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[实用新型]一种用于CVD反应器的喷嘴装置及CVD反应器-CN202120890855.1有效
发明人：于伟华;朱建中;鞠德胜;万荣群 -专利权人： 宜兴市海飞陵电子科技有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种用于CVD反应器的喷嘴装置及CVD反应器，涉及CVD反应设备技术领域。该喷嘴装置包括第一喷嘴以及第二喷嘴；第一喷嘴的底部设有第一空腔，第一喷嘴的顶部设有多个连通第一空腔的气体流出通道；第二喷嘴的顶部设有第二空腔，第二喷嘴的底部设有多个连通第二空腔的气体流入通道；第一喷嘴的底部与第二喷嘴的顶部可拆卸连接，且在第一喷嘴的底部与第二喷嘴的顶部连接后，第一空腔与第二空腔合并为气体混合室。本实用新型一方面，可确保反应气体能够在气体混合室内混合均匀，另一方面可确保混合气体能够均匀排出。同时，原料气体在进入到气体混合室之前还未接触，不会发生反应，可有效避免气体流入通道的堵塞。
一种用于 cvd 反应器喷嘴装置

[实用新型]一种支撑装置及CVD反应器-CN202120891234.5有效
发明人：朱建中;于伟华;鞠德胜;万荣群 -专利权人： 宜兴市海飞陵电子科技有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种支撑装置及CVD反应器，涉及产品放置架技术领域。所述支撑装置包括多个支撑柱，多个圆形骨架，第一支撑架以及第二支撑架；多个支撑柱呈圆形布置；多个圆形骨架间隔设置在多个支撑柱上；第一支撑架设置在圆形骨架内，用于支撑产品；第二支撑架设置在支撑柱上，用于固定各支撑柱。本实用新型实施例提出的支撑装置中，多个圆形骨架间隔设置在多个支撑柱上，每个圆形骨架内均设有用于支撑产品的第一支撑架，从而极大提高了空间利用率，使得支撑装置能够放置更多产品。进一步地，圆形骨架稳定性好，并且，通过第二支撑架能够更好固定支撑柱，使得支撑更加稳定，支撑性更好，有助于上下层空间的气流均匀分布。
一种支撑装置 cvd 反应器

[实用新型]一种氮气制备装置-CN202120898303.5有效
发明人：鞠德胜;于伟华;朱建中;万荣群 -专利权人： 宜兴市海飞陵电子科技有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C01B21/04 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种氮气制备装置，涉及电子高纯辅助材料制备技术领域。氮气制备装置包括空气净化单元、变压吸附单元以及加碳脱氧单元，空气净化单元与变压吸附单元连接，变压吸附单元与加碳脱氧单元连接；变压吸附单元包括吸附塔，吸附塔内放置有吸附剂；加碳脱氧单元包括脱氧器，脱氧器内放置有碳催化剂。本实用新型实施例提出的氮气制备装置能够同时生产仪表风、低纯氮以及高纯氮等不同纯度的氮气，满足用户对不同纯度氮气的用气需求，同时，仪表风、低纯氮以及高纯氮之间的产量能够相互协调补充，使得氮气资源能够得到最大程度的利用。
一种氮气制备装置

[实用新型]一种精准测温的反应器-CN202023024079.1有效
发明人：于伟华;鞠德胜;朱建中;万荣群 -专利权人： 宜兴市海飞陵电子科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种精准测温的反应器，涉及反应器技术领域。该精准测温的反应器包括壳体，所述壳体的内壁设置有测温管；测温管与壳体的内壁垂直；测温管的第一端与壳体连接，测温管的第二端封口，且设置有测温装置；测温装置靠近壳体的一侧设置有垫片；测温管的第一端与垫片之间填充有密封胶；壳体开设有出线孔，出线孔位于测温管正对壳体的位置上。测温管伸入反应器的物料内，使得测温装置同样伸入到物料内，从而实现精准测温。同时，垫片将密封胶与测温装置分隔，避免测温装置被埋没而导致测温不准。
一种精准测温反应器

[发明专利]一种碳化硅涂层及其过渡层和制备方法-CN202110448539.3在审
发明人：于伟华;朱建中;鞠德胜;万荣群 -专利权人： 宜兴市海飞陵电子科技有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅涂层及其过渡层和制备方法，涉及表面处理技术领域。过渡层的制备方法包括：将硅改性酚醛树脂以及活性炭添加到溶剂中，制备混合试剂；将混合试剂均匀涂覆到基材表面，并烘干；将基材放入CVD反应器内，抽真空至0.1‑1mbar；在惰性气体保护下升温至650‑850℃后保温，同时，保持CVD反应器内的压力为80‑200mbar；在保温0.5‑2小时后，保持反应器内压力不变，升温至1300‑1400℃后，保温2.5‑4小时；降温至550‑750℃；在反应器内通入空气进行吹扫，并保温3‑5小时。通过在基材表面设置一层多孔结构的过渡层，可在沉积碳化硅时增加基材与碳化硅之间的结合力，使得碳化硅涂层更加致密，降低涂层表面粗糙度，并且有利于将基材和外部环境隔绝，避免基材的杂质带入后续的系统中。
一种碳化硅涂层及其过渡制备方法