专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种基于刀片式架构的集中控制主机-CN202223110882.6有效
  • 刘铭;宋豪杰 - 中国电子科技集团公司第二十八研究所
  • 2022-11-21 - 2023-03-31 - G06F1/18
  • 本实用新型提供一种基于刀片式架构的集中控制主机,包括机箱、背板、电源模块、刀片式控制卡和刀片式功能卡;背板固定于机箱内部,背板上设置有控制卡槽位和功能卡槽位,刀片式控制卡通过控制卡槽位与背板相连,刀片式功能卡通过功能卡槽位与背板相连;电源模块固定于机箱内部,与背板相连,通过背板向刀片式控制卡与刀片式功能卡供电;背板上还设置有背板控制总线,刀片式控制卡通过背板控制总线与刀片式功能卡连接;刀片式功能卡上设有至少一个控制接口,刀片式功能卡通过控制接口与受控设备连接。该集中控制主机通过刀片式板卡与背板的配合使用来实现,这种设计可以在设备不掉电的情况下更换对应的板卡,极大地增加设备的易用性和可维护性。
  • 一种基于刀片架构集中控制主机
  • [发明专利]3D NAND存储器及其形成方法-CN202180010962.3在审
  • 宋豪杰;高倩;鲍琨;何欢;黄亚俊;马艳三 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-10-19 - 2022-09-02 - H01L27/1157
  • 一种3D NAND存储器的形成方法,在沟道通孔中形成存储结构和位于所述存储结构上的多晶硅层,所述多晶硅层的表面低于所述介质层的顶部表面后,在所述多晶硅层表面形成第一金属硅化物层和位于第一金属硅化物层上的通孔接触金属层;将所述牺牲层替换为控制栅结构;在所述介质层中形成暴露出堆叠结构一侧的阱区部分表面的第一通孔以及暴露出相应的台阶结构表面的若干第二通孔;在所述第一通孔底部的阱区表面形成第二金属硅化物层;在所述第一通孔中形成第一接触插塞,在所述第二通孔中形成第二接触插塞。
  • nand存储器及其形成方法
  • [发明专利]一种辅助落叶装置-CN202210416550.6在审
  • 潘健;郭泓展;张恢鉴;邵冰;李子修;易深华;宋豪杰;石迪 - 湖北工业大学
  • 2022-04-20 - 2022-06-24 - B65F1/00
  • 本发明提供一种辅助落叶装置,包括底座、存储仓、驱动电机、旋转电机、至少两个机械抓臂、折叠支架和收集网;其中,至少两个机械抓臂等间隔环绕底座布置且机械抓臂的底部固定连接底座,驱动电机和存储仓都安装在底座上,每一个机械抓臂上都固定一个旋转电机,每一个旋转电机的转轴都固定连接一个折叠支架,收集网连接每一个折叠支架,驱动电机启动后可以摇晃树干,使树叶落下;每一个机械抓臂上都固定一个旋转电机,每一个旋转电机的转轴都固定连接一个折叠支架,收集网连接每一个折叠支架,树叶落下后被收集网收集,并且顺着收集网落在存储仓中,可以实现落叶定时收集,解决了落叶随机落下难以清理的问题,具备很好的实用性。
  • 一种辅助落叶装置
  • [发明专利]晶圆平坦度的预测-CN202180005051.1在审
  • 雷鑫;周盈;宋豪杰;鲍琨;王璠;金国秀 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-12-16 - 2022-04-22 - H01L21/66
