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- [发明专利]半导体装置-CN202310259408.X在审
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小平悦宏;关野裕介;伊藤太一
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富士电机株式会社
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2023-03-10
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2023-10-27
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H01L23/498
- 本发明提供抑制并联连接的多个半导体芯片的电流不平衡的半导体装置。布线板在短边侧具备输出部分，在短边侧具备与半导体芯片的输出电极电连接的纵向连接部分及横向连接部分。此时，纵向连接部分从输出部分侧的端部沿着长边形成有狭缝。由此，从配置于距端子接合区最近的位置的半导体芯片输出的电流经由纵向连接部分和横向连接部分直到到达布线板的输出部分为止。该电流路径与从配置于距端子接合区最远的位置的半导体芯片输出的电流到达布线板的输出部分为止的电流路径之差变小。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202310295149.6在审
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清水直树
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富士电机株式会社
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2023-03-24
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2023-10-27
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G01K7/02
- 本发明提供灵活且容易地改变过热保护功能中的被通知温度异常状态时的温度检测电平的半导体装置。输出元件(M0)与负载连接，通过开关使负载工作。驱动电路(1a1)输出驱动信号(a2)使输出元件(M0)开关。外部端子(Ain2)连接恒流源(1b)并由外部输入从恒流源(1b)输出的恒电流(I0)。温度传感器(1a2)基于恒电流(I0)进行动作，检测输出元件(M0)的温度并输出温度检测值(a3)。温度状态检测电路(1a3)将温度检测值(a3)与基准阈值比较，基于比较结果来检测输出元件(M0)的温度状态的异常电平。异常电平通知电路(1a4)在检测到异常电平的情况下，输出异常电平通知信号(a4)而通知给外部。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202310323653.2在审
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丸山力宏;小田佳典;原田孝仁
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富士电机株式会社
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2023-03-29
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2023-10-27
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H01L23/495
- 本发明提供一种半导体装置，即使水滴附着于引线框架也能够防止发生短路。布线保护部(35)包裹第一、第二引线框架(51、52)的一部分，并具备供第一、第二引线框架(51、52)突出的包裹面(35a)。包裹面(35a)与半导体芯片平行，并且在第一、第二引线框架(51、52)之间包括相对于包裹面(35a)突出的止水部(36)。在该情况下，即使顺着第一、第二引线框架(51、52)流动的水滴到达包裹面(35a)，在包裹面(35a)上水滴向对置的第一、第二引线框架(51、52)侧的移动被止水部(36)妨碍。因此，能够防止第一、第二引线框架(51、52)的短路，抑制半导体装置的可靠性的降低。
- 半导体装置
- [发明专利]商品收纳装置和商品载置搁板-CN202111030295.3有效
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福田胜彦;小贝善辉;市原史基;垣内拓真;堀口刚史
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富士电机株式会社
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2021-09-03
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2023-10-27
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G07F11/00
- 本发明抑制商品产生位置偏移，能够良好地交出最下游位置的商品。一种商品货道，其能够将商品沿着商品收纳通路的延伸方向排列成一列地收纳，并且将商品沿着商品收纳通路的延伸方向输送而交出最下游位置的商品，该商品货道具备：输送链条，其呈环状张设于沿着前后方向设置的一对带轮并利用带轮的旋转而沿自身的延伸方向变位，且该输送链条的上方侧延伸部分构成商品收纳通路；多个载置部，该多个载置部沿着输送链条的延伸方向设置于输送链条，且该多个载置部在输送链条的上方侧延伸部分容许商品载置于载置面；以及分隔部，其设于多个载置部彼此之间，该分隔部能够在输送链条的上方侧延伸部分将设于该分隔部自身的分隔板构件保持为立起姿势。
- 商品收纳装置搁板
- [发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201810102265.0有效
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山口一哉
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富士电机株式会社
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2018-02-01
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2023-10-27
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H01L29/06
- 本发明提供适用于沟槽栅极和沟槽接触孔并且能够实现高耐压/低导通电阻，提高雪崩耐量的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具备：第一导电型的半导体基板(1)；第一导电型的n型漂移层(50)；第二导电型的第一半导体层(7)。另外，半导体装置具有供主电流流通的活性区域(20)，活性区域具有从第一半导体层的表面到达n型漂移层的沟槽(51)、在沟槽的内部隔着栅极绝缘膜(5)设置的栅电极(6)。另外，半导体装置具有包围活性区域的周围的终端区域(30)，终端区域具有与连接于栅电极的栅极金属(17)接触的栅极接触孔(C)。终端区域具有与第一半导体层连接并且延伸到栅极接触孔的底部的第二导电型的第一半导体区域(12)。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN201810650900.9有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2018-06-22
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2023-10-27
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H01L29/06
- 本发明提供一种半导体装置，具备：形成于半导体基板的漂移区；以沿着预先设定的延伸方向延伸的方式设置在半导体基板的上表面的栅极沟槽部；分别与栅极沟槽部的一个侧壁及另一个侧壁邻接的第一台面部及第二台面部；以与栅极沟槽部邻接的方式设置在漂移区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的蓄积区；以与栅极沟槽部邻接的方式设置在蓄积区的上方的基极区；在第一台面部中设置于半导体基板的上表面，与栅极沟槽部的一个侧壁邻接，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的发射极区；在第二台面部设置有第二导电型的浮置区域，所述第二导电型的浮置区域与栅极沟槽部分离，在基极区的下方电浮置。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201810648520.1有效
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内藤达也
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富士电机株式会社
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2018-06-22
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2023-10-24
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H01L29/36
- 本发明提供一种半导体装置，具备：形成在半导体基板的漂移区、在半导体基板的上表面延伸而设置的栅极沟槽部、分别与栅极沟槽部的一侧和另一侧邻接的第一台面部和第二台面部、在第一台面部中设置在漂移区的上方的积累区、在第一台面部中设置在积累区的上方的基区、在第一台面部中设置在基区与半导体基板的上表面之间的发射极区、在第二台面部中设置在漂移区的上方的中间区、以及在第二台面部的上表面设置在中间区的上方的接触区，栅极沟槽部具有栅极导电部，栅极导电部的底部在与第一台面部相对的一侧和与第二台面部相对的一侧分别具有第一台阶和第二台阶，中间区的至少一部分设置在台阶与栅极沟槽部的底部之间。
- 半导体装置
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