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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]异种金属的接合方法、接合体以及接合装置-CN202211327279.5在审
发明人： 富冈泰造 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：本发明提供异种金属的接合方法、接合体以及接合装置，能够将由熔点不同的金属构成的薄板彼此良好地对接接合。实施方式的异种金属的接合方法使用摩擦热将呈板状且包含第1金属的第1部件与呈板状且包含熔点比上述第1金属的熔点高的第2金属的第2部件对接接合。上述异种金属的接合方法包括：使上述第2部件的端部重叠在上述第1部件的端部上的工序；以及使前端具有凸部且旋转的接合工具抵接于上述第2部件的与上述第1部件重叠的重叠部，将上述第2部件朝向上述第1部件加压的工序。在将上述第2部件朝向上述第1部件加压时，使上述旋转的接合工具的前端不与上述第1部件接触。
金属接合方法以及装置

[发明专利]半导体模块及其生产方法-CN201780048297.0有效
发明人：井口知洋;富冈泰造 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：实施方式的半导体模块包含半导体元件、金属基体、基板和金属层。上述金属基体具有搅拌部。上述基板位于上述半导体元件与上述金属基体之间。上述金属层与上述搅拌部相接，且位于上述金属基体与上述基板之间。
半导体模块及其生产方法

[发明专利]异种金属的接合结构、其接合方法及电气制品的生产方法-CN201780048464.1有效
发明人： 富冈泰造 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：实施方式的异种金属的接合结构包含第1构件、第2构件和第1金属层。上述第1构件包含第1金属。上述第2构件包含与上述第1金属不同的第2金属。上述第2构件具有搅拌部。上述第1金属层包含上述第2金属。上述第1金属层与上述搅拌部相接，且位于上述第1构件与上述第2构件之间。
金属接合结构方法电气制品生产

[发明专利]摩擦搅拌接合方法及接合体-CN201710064495.8有效
发明人：伊藤宜司;富冈泰造 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及的摩擦搅拌接合方法中，相对于由第1金属部件、主元素与所述第1金属部件所含的主元素相同的第2金属部件、和夹在所述第1金属部件的至少一部分与所述第2金属部件的至少一部分之间且主元素与所述第1金属部件及所述第2金属部件所含的主元素相同、粒径为20μm以下的第3金属部件构成的被接合部件，一边使前端具有突起的工具旋转一边向所述被接合部件按压，从而将所述第1金属部件、所述第2金属部件和所述第3金属部件接合。
摩擦搅拌接合方法

[发明专利]感应电动机以及感应电动机的制造方法-CN201410082920.2在审
发明人： 富冈泰造 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H02K17/16 文献下载
摘要：一种感应电动机以及感应电动机的制造方法。感应电动机具备埋入配置于转子铁心圆周上的多根导体棒以及以使多根导体棒的两端部分别导通的方式进行接合的端环（5）。该导体棒由棒状的第一金属部以及与其两端接合的第二金属部构成。第二金属部是实心的块状。第一金属部与第二金属部通过摩擦搅拌焊或摩擦压焊而接合。
感应电动机以及制造方法

[发明专利]电池和用于电池的超声波焊接方法-CN201110227438.X有效
发明人：相泽隆博;池谷之宏;富冈泰造 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01M2/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种电池，它包括容器、包括正电极和负电极的电极组、多个从电极组的正电极和负电极中的任一个延伸并且彼此重叠的集电片；通过超声波焊接结合至至少一个集电片引线、设计成封闭容器的开口部分的盖和设置在盖上并且经由引线连接至至少一个集电片的外部端子，其中引线具有在引线中从超声波焊接部分向至少一个集电片到外部端子的延伸的中间增大的横截面积。
电池用于超声波焊接方法

[发明专利]半导体元件的制造方法以及半导体元件-CN200810008863.8无效
发明人：木谷智之;井口知洋;平原昌子;西内秀夫;东条启;富冈泰造 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：对于为了减小在半导体基板上所形成的电路元件间的电阻而在半导体基板的面上形成有导电层的半导体元件，在通过施加超声波振动而倒装片式安装该半导体元件时，防止由施加超声波振动的结合工具切削导电层，并防止因所切削的切屑附着在结合工具上而引起的半导体元件的安装状态的偏差。在半导体元件的制造方法中，具有以下工序：在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上形成导电层；在覆盖上述导电层上的至少一部分的区域内，形成相比于该导电层具有难切削性的保护层；以及将上述半导体晶片按照每个半导体元件切断。
半导体元件制造方法以及

[发明专利]光半导体器件和光半导体器件的制造方法-CN200710152881.9无效
发明人： 富冈泰造 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在光半导体器件(1A)中，包括：具有凹部(2a)的基体(2)；设置在凹部(2a)内、发射光的发光元件(3)；设置在基体(2)内并覆盖凹部2a的侧面、抑制由发光元件3发射的光向凹部2a的侧面入射的抑制构件4；设置在凹部2a内、密封发光元件3的透光性构件5。本发明提供能在抑制成本的同时，防止基体的光恶化引起的亮度下降的光半导体器件。
半导体器件制造方法

[发明专利]光半导体器件以及其制造方法-CN200610142987.6有效
发明人： 富冈泰造;铃木隆博;东久保浩之;青木幸典 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供薄型/小型，且散热性良好，能够稳定地生产的光半导体器件。芯片焊盘侧内部引线(4)，以搭载光半导体元件的芯片焊盘部从引线的突端向中途部覆盖的方式设置，在第1弯曲部(21)处，以从芯片焊盘所成的面向搭载有光半导体元件的主面倾斜的方式被弯曲成大约40°。在从第1弯曲部(21)离开400μm的较高的位置上设有第2弯曲部(22)，从该第2弯曲部(22)再次向与芯片焊盘部相同的方向延设。芯片焊盘侧外部引线(7)，位于从第2弯曲部(22)延伸出来的内部引线(4)的延长上，并水平地向封装的外侧的区域延设。在设在中途部的第3弯曲部(23)处，以面向与包括芯片焊盘的背面的假想平面相交的方向的方式被弯曲。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶片的制造方法及半导体器件的制造方法-CN200510092145.X无效
发明人：井口知洋;菅谦太郎;富冈泰造 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-08-16 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：根据制造半导体晶片和半导体器件的方法，半导体晶片的背面接地，并通过干或湿腐蚀，使分割的半导体晶片上的半导体芯片的背面具有基本相等的表面粗糙度。通过突起采用热压缩和超声波振动将半导体芯片接合到引线框上。
晶片制造方法半导体器件

[发明专利]光耦合半导体器件及其制造方法-CN03148062.4无效
发明人： 富冈泰造;森郁夫;伊藤健志;末松睦;斋藤康人;荒川雅之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明的光耦合半导体器件具有：在第1布线基板的主面表面上形成、位于第2布线基板的开口部的对角上的安装电极和引线电极；一个极与安装电极连接，另一个极经引线与引线电极连接的发光元件；在第2布线基板的主面表面上，夹着第2布线基板所成的开口部而设置的第1和第2电极焊区；以堵塞第2布线基板所成的开口部的方式配置、与第1电极焊区连接、与发光元件相向的光接收元件；以及与第2电极焊区连接、与引线相向的开关元件。
耦合半导体器件及其制造方法

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