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[发明专利]环氧化合物的立体异构体、包含该立体异构体的固化性组合物和使固化性组合物固化而成的固化物-CN202180021477.6在审
发明人：高田翔平;小池刚;上健太 -专利权人：引能仕株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C07D493/04 文献下载
摘要：本发明提供一种在含有于固化性组合物时能够提高该固化物的耐热性和介电特性的环氧化合物的立体异构体、包含该异构体的固化性组合物和固化物。使用下述式(1)所示的环氧化合物的立体异构体，即式(2)所示的立体异构体，以及包含该立体异构体而成的固化性组合物[式(1)中、R1至R18各自独立地选自氢、烷基和烷氧基]，[式(2)中，R1至R18分别与式(1)相同]。
氧化立体异构体包含固化组合

[发明专利]脂环式丙烯酸酯化合物、脂环式环氧丙烯酸酯化合物、固化性组合物和固化物-CN202080083367.8在审
发明人：上健太;小池刚;龟山敦史 -专利权人：引能仕株式会社
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C07C69/54 文献下载
摘要：本发明提供一种在含有于固化性组合物时其固化物能够具有高耐热性的脂环式环氧丙烯酸酯化合物、固化性组合物和固化物。使用A为氧的下述式(1)表示的脂环式环氧丙烯酸酯化合物和包含该脂环式环氧丙烯酸酯化合物而成的固化性组合物[式中，R1和R2中的任一者为(甲基)丙烯酰氧基，R1和R2中的另一者为氢原子，R3至R20各自独立地选自氢原子、烷基和烷氧基，并且，A为氧原子，或者不存在A且R8所键合的碳原子与R9所键合的碳原子一起形成双键]。
脂环式丙烯酸酯化合物脂环式环氧固化组合

[发明专利]环氧化合物的制造方法-CN201980057552.7在审
发明人：高田翔平;上健太;小池刚;龟山敦史 -专利权人：引能仕株式会社
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C07D303/04 文献下载
摘要：本发明提供一种在将具有碳‑碳双键的有机化合物作为原料并利用过氧化氢来制造环氧化合物的方法中，抑制副产物的生成且以高收率制造环氧化合物的方法。本发明提供一种制造方法，是包括在催化剂的存在下，利用过氧化氢使具有碳‑碳双键的有机化合物的上述碳‑碳双键氧化的工序而成的环氧化合物的制造方法，上述催化剂是包含钨化合物，磷酸类、膦酸类或它们的盐，以及以式(I)：[式中，R1为可以被1～3个苯基取代的碳原子数1～18的直链状或支链状的脂肪族烃基]表示的烷基硫酸根离子作为阴离子的盐。
氧化制造方法

[发明专利]模制线圈及使用了它的电磁阀以及模制线圈的制造方法-CN201410022491.X有效
发明人：木下峰夫;铃木龙介;小关翔平;小池刚;今屋敷诚 -专利权人：株式会社鹭宫制作所
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供模制线圈及使用了该模制线圈的电磁阀以及模制线圈的制造方法。该模制线圈不会产生多余的模制树脂部的区域，能够减少嵌入成形所需要的树脂量，能够有效地防止孔隙的产生、因磁性框架与模制树脂的线膨胀率的不同引起的龟裂而导致的浸水，不会产生电短路、腐蚀等，提高散热性，能够作为模制线圈可靠地发挥功能。通过以突出设置从线轴组装体（32）的侧周部至上侧磁性框架（44）的肋（91）的方式形成模制树脂部（80），从而在线圈成形体（90）与上侧磁性框架（44）之间形成空间部（92）。
线圈使用电磁阀以及制造方法

[发明专利]羧酸酐的制造方法-CN201580025666.5在审
发明人：藤代理惠子;古俣步;小池刚;小松伸一 -专利权人：捷客斯能源株式会社
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C07D493/10 文献下载
摘要：本发明为一种羧酸酐的制造方法，其中，在使用催化剂的条件下，在碳原子数1～5的羧酸中对下述通式(1)所表示的原料化合物进行加热，从而取得羧酸酐的羧酸酐，在该羧酸酐的制造方法中，所述催化剂是根据基于密度泛函法的量子化学计算所求得的酸解离常数(pKa)为‑6.5以下、并且沸点为100℃以上的均相酸催化剂。式(1)中，R1是至少具有相邻的2个碳原子的4价有机基团，该相邻的2个碳原子上分别结合有式‑COOR2及‑COOR3所表示的基团，R2、R3分别表示氢原子等，X表示氢原子等，Y表示氢原子等。
羧酸制造方法

