“宫下宗治”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置-CN201980102505.X在审
发明人：绵谷力;宫下宗治;西田武弘 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：具备：半导体层，由形成于n型GaAs基板(101)表面的n型包覆层(102)、形成于n型包覆层(102)表面的活性层(103)、形成于活性层(103)表面的具有脊部(104a、105a)的p型包覆层(104)以及形成于p型包覆层(104)表面的p型接触层(105)构成；绝缘膜(150a、150b)，覆盖上述半导体层的表面并在p型接触层(105a)的表面具有开口部；以及导电层，经由上述开口部与p型接触层(105a)连接，直到设置于与上述脊部邻接的上述半导体层的平坦部为止形成于绝缘层(150b)的表面，在上述导电层，在靠近上述脊部的上述平坦部设置有凸状的侧壁，侧壁将焊料的扩展限制在非发光区域的附近，由此防止元件间的电短路。
半导体激光元件及其制造方法装置

[发明专利]半导体激光装置-CN201980082036.X在审
发明人：岩井裕次;宫下宗治;藏本恭介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：本发明的半导体激光装置(1)构成为，在半导体激光器芯片(5)与次基台(3)的各对置面、以及次基台(3)与散热器(2)的各对置面中的至少任一个，设置有根据多个活性层(4a～4c)的排列方向上的位置，改变光的行进方向上的设定范围，来降低用于接合的接合材料(6)或接合材料(7)的附着性的处理区域(例如，处理区域(R5t))。
半导体激光装置

[发明专利]半导体激光器-CN200710140804.1无效
发明人： 宫下宗治;岛显洋;竹见政义 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：即使形成在取向误差角7°以上的GaAs衬底上，也可得到偏振角接近于0、偏振度大的脊形构造的半导体激光器。本发明的半导体激光器，在具有依次形成在取向误差角7°以上的GaAs衬底上的下包层、活性层、上包层的脊形构造的半导体激光器中，活性层由AlGaAs构成，下包层及上包层由P的组成比大于0、小于或等于0.04的AlGaAsP构成。
半导体激光器

[发明专利]半导体激光器装置-CN200610074337.2无效
发明人：西田武弘;山口勉;宫下宗治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：具有多个发光点的半导体激光器装置中，施加到发光点处的应力根据从芯片中心到发光点的距离而变化，随着从芯片中心远离而变大，但是，因为各发光点的间隔因所使用的波段而存在限制，所以，不能将所有的发光点都配置在芯片的中心附近。本发明的半导体激光器装置是具有二个以上发光点的半导体激光器装置，每个所述发光点都具有脊型条纹结构，将所述二个以上的发光点中的至少一个发光点配置在从衬底的宽度方向的中心离开所述衬底宽度的0％以上15％以下的位置上。
半导体激光器装置

[发明专利]半导体激光器件-CN02119180.8无效
发明人：阿部真司;八木哲哉;宫下宗治;西口晴美;大仓裕二;笠井信之;田代贺久;谷村纯二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-05-13 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。
半导体激光器