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[发明专利]含硼的非晶质二氧化硅粉体和其制造方法-CN202180065653.6在审
发明人：村上泰之;元石沙月;小泉寿夫;小森聪;绪方宏宣 -专利权人：堺化学工业株式会社
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供：低温烧结性比以往还优异的含硼的非晶质二氧化硅粉体。本发明为一种含硼的非晶质二氧化硅粉体，其特征在于，其为包含硼原子的非晶质二氧化硅粉体，该含硼的非晶质二氧化硅粉体的由在透射型电子显微镜照片中随机选出的40个颗粒求出的平均粒径为10～100nm，在下述条件下进行烧成时的硼含量的减少率为10质量％以下。＜烧成条件＞将干燥物5～10g填充至氧化铝制坩埚，在大气气氛中、以200℃/小时升温至1000～1100℃，在此状态下保持5小时后降温至室温。
非晶质二氧化硅制造方法

[发明专利]含硼的二氧化硅分散体和其制造方法-CN202180064399.8在审
发明人：村上泰之;元石沙月;小泉寿夫;小森聪;绪方宏宣 -专利权人：堺化学工业株式会社
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明提供：在比以往还高浓度下分散稳定性优异、且硼与二氧化硅的结合性高的含硼的二氧化硅分散体。本发明为一种含硼的二氧化硅分散体，其特征在于，含有：包含硼原子的非晶质二氧化硅颗粒和分散介质，该含硼的非晶质二氧化硅颗粒的由在透射型电子显微镜照片中随机选出的40个颗粒求出的平均粒径为10～100nm，该含硼的二氧化硅分散体的固体成分浓度为5～30质量％，将该含硼的二氧化硅分散体静置1000小时时的颗粒的沉降率为4％以下，以下述方法超滤该含硼的二氧化硅分散体并干燥时的以氧化物换算计的SiO2和B2O3的比率相对于SiO2和B2O3的总计100质量％，分别为90.0～99.8质量％、0.2～10.0质量％。＜超滤的方法＞使用截留分子量13000的超滤膜，以供给液流量3660ml/分钟依次添加含硼的二氧化硅分散体的体积的6倍量的纯水并水洗。
二氧化硅散体制造方法

[发明专利]化妆品-CN201880072066.8有效
发明人： 小泉寿夫;石川桃子;绪方七重;森健治 -专利权人：堺化学工业株式会社
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： A61K8/02 文献下载
摘要：本发明提供：可以使皮肤可见年轻的印象、且体现自然的立体感的化妆品。本发明涉及一种化妆品，其含有由无机化合物形成的2种以上的荧光体，对于该化妆品，以波长365nm的激发光进行激发时发出的发射光谱在400～530nm的范围和620～720nm的范围内分别具有荧光发光峰，且将530～620nm的范围的最大发光强度设为I1、将620～720nm的范围的最大峰强度设为I2时，I2/I1为1～30。
化妆品