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[发明专利]高压驱动装置-CN202210650476.4在审
发明人： 宋润镐;李晸雄;姜俊泰;金成俊;金栽佑;朴漅蠃;尹起男;郑珍宇;崔盛勋 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：提供了一种高压驱动装置，包括壳体和设置在所述壳体中的阴极、阳极和绝缘结构。这里，所述阴极与所述阳极以在所述阴极和所述阳极之间的所述绝缘结构而彼此间隔开。此外，所述绝缘结构包括邻近阴极设置的第一固体绝缘体和邻近阳极设置的第二固体绝缘体。此外，所述第一固体绝缘体具有小于所述第二固体绝缘体的第二体积电阻率的第一体积电阻率，并且所述第一固体绝缘体接触所述阴极。
高压驱动装置

[发明专利]X射线管-CN202210473026.2在审
发明人： 宋润镐;姜俊泰;金栽佑;郑珍宇 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01J35/16 文献下载
摘要：提供了一种X射线管，其中，所述X射线管包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、设置在第二电极的下部的靶、第一电极上的发射器、位于第一电极和第二电极之间并且在与发射器垂直对应的位置处包括开口的第三电极、以及设置在第三电极上并且围绕第二电极的间隔物。间隔物包括位于第三电极附近的第一部分和设置在第一部分上的第二部分。间隔物包括陶瓷绝缘体和分散在陶瓷绝缘体内的导电掺杂物。间隔物的第一部分中的导电掺杂物的含量大于第二部分中的导电掺杂物的含量。第三电极与间隔物的第一部分接触。
射线

[发明专利]X射线管-CN202011392890.7在审
发明人： 宋润镐;姜俊泰;郑珍宇;金栽佑 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01J35/02 文献下载
摘要：提供了一种X射线管。X射线管包括阴极、与阴极竖直地间隔开的阳极、在阴极上的发射极、设置在阴极与阳极之间的栅电极、以及设置在栅电极与阳极之间的间隔件，栅电极在对应于发射极的位置处包括开口。间隔件包括绝缘体以及掺杂在绝缘体中的导电掺杂剂。
射线

[发明专利]X射线管-CN201610236480.0有效
发明人：郑珍宇;宋润镐 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01J35/02 文献下载
摘要：一种X射线管，包括阴极，包括发射电子束的发射极；阳极，在该阳极处布置目标材料，该目标材料通过与该电子束碰撞而发射X射线；和隔离垫片，隔离该阳极，其中该阴极和该阳极被布置在该发射极和该隔离垫片之间。
射线

[发明专利]场发射背光单元、其阴极结构及制造方法-CN200880116469.4有效
发明人：郑珍宇;宋润镐;金大俊 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供场发射装置，并且更具体地提供使连接外部电极的互连简化且能够局部变暗的场发射背光单元。为此，场发射背光单元的阴极结构包括：多个数据电极，形成在阴极基板上且彼此隔开；绝缘层，形成在数据电极上，并且具有暴露预定的数据电极的暴露区域；阴极电极，形成在绝缘层上并且通过暴露区域与数据电极电连接；以及至少一个场发射器，形成在阴极电极上，其中基于彼此电隔离的阴极电极限定阴极块，并且每个阴极块的亮度能够根据通过数据电极提供的电流来控制。
发射背光单元阴极结构制造方法

[发明专利]碳纳米管（CNT）浆料和具有高可靠性的发射器的制造方法-CN200680045753.8有效
发明人：金大俊;宋润镐;郑珍宇 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：提供添加有纳米尺寸颗粒的碳纳米管(CNT)浆料的制造方法，以及用于场发射显示器(FED)具有高可靠性的CNT发射器的制造方法。该方法包括步骤：(i)将CNT粉末分散在溶剂中；(ii)添加有机粘合剂到分散有CNT粉末的溶液中；(iii)执行研磨工艺来调整添加有该有机粘合剂的分散溶液的粘性，其中在步骤(i)或(iii)中添加纳米尺寸金属颗粒。因此，纳米尺寸金属颗粒被添加作为CNT浆料的金属填料，且因此金属可以在CNT不劣化的低温下熔化。因此，CNT浆料和阴极之间的粘着力可以改善，并且阴极和CNT之间或者各CNT之间的电阻可以减小。另外，通过上述方法制造的CNT浆料用于制造CNT发射器，从而获得从CNT发射器的均匀电子发射并增加电子发射位置，且因此CNT发射器的可靠性可以进一步改善。
纳米 cnt 浆料具有可靠性发射器制造方法

