘴接头，两第一水嘴接头位于同一侧且连通；散热槽内铺设有铜管，铜管经高压液压机压接在散热槽内，两端与对应管道接头和第一水嘴接头焊接，散热槽与铜管的间隙内填充有焊料，所述焊料填满间隙并高温固化。本发明提出了一种新的散热结构，将传统开水槽的方式改变为铺铜管的方式，使水路与移相段分离，长期使用的过程中不漏水，且能有效将移相段上的热量传导到铜管内的冷却液中，保证移相段的散热效率。
新型水冷相移隔离器

[实用新型]一种无毛刺环行器/隔离器腔体结构-CN202222945012.4有效
发明人：刘源;奉林晚;王华伟;张成;张淇玮;尹久红 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01P1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无毛刺环行器/隔离器腔体结构，包括上方敞口的腔体，所述腔体由一体成型的底板和侧壁构成，侧壁上竖直设有三个用于穿过中心导体的矩形缺口，所述底板对应矩形缺口处，分别设有一防打火规避槽，所述防打火规避槽为水平设置的弧形，上下两端贯穿底板上下两面，且其直径的延长线穿过底板的圆心；防打火规避槽与底板上表面的相交处，设有一燕尾槽。本实用新型增设了燕尾槽，在加工燕尾槽时就直接去掉毛刺，减少加工的时间和人工成本；且能使底板上表面更平整，从而在装入各零部件后，再装入盖板向下压紧时，能有效避免腔体底部因毛刺使零部件放置不平整，盖板下压力不均导致零部件碎裂或器件性能异常，提升产品的合格率。
一种毛刺环行器隔离器结构

[发明专利]一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法-CN202211120509.0在审
发明人：奉林晚;尹久红 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进集总参数环行器/隔离器中心导体虚焊缺陷的方法，属于微波器件制造工艺领域，所述方法为在将电阻与电容（2）焊接于壳体（1）上后，增加点焊焊接步骤；本发明通过增加点焊焊接工艺，使焊点在钎焊的基础上增加更可靠的连接；由于这种连接是镀银层间的再熔融，可耐温度为900℃以上，可以保证多次回流焊后，焊点仍然可靠；同时焊接工艺的改变，减去人工检查虚焊筛选工序，减少人工位，提升生产效率；另一方面降低产品对中心导体材料的依赖程度，改善产品零部件材料的可兼容替换。
一种改进参数环行器隔离器中心导体缺陷方法

[发明专利]一种高互调环行器的宽带电路-CN202210862787.7在审
发明人：冉扬洲;李扬兴;夏瑞青;尹久红;王华伟;王莉 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本发明公开了一种高互调环行器的宽带电路，属于微波元器件技术领域，将环行器中心结（501）的半径设置为大于基片（401）的半径；高阻线（503）被中心结输入输出端（502）均分，所述高阻线（503）被环行器输入输出端（504）均分；本发明可以将环行器的互调性能提升20%以上，同时能够将带宽提升至20%～25%，兼顾了环行器的高互调性能和宽工作带宽性能；并且，本发明的电路适用范围广，在圆结、三角结、圆结变形结等中心结条件下，均能实现宽带匹配，适用于带线环行器和微带环行器。
一种高互调环行器宽带电路

[发明专利]无失效数据下获得环行器/隔离器激活能和寿命的方法-CN202210845728.9有效
发明人：陈禹伽;尹久红;奉林晚;王华伟;刘源 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种无失效数据下获得环行器/隔离器激活能和寿命的方法，获取激活能的方法包括选择一款待测产品，预设其工作时的最大功率微波，计算出产品在最大功率微波时的最高内部温度；设置三组加速寿命试验，拟合三组试验条件下每只产品参数随时间变化的退化曲线；预设一极限值，约定退化曲线中参数退化到极限值即产品失效，得到三组试验中每只产品的寿命；分别计算每组试验条件下，产品形状参数和产品寿命的无偏估计；根据无偏估计得到平均寿命期望估计，再根据平均寿命期望估计得到产品激活能。根据激活能计算产品在实际工作环境温度中的寿命。本发明试验时间短、费用低，降低试验复杂度，减少向系统中引入的误差，提高寿命预计的可信度。
失效数据获得环行器隔离器激活寿命方法

[发明专利]一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器-CN202210634202.6有效
发明人：杨勤;冯楠轩;尹久红;张远;兰洋;朱家辉;张芦;张志红;张玉鹏 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01P1/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器，属于微波元器件领域，采用高场设计，设计归一化内场为1.4～1.7，仿真设计内场为52000～63143A/m，包括腔体，所述腔体上设置有磁轭（1），在所述腔体内设置有冷却管路（2），在所述上腔体（3）上设置磁体组合（6），在所述腔体内设置由焊接板（8）、铁氧体（9）和陶瓷（10）组成的旋磁组合体（7），所述铁氧体（9）的磁矩为400 gauss～800 gauss；本发明采用高场设计，实现1.3GHz波导环行器在5kW‑10kW的平均功率耐受，杜绝了器件在高功率下的非线性效应；并且降低器件在高场设计时的磁化难度，减小器件磁体磁化高度。
一种基于陶瓷导热波段大功率波导环行器

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