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[发明专利]单晶提拉装置-CN202210649609.6在审
发明人：佐藤阳平;小林拓生;佐藤亘 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：【技术问题】提供一种单晶提拉装置，其能够以简单的方法防止向隔热部件飞散而附着的热液飞溅下落到原料熔液表面。【解决方案】一种单晶提拉装置，其利用切克劳斯基法，其特征在于，具有与原料熔液表面对置的隔热部件，该隔热部件的与所述原料熔液表面对置的下端面具有凹部，以未形成所述凹部的平坦的所述下端面的表面积为基准，所述下端面的表面积是120％以上。
单晶提拉装置

[发明专利]单晶制造装置-CN201980094084.0在审
发明人： 小林拓生;柳濑和也;冈井笃志;园川将;岩崎淳 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种单晶制造装置，其基于切克劳斯基法，具备：主腔室(2)，其容纳收纳原料融液(5)的坩埚(6)、(7)及对原料融液(5)进行加热的加热器(8)；提拉腔室(3)，其连接设置于主腔室(2)的上部，收纳从原料融液(5)提拉的单晶(4)；冷却筒(12)，其以包围单晶(4)的方式从主腔室(2)的顶部朝向原料融液(5)的表面延伸；以及冷却辅助筒(19)，其嵌合于冷却筒(12)的内侧，还具备嵌合于冷却辅助筒(19)的直径扩大部件(20)，冷却辅助筒(19)具有沿轴向贯穿的裂缝，且通过按入直径扩大部件(20)从而直径扩大而与冷却筒(12)紧密贴合。由此，能够高效地冷却生长中的单晶，并实现该单晶的生长速度的高速化。
制造装置

[发明专利]再装填管及单晶的制造方法-CN201880043909.1在审
发明人： 小林拓生;松本克;三田村伸晃;园川将;上杉敏治 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明是一种再装填管，其具备收纳原料的圆筒部件、以及对该圆筒部件的下部的开口部进行开闭的圆锥状的阀门，其特征在于，所述圆筒部件在内周面的下端部具有下部圆锥口部且在比所述下端部的所述下部圆锥口部更靠近上方处具有上部圆锥口部，其中，所述下部圆锥口部是内径朝向下方变小的圆锥状的开口部，所述上部圆锥口部是内径朝向下方变小的圆锥状的开口部，所述阀门位于所述下部圆锥口部与所述上部圆锥口部之间。由此，能够简单地进行向单晶制造装置内的导入、从单晶制造装置的取出，并能够直接向坩埚内的熔液面投入块状、粒状等固体形状的原料，而且，通过使从熔液飞溅的飞溅液体仅附着于再装填管、石英坩埚，从而能够保护单晶制造装置，且提供一种廉价的再装填管。
装填制造方法