专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202010842303.3在审
  • 小川淳 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-08-20 - 2021-03-05 - C23C16/455
  • 本发明涉及成膜装置及成膜方法。本发明的课题是:在以填充形成于基板的表面的凹部图案的方式成膜为硅氮化膜时,无间隙地填充凹部图案。在表面形成有凹部图案的基板上成膜为硅氮化膜的成膜方法中,包括如下工序:向存储前述基板的处理容器内分别供给包含硅的原料气体和对前述原料气体进行氮化的氮化气体,沿着前述基板的表面形成保形的硅氮化膜的工序;在停止向前述处理容器内供给硅原料气体的状态下,向前述基板供给用于对前述硅氮化膜进行整形的等离子体化的整形用气体,以使前述硅氮化膜的膜厚自凹部图案的底部侧向上部侧变薄的方式使前述硅氮化膜收缩的工序;和,交替地重复进行形成前述硅氮化膜的工序与使前述硅氮化膜收缩的工序,将硅氮化膜嵌入于前述凹部图案的工序。
  • 装置方法
  • [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010811945.7在审
  • 小川淳;吹上纪明 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-08-13 - 2021-02-26 - C23C16/34
  • 本发明提供一种成膜装置和成膜方法,能够在以在形成于基板的表面的凹部中埋入氮化硅膜的方式进行成膜时抑制生产率的下降,并且抑制在进行该氮化硅膜的成膜后进行的不必要的蚀刻。所述成膜方法实施以下工序:在旋转台以第一转速进行旋转的期间,对第一区域进行原料气体的供给并且以第一流量对第二区域进行所述氨气的供给,来在凹部内进行第一氮化硅膜的成膜;以及在旋转台以比第一转速低的第二转速旋转的期间,对第一区域供给原料气体并且以比第一流量小的第二流量对第二区域进行的所述氨气的供给,来在凹部内以层叠于第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。
  • 方法装置
  • [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010788135.4在审
  • 羽根秀臣;小山峻史;大槻志门;向山廉;吹上纪明;小川淳 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-08-07 - 2021-02-23 - C23C16/455
  • 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时,抑制第1膜或第2膜的氮化,且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序:向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序;向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序;依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序,形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序;向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体,形成氮化硅的薄层的工序;向基板供给原料气体和第1氮化气体,在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
  • 方法装置
  • [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010789975.2在审
  • 羽根秀臣;大槻志门;小山峻史;向山廉;小川淳;吹上纪明 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-08-07 - 2021-02-23 - C23C16/34
  • 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时,抑制第1膜或第2膜的氮化,且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序:向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序;向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序;依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序,形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序;为了将氮化硅的薄层改性,向基板供给等离子体化的改性用气体的工序;和,向前述基板供给原料气体和第1氮化气体,在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
  • 方法装置

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