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- [发明专利]激光器组件-CN03810405.9有效
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早水尚树;大木泰;青柳秀雄;小矶武;山形友二;室清文
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古河电气工业株式会社;三井化学株式会社
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2003-05-08
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2005-08-10
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H01S5/14
- 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是－40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10－3nm－1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。
- 激光器组件
- [发明专利]半导体激光元件-CN02142273.7有效
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藤本毅;室清文;小矶武
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三井化学株式会社
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2002-08-29
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2003-04-02
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H01S5/00
- 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层25的至少一侧设具有活性层25的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层27，在光波导层27外侧设具有光波导层27的禁带宽度以上的禁带宽度的包层28，在光波导层27上，设经选择成长埋入的、具有带状窗R21的折射率控制层31的实际折射率波导型半导体激光元件中，折射率控制层31埋入光波导层27，在埋入的折射率控制层31上设先行选择成长的半导体层30，在包含半导体层30和折射率控制层31的叠层部分中，半导体层30的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层31的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。
- 半导体激光元件
- [发明专利]半导体激光器装置-CN01803534.5有效
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小矶武;藤本毅
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三井化学株式会社
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2001-09-06
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2003-01-29
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H01S5/16
- 一种半导体激光器装置包括第一电流阻挡层及第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层被构成以便于限定一个条形电流注入区域，所述区域沿着从此发射激光装置的前端小平面与对面的所述装置后端小平面被连接的方向延伸，且所述第二电流阻挡层被构成以便于横切于前端小平面附近的条形电流注入区域。所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层由相同层组成。因此，在具有简易构成结构的小平面附近提供有一个电流阻挡层结构，其对半导体激光器装置不造成损坏并且将性能恶化减至最小，从而可以获得高的小平面COD等级及长期连续工作的高可靠性。
- 半导体激光器装置
- [发明专利]振动陀螺仪-CN97191508.3无效
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富川义朗;金山光一;小矶武
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三井化学株式会社
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1997-10-24
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1999-01-27
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G01C19/56
- 具有压电元件60和70组成的压电单元80,在压电元件60的整个下表面62上设置激振电极22,在压电元件60和70间的整个表面上设置激振电极21。激振电极21和22与驱动信号源90相连。在压电元件70的上表面71上设置检测电极31～34,检测电极31和34与输出端50之一相连,检测电极32和33与输出端50的另一端相连。压电元件70向上极化,压电元件60向下极化。激起沿长度方向的激振纵向1次振动,并由检测电极31～34检测2次弯曲振动,输出一个与复合向心力(转动角速度)成正比的电压。上述结构的振动陀螺仪无须贴合,可以降低制造成本、实现薄型化、窄型化。
- 振动陀螺仪
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