专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]摄像装置以及电子设备-CN201610324171.9在审
  • 小出泰纪 - 精工爱普生株式会社
  • 2016-05-16 - 2016-12-21 - H04N5/225
  • 一种摄像装置以及电子设备,使多个受光元件的受光量的检测精度均匀。摄像装置具备:多个单位电路(U);连接于检测线(24);以及信号输出电路,多个单位电路(U)分别包含:受光元件(D1),包含连接于布线(42)的电极(E1)和电极(E2);以及晶体管(T1),对电极(E2)与检测线(24)的电连接进行控制,信号输出电路包含:遮光状态的受光元件(D2),包含连接于布线(44)的电极(E3)和电极(E4);以及检测电路(50),当受光元件(D1)和受光元件(D2)在布线(42)与布线(44)之间处于逆向偏压状态时,输出与电极(E2)与电极(E4)之间的检测点(PS)的电位对应的检测信号(S[n])。
  • 摄像装置以及电子设备
  • [发明专利]光电转换装置及电子设备-CN201510873100.X在审
  • 小出泰纪 - 精工爱普生株式会社
  • 2015-12-02 - 2016-06-15 - H01L31/0216
  • 本发明提供光电转换装置及电子设备,该光电转换装置具有高感光灵敏度与高精度。作为光电转换装置的图像传感器(100),其特征在于,具备:配置在基板(1)上的光电二极管(20)、晶体管(10)和平坦化层(7),平坦化层(7)具有开口部(8a)、配置为包围开口部(8a)的倾斜部(7a)和覆盖晶体管(10)的平坦部(7b),光电二极管(20)形成在开口部(8a)内,在平坦化层(7)的倾斜部(7a)上与平坦部(7b)上形成有反射膜(11)。
  • 光电转换装置电子设备
  • [发明专利]铁电存储装置及电子设备-CN200710187566.X无效
  • 小出泰纪 - 精工爱普生株式会社
  • 2007-12-03 - 2008-06-11 - G11C11/22
  • 本发明提供了一种铁电存储装置及电子设备,其可以提高铁电存储装置的读出容限,而且,可以提高铁电存储装置的读出特性。其中,该铁电存储装置包括:第一p沟道型MISFET(P1-L),连接在第一节点(Vmn-L)和第三节点(Vc-L)之间,其栅极连接于第二节点(Vmn-R);第二p沟道型MISFET(P1-R),连接在上述第二节点和第四节点(Vc-R)之间,其栅极连接于上述第一节点;第一电荷传送MISFET(T2-L),连接在第一位线(BL-L)和第一节点(Vmn-L)之间;第二电荷传送MISFET(T2-R),连接在第二位线(BL-R)和第二节点(Vmn-R)之间;第一电容(C5-L),连接于上述第一节点;以及第二电容(C5-R),连接于上述第二节点。
  • 存储装置电子设备
  • [发明专利]半导体存储装置及电子设备-CN200610152444.2有效
  • 小出泰纪 - 精工爱普生株式会社
  • 2006-09-29 - 2007-04-11 - G11C11/22
  • 本发明公开了一种半导体存储装置及电子设备。其通过优化配线的布局,实现存储单元面积的小型化或者高集成化。而且实现了存储特性的提高。关于铁电存储单元的板线PL,在分割存储单元阵列而得到的列模块CB的存储单元MC上,通过位移部,将沿第一方向直线状配置的板线配线部依次连接于相邻的列模块CB的下一段的板线配线部,将列模块CB的最下段的板线配线部折回到相邻列模块CB的最上段的板线配线部。
  • 半导体存储装置电子设备
  • [发明专利]铁电存储装置-CN200610082893.4无效
  • 小出泰纪 - 精工爱普生株式会社
  • 2006-06-19 - 2006-12-27 - G11C11/22