[发明专利]具有高可靠性的可精细构图的碳纳米管发射体的制造方法-CN200710196272.3有效
发明人：金大俊;宋润镐;郑珍宇 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种场发射装置的碳纳米管的制造方法，其中添加了纳米尺寸的金属颗粒，由此大大提高了发射体的可靠性。CNT发射体的制造方法包括(a)在溶剂中分散CNT粉末、有机粘合剂、光敏材料、单体、和纳米尺寸的金属颗粒，由此制造CNT浆料；(b)在基底上方形成的电极上涂覆CNT浆料；(c)曝光涂覆在电极上的CNT浆料，由此进行精细构图；(d)塑化精细构图的CNT浆料；并且(e)处理CNT浆料的表面，使得被塑化的CNT浆料被激活。CNT发射体可以被精细地构图至几个μm，并可以改善电子发射的均匀性。另外，添加纳米尺寸的金属颗粒作为CNT浆料的金属填充剂，使得金属可以在CNT不恶化的低温下熔化。此外，增强了CNT对阴极的粘接，从而可以改善CNT发射体的可靠性。
具有可靠性精细构图纳米发射制造方法

[发明专利]场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置-CN200580001426.8有效
发明人： 宋润镐;李镇浩;姜光镛 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：提供了一种场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置。所述场致发射器件包括：阴极部分，所述阴极部分含有基板、形成在所述基板上的阴极电极以及连接到所述阴极电极的场致发射体；形成在所述场致发射体周围的阴极部分上并包围所述场致发射体的场致发射抑制栅极部分；以及，场致发射诱发栅极部分，所述场致发射诱发栅极部分含有具有至少一个穿透孔的金属网和形成在所述金属网的至少一部分上的介电层，其中所述场致发射抑制栅极部分抑制电子从所述场致发射体发射，并且所述场致发射诱发栅极部分诱发电子从所述场致发射体发射。根据这种结构，能够显著改善场致发射器件的传统问题，包括栅极漏电流、由阳极电压引起的电子发射和电子束发散。
发射器件以及利用显示装置

[发明专利]场致发射显示器-CN200510081766.8无效
发明人： 宋润镐;李镇浩;黄治善 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2005-05-08 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种场致发射显示器，其包括：阴极部分，包括呈条状方式并允许在基板上进行矩阵寻址的行信号线和列信号线，及由行信号线和列信号线限定的像素，每个像素上具有场致发射器和具有至少连接行信号和列信号线的两个端子和连接到场致发射器的一个端子并且控制场致发射器的控制器件；具有阳极电极和连接到阳极电极的荧光体的阳极部分；具有数个贯穿孔的金属网及在金属网的至少部分上形成的介电层的栅极部分，其中栅极部分置于阴极部分和阳极部分之间，以使形成有介电层的表面朝向阴极部分，并且使从场致发射器发射出的电子通过它的贯穿孔与荧光体发生碰撞。
发射显示器

[发明专利]场致发射器件-CN200410090325.X有效
发明人： 宋润镐;黄治善;金光福 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种场致发射器件，包括：阴极，该阴极包括用于发射电子的电场发射极；用于感应电子发射的场致发射感应栅极；和一个用于接收所发射的电子的阳极。场致发射抑制栅极位于阴极和场致发射感应栅极之间，以用于抑制电子发射，这样可以显著地克服在传统场致发射器件中的例如栅极漏电流、阳极电压引起的电子发射和电子束分散的问题。
发射器件

[发明专利]具有栅极板的场发射显示器-CN200310114772.X无效
发明人： 宋润镐;黄治善;李镇浩;郑重熙 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有栅极板的场发射显示器，其中在具有荧光体的阳极板与具有场发射体和用于控制场发射电流的控制装置的阴极板之间，形成一个栅极板，此栅极板具有栅极孔和围绕这个栅极孔的栅电极，其中阴极板的场发射体构造成通过栅极孔与阳极板的荧光体相对。根据本发明，通过将场发射显示器的扫描和数据信号加到每个像素的控制装置，能够显著降低显示器的行/列驱动电压，并且本发明致力于提高场发射显示器的亮度，通过栅极板的栅电极施加场发射所需的电场，来自由地控制阳极板和阴极板之间的距离，从而可以将一个高电压施加到阳极。
具有栅极发射显示器

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