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[发明专利]施放器-CN201680050543.1有效
发明人：西村真平;德本诚治;小野雅文 -专利权人：久光制药株式会社
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：一实施方式的施放器(1)具备：框体(2)，其具有一端封闭的筒形状，并收容有弹性构件(3)及向微型针(5)传递弹性构件(3)的弹推力(P)的活塞板(4)；以及解除元件(6)，其通过将在框体(2)内以抵抗弹性构件(3)的弹推力(P)的状态被卡止的活塞板(4)解除，从而使活塞板(4)沿着框体(2)的轴向向框体的开口(2a)移动。在通过使解除元件(6)沿着轴向向框体侧移动而将活塞板(4)的卡止解除时，解除元件(6)向框体(2)传递朝向开口(2a)的方向的力。
施放

[发明专利]层状结构、包括层状结构的电子装置、包括电子装置的系统和制造层状结构的方法-CN201811441589.3在审
发明人：藤田静雄;小野雅文;内田贵之;金子健太郎;田中孝;柳生慎悟;四户孝;井川拓人 -专利权人：流慧株式会社;爱德株式会社;国立大学法人京都大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01M8/0228 文献下载
摘要：在本发明主题的第一方面，层状结构包括：基底，该基底包括作为主要组分的第一金属和不同于第一金属的第二金属；以及基底的热氧化膜，该热氧化膜布置在基底上且含有第一金属的氧化物和第二金属的氧化物。包含在基底中的第一金属的原子组成比大于包含在基底中的第二金属的原子组成比。包含在热氧化膜中的氧化物的第一金属的原子组成比小于包含在基底中的第一金属的原子组成比。包含在热氧化膜中的氧化物的第二金属的原子比等于或大于包含在热氧化膜中的氧化物的第一金属的原子比。
金属基底热氧化膜氧化物层状结构原子组成电子装置原子比制造