  • 本发明公开了一种铁电存储装置,尤其是在位线方向上集成度高的铁电存储装置。该铁电存储装置包括:在第一方向上延伸的第一位线;与第一位线连接,用于存储规定的数据的多个第一存储单元;在与第一方向大致相反方向上延伸的第二位线;与第二位线连接,用于存储规定的数据的第二存储单元;与第一位线的一端和第二位线的一端连接,用于对存储在第一存储单元和第二存储单元中的数据进行放大的读出放大器;与第一位线的另一端连接,对读出放大器所放大的数据进行锁存的锁存电路;对使第一存储单元和第二存储单元存储的数据进行传输;以及与第二位线的另一端连接,对是否连接第二位线和数据总线进行切换的第一开关。
  • 存储装置
  • [发明专利]铁电存储装置及电子设备-CN200510073484.3无效
  • 小出泰纪 - 精工爱普生株式会社
  • 2005-05-30 - 2005-12-21 - G11C11/22
  • 本发明公开了在采用分层位线方式的铁电存储装置中,能够抑制读出时的位线容量的变化,并提高救济效率的冗余救济技术。本发明的铁电存储装置包括:主位线(BL);局部位线(LBL),相对于主位线对应设置多条,并与字线(WL)交叉配置;多个第一开关元件(SW1-SW4),设置在局部位线的各条局部位线与主位线之间;多个存储单元(MC),各存储单元分别设置在字线和各条局部位线的交叉位置上;以及多个冗余存储单元(RM),各冗余存储单元分别设置在主位线和位线的交叉位置上,其中,禁止动作故障的存储单元动作,而由冗余存储单元代替动作,使在连接有该故障存储单元的局部位线和主位线之间连接的多个第一开关元件动作。
  • 存储装置电子设备
  • [发明专利]叠层型半导体存储装置-CN200510001763.9有效
  • 小出泰纪 - 精工爱普生株式会社
  • 2005-01-19 - 2005-07-27 - G11C11/22
  • 本发明提供一种叠层型的半导体存储装置,其不会使配线或部件复杂化,能提高芯片的成品率。其由多个半导体芯片层(C1~C4)层叠而成,各芯片层具有连接在芯片层之间的芯片选择焊盘(CS1、CS2),从而将用于选择各芯片层的芯片选择信号共同输入至各芯片层,各芯片层包括:可以编程输出信号的程序电路(PG1、PG2);以及芯片选择判定电路(10),其根据所述芯片选择信号和所述程序电路的输出信号判定芯片选择。可以事后在程序电路设定地址信息,因此,在芯片的制造阶段,只需一种芯片。芯片选择信号输入到共用的芯片选择焊盘,因此,不需要针对各芯片的各自的配线。
  • 叠层型半导体存储装置
  • [发明专利]层叠型半导体存储装置-CN200510002662.3有效
  • 小出泰纪 - 精工爱普生株式会社
  • 2005-01-21 - 2005-07-27 - H01L25/00
  • 本发明提供一种层叠型半导体存储装置,无需复杂的布线和部件,便可提高芯片成品率。该层叠型半导体存储装置由多个半导体芯片层C1~C4层叠而成,在各芯片层具有连接在芯片层之间的芯片选择焊盘CS1、CS2,从而将用于选择各个芯片层的芯片选择信号同时输入至各芯片层。各芯片层具有可对输出信号编程的程序电路PG1、PG2;根据所述芯片选择信号和所述程序电路的输出信号判断芯片选择的芯片选择判断电路(10)。程序电路具有可写入的非易失性存储单元(122)、(124);与该非易失性存储单元相连接,根据该非易失性存储单元中的记录内容输出不同信号的逻辑电路,且不需要熔丝的熔断工序。
  • 层叠半导体存储装置
  • [发明专利]存储电路、半导体装置及电子设备-CN200410097077.1无效
  • 小出泰纪 - 精工爱普生株式会社
  • 2004-12-21 - 2005-07-13 - G11C11/22
  • 本发明公开了一种主要用于程序电路等的存储电路,该存储电路能简易、稳定地读出存储数据,其包括:具有第一端和第二端触发器;具有第一铁电电容器和第二铁电电容器,用于存储规定数据的存储部;对所述触发器供给电压,基于所述规定的数据通过控制所述第一端和所述第二端的电位,使所述规定数据保持到所述触发器的控制部;以及基于第一端或第二端的电位,锁存被所述触发器保持的规定的数据的锁存电路。
  • 存储电路半导体装置电子设备

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