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[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN202211059968.2在审
发明人：塚本裕己;瀬户亨;小幡彻 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题在于：抑制因制造条件的偏差而引起的矫顽力HcJ和方形比Hk/HcJ的下降。解决技术问题的技术手段在于：本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备含有稀土元素的合金粉末的成型体的工序；将成型体进行烧结而制作烧结体的烧结工序；在热处理炉内对烧结体以300℃以上且小于400℃的第一温度，热处理30分钟以上900分钟以下的时间的第一热处理工序；和在热处理炉内对烧结体以400℃以上500℃以下的第二温度，热处理30分钟以上900分钟以下的时间的第二热处理工序。第一温度与第二温度之差为50℃以上。
烧结磁体制造方法

[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法和R-T-B系烧结磁体-CN202080089947.8在审
发明人：藤森信彦;小幡彻;园田和博;国吉太;古泽大介;槙智仁;三野修嗣;斋藤康太 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备平均粒度为10μm以上500μm以下的R－T－B系烧结磁体用合金的粗粉碎粉的工序；向粉碎室被不活泼气体充满的喷射磨装置供给上述粗粉碎粉并对上述粗粉碎粉进行粉碎，得到平均粒度为2.0μm以上4.5μm以下的微粉末的工序；和制作上述微粉末的烧结体的工序，上述不活泼气体被加湿，上述R－T－B系烧结磁体的氧的含量以质量比计为1000ppm以上3500ppm以下。
烧结磁体制造方法

[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN202110319000.8在审
发明人：石井伦太郎;藤森信彦;小幡彻;园田和博;国吉太 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备含有33～69质量％R1、0.2～0.8质量％B、0.8～3.0质量％Cu、1.8～10质量％Ga、15～60质量％T的添加合金粉末的工序；准备含有28.5～33.0质量％R、0.80～1.0质量％B、0.1～0.4质量％Ga、64～70质量％T的主合金粉末的工序；准备混合合金粉末的工序；向粉碎室充满不活泼气体的喷射磨装置供给混合合金粉末进行粉碎得到微粉末的工序；制作微粉末烧结体的工序。添加合金粉末的Pr含量大于主合金粉末的Pr含量，不活泼气体经加湿，烧结磁体中氧含量为1000ppm以上3000ppm以下，满足[T]/55.85＞14×[B]/10.8。
烧结磁体制造方法

[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN201380004688.4有效
发明人： 小幡彻 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：隔着具有开口部的平板状的保持部件，交替配置RH扩散源和R－T－B系烧结磁石体，构成叠层体的工序；将上述叠层体配置在处理容器内的工序；在上述处理容器内的压力为2.0Pa以上、50Pa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH供给扩散处理的工序(A)；和在上述处理容器内的压力为150Pa以上、2kPa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH扩散处理的工序(B)，并且包括将工序(A)和工序(B)交替重复2次以上的工序。
烧结磁体制造方法

[发明专利]凝胶粒子测定试剂及使用其的测定方法-CN201180050035.0有效
发明人： 小幡彻;土谷正和 -专利权人： 小幡彻
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01N33/579 文献下载
摘要：本发明提供在早期测定凝胶粒子的生成开始时间点方面有效的凝胶粒子测定试剂。凝胶粒子测定试剂（R）是混合在包含作为测定对象的目标物质（St）的试样（S）中，在使上述目标物质（St）发生凝胶粒子化后使用的凝胶粒子测定试剂，其包含与所述目标物质（St）之间发生凝胶化反应的试剂基剂（1）；以及，添加到该试剂基剂（1）中的、对所述试样（S）具有可溶性并以0.002～1%的浓度溶解的、且促进集中在规定范围粒径的凝胶粒子（G）生成的、生物学惰性的粒子形成促进因子（2）。
凝胶粒子测定试剂使用方法

[发明专利]R-T-B类烧结磁体的制造方法-CN201180047320.7有效
发明人： 小幡彻 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种不使R-T-B类烧结磁体和保持部件熔接、增加每一次的处理量的高效的RH供给、扩散处理的制造方法。R-T-B类烧结磁体的制造方法，其包括：将RH扩散源和R-T-B类烧结磁石体隔着具有开口部的保持部件交替地叠层，构成叠层体的工序；和在处理容器内配置上述叠层体，使上述处理容器内为0.1Pa以上50Pa以下、800℃以上950℃以下的气氛，进行RH供给扩散处理的工序。
烧结磁体制造方法

[发明专利]凝胶粒子测定装置-CN201180021693.7有效
发明人： 小幡彻 -专利权人： 小幡彻
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G01N15/14 文献下载
摘要：通过凝胶化反应测定试样中的目的物质时，高灵敏度计测凝胶粒子的生成开始时间点并在产生现象的溶剂中抑制光衰减达最小限。具备：收纳含有试样S和试剂R的溶液的试样池1，搅拌混合溶液W的搅拌装置2，对混合溶液W照射相干光Bm的入射光源3，设置在试样池1的外部且与入射光源3同侧、检测试样池1内混合溶液W中散射的光中返回到入射光源侧方向的后方散射光成分的后方散射光检测装置4，基于后方散射光检测装置4的检测输出计测后方散射光变动成分的散射光变动计测装置5，基于散射光变动计测装置5的计测结果判别至少包括与混合溶液W从溶胶相向凝胶相的相转变时间有关的凝胶粒子生成开始时间点的凝胶粒子生成状态的凝胶粒子生成判别装置6。
凝胶粒子测定装置

[发明专利]凝胶粒子测定装置-CN200980107268.2有效
发明人： 小幡彻 -专利权人： 小幡彻
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G01N21/82 文献下载
摘要：本发明涉及当根据凝胶化反应来测定试样中的目的物质时，能够高灵敏度地计测凝胶粒子的生成开始点的凝胶粒子测定装置，该装置具备：用于收纳试样S和含有试剂R的溶液的试样池1；用于搅拌该试样池1内的含有试样S和试剂R溶液的混合溶液W的搅拌装置2；用于向试样池1内的混合溶液W照射相干光B的相干光源3；设置于试样池1的外部并处于相干光源3的相反侧，用于检测透过试样池1内的混合溶液W中的光的透射光检测装置4；基于该透射光检测装置4的检测输出来计测透射光的变化成分的透射光变动计测装置5；基于该透射光变动计测装置5的计测结果至少能判别与混合溶液W从溶胶相向凝胶相的相转变时间有关的凝胶粒子的生成状态的凝胶粒子生成判别装置6。
凝胶粒子测定装置