[发明专利]5-降冰片烯-2-螺-α-环烷酮-α’-螺-2”-5”-降冰片烯类的制造方法-CN201580005191.3在审
发明人：藤代理惠子;小松伸一;小池刚 -专利权人：捷客斯能源株式会社
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C07C45/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种5‑降冰片烯‑2‑螺‑α‑环烷酮‑α’‑螺‑2”‑5”‑降冰片烯类的制造方法，其中，包括在含有甲醛衍生物且含有式HX(式中，X表示F等)所表示的酸的酸性溶剂中，使特定的羰基化合物与特定的胺化合物反应，形成特定的曼尼希碱，从而得到在所述酸性溶剂中含有所述曼尼希碱的反应液的第一工序；和在所述反应液中添加有机溶剂、相对于所述酸为1.0～20.0倍摩尔当量的碱、和特定的二烯化合物，进行加热，使所述曼尼希碱与所述二烯化合物反应，形成特定的5‑降冰片烯‑2‑螺‑α‑环烷酮‑α’‑螺‑2”‑5”‑降冰片烯类的第二工序，并且所述第一工序中所用的所述酸性溶剂中的所述酸的含量相对于所述羰基化合物的酮基为0.01～0.075摩尔当量。
冰片环烷制造方法

[发明专利]输入电路-CN201280021157.1有效
发明人： 小池刚;法邑茂夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：组合电路根据第1及第2输入信号来生成第1及第2内部信号。第1主锁存电路有选择地取入扫描输入信号及第1内部信号并加以保持，基于取入并保持的信号来生成第1输出信号及第1中间信号。第1从锁存电路有选择地取入第1中间信号及第2内部信号并加以保持，基于取入并保持的信号来生成第2输出信号及扫描输出信号。减低采用了扫描路径试验方式的半导体集成电路所具备的输入电路的电路规模及耗电。
输入电路

[发明专利]字线启动电路、半导体存储装置以及半导体集成电路-CN201280004425.9无效
发明人：新田忠司;小池刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：若在信号(IN)是“H”，NMOS晶体管(403)处于导通状态时，信号(PCLK)成为“H”，PMOS晶体管(401)变成截止状态，便成为输出节点(N1)经NMOS晶体管(403)与字线启动信号(WACTCLK)连接的状态。当字线启动信号(WACTCLK)变化到“L”时，字线信号(MWL)就会变化到“L”。因信号(PCLK)是“H”，NMOS晶体管(405)处于导通状态，故由该NMOS晶体管(405)促进字线启动信号(WACTCLK)朝着接地电压放电。
启动电路半导体存储装置以及集成电路

[发明专利]半导体存储装置-CN201180017622.X有效
发明人： 小池刚;中井洋次 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置。晶体管(TP0)具有与电源节点连接的源极、与局部位线(104)连接的漏极、以及与写入全局位线(107)连接的栅极。晶体管(TP1)具有与电源节点连接的源极、与局部位线(105)连接的漏极、以及与写入全局位线(106)连接的栅极。晶体管(TN0)具有与写入全局位线(106)连接的源极、与局部位线(104)连接的漏极、以及被提供控制信号(PASS<0>)的栅极。晶体管(TN1)具有与写入全局位线(107)连接的源极、与局部位线(105)连接的漏极、以及被提供控制信号(PASS<0>)的栅极。读出电路(112)与局部位线(104、105)和读出全局位线(108、109)连接。
半导体存储装置

[发明专利]降冰片烯衍生物的制造方法-CN201080027236.4无效
发明人：小松伸一;曾祢央司;小池刚;川滨咲耶子 -专利权人：吉坤日矿日石能源株式会社
申请日： 2010-05-13 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C07C45/68 文献下载
摘要：本发明提供一种降冰片烯衍生物的制造方法，其包括以下第一工序和第二工序，第一工序：在含有甲醛衍生物并且含有0.01mol/L以上的式：HX(X如权利要求所定义)所示的酸的酸性溶剂中，使下述通式(1)～(3)：[R¹～R⁶如权利要求所定义]所示的羰基化合物与下述通式(4)：[R⁷、X^-如权利要求所定义]所示的胺化合物进行反应，从而形成下述通式(5)～(7)：[R¹～R⁷、X^-如权利要求所定义]所示的曼尼希碱，并得到在前述酸性溶剂中含有前述曼尼希碱的反应液；第二工序：在前述反应液中添加有机溶剂、相对于前述酸为1.0～20.0倍当量的碱、和下述通式(8)：[R⁸如权利要求所定义]所示的二烯化合物，并加热，从而使前述曼尼希碱与前述二烯化合物进行反应，形成下述通式(9)～(11)：[R¹～R⁶、R⁸、n如权利要求所定义]所示的降冰片烯衍生物。
冰片衍生物制造方法

