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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]低噪声硅锗图像传感器-CN202110480996.0在审
发明人： 家坂守;崔雲;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供低噪声硅锗SiGe图像传感器。在一个实施例中，一种图像传感器包含布置在安置在半导体衬底中的像素阵列的行及列中的多个像素。个别像素的光电二极管经配置以接收穿过所述半导体衬底的被照射表面的入射光。所述半导体衬底包含：半导体材料的第一层，其具有硅Si；及半导体材料的第二层，其具有硅锗Si1‑xGex。Ge的浓度x穿过所述第二层的厚度的至少一部分逐渐变化。每一光电二极管包含：第一掺杂区，其延伸穿过半导体材料的所述第一层及半导体材料的所述第二层；及第二掺杂区，其延伸穿过半导体材料的所述第一层及半导体材料的所述第二层。
噪声图像传感器

[发明专利]摄像装置-CN201480037505.3有效
发明人：芝崎清茂;浜岛宗树;森晋;中村文树;家坂守;萩原润弥;石贺健一 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H04N13/02 文献下载
摘要：摄像装置具有摄像元件，其至少包括接收经由光学系统入射的被摄体光束中的偏向第一方向的第一部分光束的第一像素、和接收偏向与第一方向相反的第二方向的第二部分光束的第二像素，该第一方向与光学系统的光轴正交；图像生成部，其生成基于第一像素的输出的第一视差图像数据、和基于第二像素的输出的第二视差图像数据，在摄像元件拍摄了位于光轴的非对焦区域的物点的情况下，第一视差图像数据的与光轴相对应的中心像素的像素值为峰值像素的像素值的50％以上，第二视差图像数据的中心像素的像素值为峰值像素的像素值的50％以上。
摄像装置

[发明专利]固态图像传感器-CN200780036182.6无效
发明人：高崎康介;家坂守;若生秀树 -专利权人：富士胶片株式会社;富士胶片弗陀尼克斯有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态图像传感器(1)，包括：成像器件晶片(2A)；形成于成像器件晶片(2A)上的多个成像器件(3)；隔离物(5)，环绕成像器件晶片(2A)上的成像器件(3)，并通过粘合剂(7)与成像器件晶片(2A)接合；透明保护构件(4)，覆盖成像器件晶片(2A)上的成像器件(3)，并附着在隔离物(5)上；以及多个静电放电保护器件(10A)，形成于成像器件晶片(2A)上，所述静电放电保护器件(10A)位于隔离物(5)下方，每个静电放电保护器件(10A)具有扩散层(12、13)以及扩散层(12、13)之间的阱层(11)，所述阱层(11)具有沟道阻断物(20)。
固态图像传感器

[发明专利]固态摄像装置-CN200780045532.5无效
发明人：高崎康介;家坂守;若生秀树 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2007-12-10 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种固态摄像装置(1)包括：包括图像传感器(3)的图像传感器晶片(2A)；光学透明保护构件(4)，其通过使用粘合剂(7)经由隔体(5)连接，所述的隔体(5)被安置成包围图像传感器(3)；以及静电(ESD)保护电路(10)，其被设置在图像传感器晶片(2A)上，以使其避开与连接隔体(5)和图像传感器晶片(2A)的连接表面相对应的位置。因此，在这种构造中，即使当粘合剂中发生极化，也由于ESD保护电路的扩散层之间的p-阱层不是直接设置在所述连接表面的下方，因此p-阱层不因元件界面中的电荷而反向，因而寄生MOS晶体管不接通，从而可以抑制漏电流。
固态摄像装置

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