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[发明专利]基于自旋半金属电极的磁隧道结、存储单元及存储设备-CN202210662604.7在审
发明人： 宋延兴;柴常春;李福星;秦英朔;孟祥瑞;宋博奇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自旋半金属电极的磁隧道结，包括二维铁磁绝缘材料层以及间隔覆盖在二维铁磁绝缘材料上的第一二维自旋半金属材料层和第二二维自旋半金属材料层，其中，第一二维自旋半金属材料层和第二二维自旋半金属材料分别与二维铁磁绝缘材料层通过范德瓦尔斯相互作用形成范德瓦尔斯异质结，第一二维自旋半金属材料层作为入射电极，第二二维自旋半金属材料层作为出射电极；异质结中能够发生层间电荷转移，使二维铁磁绝缘材料层与第一二维自旋半金属材料层或第二二维自旋半金属材料层接触的区域由绝缘态转变为自旋半金属态。该磁隧道结电极的自旋半金属性完全由异质结中的层间电荷转移诱导，电极和势垒层之间不存晶格失配和缺陷。
基于自旋金属电极隧道存储单元设备

[发明专利]含狄拉克锥的二维Janus型碳磷硫化合物材料及仿真设计方法-CN202111342732.5在审
发明人：张伟;柴常春;宋延兴;司泽剑;周琳 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种含狄拉克锥的二维Janus型碳磷硫化合物材料及仿真设计方法，所述仿真设计方法包括：S1：将单层石墨烯菱形原胞重新定义为石墨烯矩形原胞；S2：将所述石墨烯矩形原胞扩大2×2倍，形成石墨烯矩形超胞；S3：利用两个磷原子和两个硫原子分别替换所述石墨烯矩形超胞中指定位置处的两个碳原子；S4：将磷原子和硫原子分别沿垂直于所述石墨烯矩形超胞所在平面的方向移动，使得磷原子和硫原子分别位于所述石墨烯矩形超胞平面的上下两侧；S5：将步骤S4得到的结构进行结构优化。本发明采用理论模拟仿真设计的方法，不仅可以提高搜索新材料的效率和降低设计的成本，更能从微观尺度为实验提供有价值的理论数据，为实验合成提供指导和方向。
含狄拉克锥二维 janus 型碳磷硫化材料仿真设计方法

[发明专利]基于张量的半导体载流子有效质量各向异性的计算方法-CN202110858215.7在审
发明人： 宋延兴;柴常春;张伟;吴涵;周琳;司泽剑 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于张量的半导体载流子有效质量各向异性的计算方法，包括：根据半导体材料的能带结构确定能带极值位置；构建能带极值位置的有效质量张量矩阵；计算有效质量张量矩阵，并判断其正定性；当判断有效质量张量矩阵正定时，根据能带极值位置处的可微性，判断有效质量张量的有效性；否则，更新能带极值位置，直至得到的有效质量张量矩阵正定；根据有效质量张量的有效性选择相应的计算方式计算能带极值位置处各个方向上的有效质量，以对半导体有效质量各向异性进行分析。本发明提供的方法减小了计算量，避免了现有张量法易出现的错误，提升了半导体载流子有效质量各向异性分析结果的准确性，可适用于全方向的有效质量计算。
基于张量半导体载流子有效质量各向异性计算方法