[发明专利]相位差薄膜、以及、使用其的有机EL显示装置及液晶显示装置-CN201080059878.2无效
发明人： 小池刚;小松伸一;上坂哲也;曾祢央司;高桥裕司 -专利权人：吉坤日矿日石能源株式会社
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种相位差薄膜，该相位差薄膜是将由降冰片烯类开环共聚物构成的薄膜进行延伸而制成的；该降冰片烯类开环共聚物含有由下述通式（1）表示的结构单元（A）以及由下述通式（2）表示的结构单元（B），并且，所述结构单元（A）的含量相对于所述结构单元（A）以及（B）的总量为5摩尔％以上95摩尔％以下，[式（1）中，n表示0或1的整数，R¹表示氢原子等，X¹表示由式：-CH=CH-表示的基团等，且a和b分别独立地表示0～6的整数，Y分别独立地表示亚甲基等，Z分别独立地表示亚甲基等]；[式（2）中，m表示0或1的整数，X²表示由式：-CH=CH-表示的基团等，且R²、R³、R⁴、R⁵分别独立地表示氢原子等]。
相位差薄膜以及使用有机 el 显示装置液晶

[发明专利]半导体存储装置-CN201080036268.0有效
发明人： 小池刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置，在存储器单元阵列(102)的每列设置能够独立地切断电源的电源控制电路(103)，由在列单位设置的用于判定是否不需要保持信息的电路(402)来控制上述电源控制电路(103)，由此切断不需要保持信息的存储器单元(401)的电源(vdd0，vdd1)。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201080026833.5有效
发明人： 小池刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：按照确保针对晶体管栅极破坏的耐受性，同时不破坏布局规律性地固定存储单元的内部数据的方式，在构成存储单元(100)的锁存器的2个反相器(401、402)中，将与一个存储节点(104)连接的PMOS负载晶体管(PL1)的源极或漏极切断，并且，将与另一个存储节点(103)连接的NMOS驱动晶体管(ND0)的源极或漏极切断。
半导体存储装置

[发明专利]逆分散性相位差膜及使用其的液晶显示装置-CN200980154736.1无效
发明人：上抚忠广;小松伸一;曾祢央司;小池刚;川滨咲耶子 -专利权人：吉坤日矿日石能源株式会社
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种逆分散性相位差膜，所述逆分散性相位差膜是将由降冰片烯系开环共聚物构成的薄膜进行延伸而制成的，所述降冰片烯系开环共聚物含有由下述通式(1)表示的结构单元(A)及由下述通式(2)表示的结构单元(B)。式(1)中，m表示0或1的整数，R¹表示氢原子等，X¹表示由式：-CH₂CH₂-表示的基等，a及b分别独立地表示0～6的整数，Y表示亚甲基等，Z表示亚甲基等。式(2)中，n表示0或1的整数，X²表示由式：-CH₂CH₂-表示的基等，R²、R³、R⁴、R⁵分别表示氢原子等，波浪线d、e表示endo构型或exo构型，波浪线f表示endo构型或exo构型。并且，前述结构单元(A)与前述结构单元(B)中的前述波浪线f表示exo构型时的exo型结构单元的总量相对于全部结构单元为20摩尔％以上65摩尔％以下。
分散性相位差使用液晶显示装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200980100212.4有效
发明人： 小池刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置。在存储单元(100)中，由开关用晶体管(31)、复位用晶体管(32)、输出布线驱动用晶体管(33)构成将读取位线(RBIT)作为输出布线的读取电路(30)。开关用晶体管(31)根据读取字线(/RWL0)的控制信号连接存储电路(10)的数据保持节点(MD)和控制线(DR)。复位用晶体管(32)根据复位控制信号(RST)对控制线(DR)进行复位。输出布线驱动用晶体管(33)具有与控制线(DR)连接的栅极、与读取位线(RBIT)连接的漏极、与接地电源连接的源极。
半导体存储装置

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