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[发明专利]复合材料、半导体封装件、以及复合材料的制造方法-CN202180087005.0在审
发明人：前田徹;宫永美纪;近藤大介;平井慧;伊藤正幸;山形伸一 -专利权人：住友电气工业株式会社;联合材料公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B21B3/00 文献下载
摘要：本发明的复合材料为板状，具有第一表面和第二表面。第二表面是第一表面的相反面。复合材料具有多个第一层和至少一个第二层。第一层和第二层以第一层位于第一表面和第二表面的方式沿复合材料的厚度方向交替层叠。第一层是包含铜的层。第二层是含浸有铜的钼粉末压坯的层。作用于位于第一表面的第一层以及位于第二表面的第一层的压缩残余应力为50MPa以下。
复合材料半导体封装以及制造方法

[发明专利]复合材料、散热器和半导体封装-CN202180058880.6在审
发明人：前田彻;宫永美纪;近藤大介;伊藤正幸;山形伸一 -专利权人：住友电气工业株式会社;联合材料公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：复合材料具有多个第一层和多个第二层。第一层和第二层的数量的合计为5以上。第一层和第二层以第一层位于第一表面和第二表面的方式沿着复合材料的厚度方向交替地层叠。第一层由以铜作为主要成分的金属材料形成。第二层具有钼板和铜填料。钼板包含厚度方向上的端面即第一面和第二面以及从第一面朝向第二面贯通钼板的多个开口部。铜填料配置在开口部的内部。位于第一表面的第一层的厚度为0.025mm以上且为复合材料厚度的30％以下。与位于第一表面的第一层接触的第二层的厚度为0.05mm以上且为复合材料的厚度的35％以下。
复合材料散热器半导体封装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201780076451.5有效
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，包括：栅电极；设置在栅电极的正下方或正上方的区域中的沟道层；设置为与沟道层接触的源电极和漏电极；以及设置在栅电极和沟道层之间的第一绝缘层，沟道层包括第一氧化物半导体，源电极和/或漏电极包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含In、W和Zn，W对In、W和Zn的总量的含量比高于0.001原子％并且不高于8.0原子％，Zn对In、W和Zn的总量的含量比高于1.2原子％并且不高于40原子％以及Zn与W的原子比率高于1.0并且低于20000。还提供一种制造该半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氧化物烧结材料及其制造方法、溅射靶、氧化物半导体膜和制造半导体器件的方法-CN201880032388.X有效
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章;富永爱子;德田一弥 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-05-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的，并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
氧化物烧结材料及其制造方法溅射半导体半导体器件

[发明专利]氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶、以及半导体器件的制造方法-CN201780044470.X有效
发明人：绵谷研一;宫永美纪;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结体，以及所述氧化物烧结体的制造方法。所述方法包括通过烧结含有In、W和Zn的成型体而形成所述氧化物烧结体的步骤，形成所述氧化物烧结体的步骤包括将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围的恒定的第一温度下放置30分钟以上。
氧化物烧结及其制造方法溅射以及半导体器件

[发明专利]氧化物烧结材料及其制造方法、溅射靶和制造半导体器件的方法-CN201780067435.X有效
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章;德田一弥;富永爱子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供：一种包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结材料，其中由所述ZnWO4晶相构成的晶粒的圆度大于等于0.01且小于0.7；一种用于制造所述氧化物烧结材料的方法；以及一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包含使用所述氧化物烧结材料作为溅射靶而形成的氧化物半导体膜。
氧化物烧结材料及其制造方法溅射半导体器件

[发明专利]氧化物烧结材料、制造氧化物烧结材料的方法、溅射靶和制造半导体器件的方法-CN201780086594.4有效
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法，所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相在X射线衍射中在2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，其中所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
氧化物烧结材料制造方法溅射半导体器件

[发明专利]氧化物烧结材料、制造氧化物烧结材料的方法、溅射靶和制造半导体器件的方法-CN201780086578.5有效
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相具有比所述第一晶相中的Zn含量更高的Zn含量，其中所述第二晶相包含具有3μm～50μm的平均长轴尺寸并具有1.5～50的平均长径比的粒子，所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
氧化物烧结材料制造方法溅射半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201780032780.X有效
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件包含以与栅极绝缘层接触的方式布置的通道层，所述通道层包含含有铟、钨和锌的氧化物半导体，在所述通道层中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量大于0.01原子％且小于或等于8.0原子％，所述通道层依次包含第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包含与所述栅极绝缘层接触的第一表面，所述第三区域包含与所述第一表面相反的第二表面，在所述第三区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W3(原子％)大于所述第二区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W2(原子％)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氧化物烧结材料、氧化物烧结材料的制造方法、溅射靶和半导体装置的制造方法-CN201680003741.2有效
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子。
氧化物烧结材料制造方法溅射半导体装置

[发明专利]氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶和半导体器件-CN201580019472.4有效
发明人： 宫永美纪;粟田英章;绵谷研一 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分并具有大于6.6g/cm³且小于等于7.5g/cm³的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。本发明还提供一种包含该氧化物烧结体的溅射靶、以及半导体器件(10)。
氧化物烧结及其制造方法溅射半导体器件

[发明专利]氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶、以及半导体器件-CN201580002686.0有效
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;曾我部浩一;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
氧化物烧结及其制造方法溅射以及半导体器件

[发明专利]氧化物烧结体和半导体器件-CN201580003932.4有效
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;曾我部浩一;粟田英章;栗巢贤一 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
氧化物烧结半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201680002307.2在审
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，包括栅电极(2)；设置在栅电极(2)的正下方或正上方的区域中的沟道层(7)；设置为与沟道层(7)接触的源电极(5)和漏电极(6)；以及设置在栅电极(2)和沟道层(7)之间的第一绝缘层(3)，沟道层(7)包括第一氧化物半导体，源电极和漏电极中至少一个包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含铟、钨和锌。还提供一种制造该半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氧化物半导体膜和半导体器件-CN201580015362.0在审
发明人： 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成的氧化物半导体膜(14)，其中，所述氧化物半导体膜包括铟、钨和锌，所述氧化物半导体膜中的钨与所述氧化物半导体膜中的铟、钨和锌总和的含量比率高于0.5原子％且等于或低于5原子％，并且电阻率等于或高于10^‑1Ωcm。还提供了一种包括所述氧化物半导体膜的半导体器件(10)。
氧化物半导体半导体器件

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