  • 本公开内容的方面提供了用于确定晶圆平坦度和用于制造半导体器件的方法。所述方法包括:存储在光刻工艺期间沿着平行于第一晶圆的工作表面的第一方向收集的第一晶圆的第一晶圆膨胀。光刻工艺用于在第一晶圆的工作表面上对结构进行图案化。在具有晶圆平坦度要求的制造步骤之前,使用被配置为预测晶圆平坦度的平坦度预测模型、并基于在光刻工艺期间收集的第一晶圆膨胀来确定第一晶圆的晶圆平坦度。在示例中,在第一晶圆的背面上沉积具有基于所确定的第一晶圆的晶圆平坦度的厚度的层。
  • 平坦预测
  • [发明专利]3D NAND存储器的形成方法-CN202111371053.0在审
  • 宋豪杰;高倩;鲍琨;何欢;黄亚俊;马艳三 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-10-19 - 2022-03-15 - H01L27/1157
  • 一种3D NAND存储器的形成方法,在沟道通孔中形成存储结构和位于所述存储结构上的多晶硅层,所述多晶硅层的表面低于所述介质层的顶部表面后,在所述多晶硅层表面形成第一金属硅化物层和位于第一金属硅化物层上的通孔接触金属层;将所述牺牲层替换为控制栅结构;在所述介质层中形成暴露出堆叠结构一侧的阱区部分表面的第一通孔以及暴露出相应的台阶结构表面的若干第二通孔;在所述第一通孔底部的阱区表面形成第二金属硅化物层;在所述第一通孔中形成第一接触插塞,在所述第二通孔中形成第二接触插塞。本发明可以单独调节形成的第一金属硅化物层的厚度,使得形成的第一金属硅化物层的厚度满足性能要求。
  • nand存储器形成方法
  • [发明专利]一种全桥LLC谐振变换器定频控制方法-CN201911356337.5有效
  • 潘健;刘松林;陈庆东;陈凤娇;吕磊;宋豪杰;石迪;刘雨晴;陈光义 - 湖北工业大学
  • 2019-12-25 - 2022-02-01 - H02M3/335
  • 本发明提供一种全桥LLC谐振变换器定频控制方法,所述全桥LLC谐振变换器由直流输入源Vin、原边方波发生器Ⅰ、原边LLC谐振电路Ⅱ、变压器Ⅲ、副边全桥整流电路Ⅳ、输出滤波电容Co和输出电阻负载Ro构成,原边方波发生器Ⅰ由原边第一开关管S1、原边第二开关管S2、原边第三开关管S3和原边第四开关管S4组成;原边LLC谐振电路Ⅱ由谐振电容Cr、谐振电感Lr和励磁电感Lm组成;原边第二开关管S2和原边第四开关管S4通过一对定频互补脉冲控制,占空比为50%,开关频率等于谐振电容Cr和谐振电感Lr的串联谐振频率;原边第一开关管S1和原边第三开关管S3的开关脉冲通过输出电压反馈控制,原边第一开关管S1和原边第三开关管S3开关脉冲的占空比互补。
  • 一种llc谐振变换器控制方法
  • [发明专利]一种海竿电子放线器及海竿-CN202010713000.1有效
  • 潘健;熊嘉鑫;陈庆东;宋豪杰;刘孙德;刘雨晴;张琦;石迪;陈光义;李昊容 - 湖北工业大学
  • 2020-07-22 - 2021-11-16 - A01K91/06
  • 本发明提供一种海竿电子放线器及海竿,所述海竿电子放线器包括倾角传感器(s)、单片机(m)、开关管(ksw)、电磁铁(d)、金属夹(g)和开关按钮(K),金属夹(g)靠近电磁铁(d),受到电磁铁(d)吸引时,能够将鱼线夹住;当海竿使用者抛线前,单片机(m)检测开关按钮(K)被点击后打开开关管(ksw),电磁铁(d)通电产生电磁,吸引金属夹(g),金属夹(g)夹住鱼线;抛线过程中,倾角传感器(s)实时检测海竿与地面夹角(θ),当单片机(m)判断当前夹角(θ)大于设定夹角(θd)时关闭开关管(ksw),电磁铁(d)断电失去电磁,由金属夹(g)释放鱼线,电子放线器完成放线。本发明提供了方便的钓鱼辅助设备。
  • 一种电子放线

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