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[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201910154884.9有效
发明人：三浦纮树;小堆正人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够不损坏成膜的均匀性而抑制粒子的产生。一种使用了具有原料气体供给部和清洗气体供给部的成膜装置的成膜方法，该成膜方法包括以下工序：不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而从所述原料气体供给部向基板供给原料气体，来使所述原料气体吸附于所述基板；以及不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而向吸附了所述原料气体的所述基板供给能够与所述原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来使所述反应生成物沉积于所述基板上。
方法装置

[发明专利]成膜方法-CN201310711879.6有效
发明人：池川宽晃;上西雅彦;高桥宏辅;小堆正人;小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。
方法

[发明专利]成膜方法-CN201210576019.1无效
发明人：大下健太郎;小堆正人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法。该成膜方法包括以下步骤：将基板载置于以能够旋转的方式设置于真空容器内的旋转台的基板载置部；成膜步骤，通过使上述旋转台旋转而使载置于该旋转台的上述基板交替地暴露于含钛气体和与该含钛气体反应的含氮气体，从而在上述基板上形成氮化钛膜；暴露步骤：使形成有上述氮化钛膜的上述基板暴露于上述含氮气体，反复进行上述成膜步骤和上述暴露步骤。
方法

[发明专利]温度测量装置、温度测量方法和热处理装置-CN201210168015.X有效
发明人：诸井政幸;菊池仁;小堆正人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明提供温度测量装置、温度测量方法和热处理装置。温度测量装置用于推断处理容器内的温度分布，包括：辐射温度测量部，沿着旋转台的径向扫描旋转台的一个面侧而能测量沿着径向的多个温度测量区域的温度；动作控制部，一边使旋转台相对于辐射温度测量部旋转，一边在旋转台的整个周向上重复进行测量多个温度测量区域的温度的处理而取得旋转台的径向和周向上的多个温度测量区域的温度；温度映射制作部，基于每一次扫描的温度测量区域的数量及旋转台的转速，指定温度测量区域的地址，使温度和地址相关联并存储到存储部中；温度数据显示处理部，基于存储部中的温度和地址，将旋转台的一个面侧的温度分布显示为处理容器内的温度分布的推断值。
温度测量装置测量方法热处理

[发明专利]成膜方法和等离子体成膜装置-CN201080005939.7无效
发明人：山崎英亮;小堆正人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法，对在表面形成有具有凹部的绝缘层的被处理体形成薄膜，其特征在于，包括：薄膜形成工序，使用等离子体CVD法，在包含上述凹部内的表面的上述被处理体的表面，形成氮化钛膜的薄膜；和氮化工序，在氮化气体的存在下，通过进行使用等离子体的氮化处理对上述薄膜进行氮化。
方法等离子体装置

[发明专利]成膜方法以及等离子体成膜装置-CN201010174521.0无效
发明人：山崎英亮;小堆正人;布重裕 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-05-10 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法以及等离子体成膜装置。利用该成膜方法，即使形成在被处理体的表面的凹部的内径、宽度小，也能够提高薄膜成膜时的阶梯覆盖。在向可被抽真空的处理容器(22)内收容具有凹部(6)的绝缘层(4)被形成在表面的被处理体(W)，并且向处理容器内供给包含钛的原料气体和还原气体，利用等离子体CVD法使气体反应而在被处理体上形成包含钛的薄膜的成膜方法中，以使反应为原料气体的反应决速的反应状态的方式设定原料气体和还原气体各自的流量。由此，即使形成在被处理体表面的凹部的内径和宽度变小、或者凹部的纵宽比变大，也能够提高薄膜成膜时的阶梯覆盖。
方法以及等离子体装置